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Para obtener la respuesta en

RESPUESTA EN baja frecuencia de un BJT,


BAJA FRECUENCIA despreciamos las capacidades
PARA internas o capacidades
AMPLIFICADOR BJT parasitas del transistor y
consideramos a las capacidades
j externas o capacidades de
acoplo y desacoplo.
Analizamos individualmente
cada condensador externo,
considerando los otros
equivalentes a un cortocircuito.
Considerando el amplificador
de emisor comn de la figura.
Suponiendo que Cs es el
nico elemento capacitivo
que controla la respuesta en
baja frecuencia.
Para determinar la frecuencia de
corte ,
A travs del circuito RC de la
figura:
De la figura 9.25 a frecuencias de
banda medias.

Entonces tenemos que:

La red equivalente de ca en la entrada


ser la de la figura 9.26, entonces:
Suponiendo que Cc es el nico
elemento capacitivo que
controla la respuesta en baja
frecuencia.

Para determinar la frecuencia de


corte ,
De manera anloga a Cs, como la
resistencia total segn la figura 9.27
es Ro+RL, entonces:

Tambin, la red equivalente de ca


segn la figura 9.28 para Vi=0 V,
tenemos que:
Suponiendo que Ce es el nico
elemento capacitivo que
controla la respuesta en baja
frecuencia.
Para determinar la frecuencia de
corte ,
De manera anloga a Cs, como la
resistencia total segn la figura 9.29
es Re, entonces:

La red equivalente de ca visto por Ce


ser la de la figura 9.30, entonces:
El efecto de Ce en la ganancia se analizara mejor
de la figura 9.31, sabiendo que la ganancia es:

Si Re=0, entonces la ganancia ser mxima.


Al disminuir la frecuencia, Ce se comporta
como un circuito abierto haciendo que la
ganancia sea mnima.
Al aumentar la frecuencia, la reactancia de Ce
disminuye, haciendo que la impedancia
producida por Re en paralelo con la reactancia
de Ce disminuya, hasta que Re se comporte
como un cortocircuito provocado por Ce,
resultando la ganancia mxima:


=

Al haber obtenida las tres frecuencias
de corte individualmente.

Definiendo a como al frecuencia de


corte ms baja, trazamos una asntota
de -6db/octava para formar la grafica
de Bode y la envolvente de la respuesta
real.

A la ganancia ser de 3db por


debajo del valor de banda media que es
determinada por Re en cortocircuito.

A partir de se forma una asntota de


-12db/octava.
Capacidades parasitas

(a) Transistor pnp (b) Regin colector-base


La unin se comporta como un condensador
cuya capacidad varia tericamente en razn
Capacidad en la inversa a . Realmente, la capacidad de la
unin colector-base unin base-colector es inversamente
proporcional a la potencia del exponente 1/2
o 1/3 de , dependiendo de si el transistor
f es del tipo de aleacin o del tipo de unin por
crecimiento.
Esta capacidad es ms bien pequea y varia
aproximadamente desde 30pF en los
transistores de baja potencia hasta menos de
1pF en los transistores de alta potencia.
Cuando la frecuencia de esta aumenta, la
corriente de colector disminuye a causa
Capacidad de difusin de que son atrapadas algunas cargas en
en la unin base-emisor la base. Puesto que la corriente
disminuye cuando aumenta la frecuencia,
el efecto es el mismo que el que
producira un condensador localizado en
.
Esta capacidad depende del nmero de
cargas existentes en la regin y aumenta
casi linealmente con la corriente
esttica . Usualmente es mucho
mayor que . Los valores tpicos
estn comprendidos entre 50 y 5000 pF.
CAPACITANCIA DE EFECTO
MILLER
RESPUESTA EN BAJA
FRECUENCIA: AMPLIFICADOR
CON FET

Amplificador con FET


Efecto del capacitor de acoplamiento

La red equivalente en ca ser:

Y su frecuencia de corte ser:


1
=
2( + )
RESPUESTA EN BAJA FRECUENCIA:
AMPLIFICADOR CON FET

Del circuito equivalente de ca, obtenemos


que:
=

La frecuencia de corte est determinada sobre
todo por y .
Efecto del capacitor de acoplamiento :
La red equivalente en ca ser:

Su frecuencia de corte ser:


1
= donde =
2( + )
Efecto del capacitor :
El equivalente de ca ser:

Su frecuencia de corte est dada por:


1
=
2
RESPUESTA EN BAJA FRECUENCIA:
AMPLIFICADOR CON FET

De la figura anterior obtenemos el valor


resultante de :

=
1 + (1 + )( + )

Para se vuelve:
1
=

RESPUESTA EN ALTA FRECUENCIA:
AMPLIFICADOR CON FET

Amplificador inversor JFET


RESPUESTA EN ALTA FRECUENCIA:
AMPLIFICADOR CON FET

Los capacitores y en general varan de 1


pF a 10 pF.
La capacitancia suele ser un poco ms
pequea y vara de 0.1 pF a 1 pF.
A altas frecuencias, se aproximar a un
equivalente de cortocircuito.
En las frecuencias que equivale a un
cortocircuito, disminuir.
RESPUESTA EN ALTA FRECUENCIA:
AMPLIFICADOR CON FET

Circuito equivalente de ca de alta frecuencia


RESPUESTA EN ALTA
FRECUENCIA: AMPLIFICADOR
CON FET
Los capacitores , , en altas frecuencias se
encuentran en cortocircuito.
La capacitancia incluye la capacitancia de
alambrado de entrada , la capacitancia de
transicin y la capacitancia Miller .
La capacitancia incluye la capacitancia de
alambrado de salida , la capacitancia parsita
y la capacitancia de efecto Miller de salida .
RESPUESTA EN ALTA FRECUENCIA:
AMPLIFICADOR CON FET

Las frecuencias de corte definidas por los


circuitos de entrada y salida:

1
=
2
RESPUESTA EN ALTA
FRECUENCIA: AMPLIFICADOR
CON FET
Para el circuito Thevenin de entrada:
1
=
2

= + +

= (1 )
RESPUESTA EN ALTA FRECUENCIA:
AMPLIFICADOR CON FET

Para el circuito Thevenin de salida:


1
=
2
=

= + +

1
= (1 )

Producto ganancia ancho de
banda(GBW)
Para un amplificador RC
En el diseo preliminar de un amplificador de banda ancha con varias etapas es muy
til aplicar previamente algunas reglas empricas. El producto ganancia-ancho de
banda (GBW) es un factor de calidad que se utiliza a menudo para este propsito. Se
le define en trminos de ganancia en el centro de banda y frecuenta de corte superior
como:

=
GBW para un amplificador con transistor bipolar
Para un amplificador ideal de una sola etapa en
configuracin emisor comn, la ganancia en el centro
de la banda es aproximadamente y la frecuencia
de corte superior es:

= = =
2 2
GBW para un amplificador con transistor bipolar

Generalmente los fabricantes indican la que se utiliza como estimacin


aproximada del producto GBW para un transistor dado. La estimacin es un lmite
superior y el valor real se reduce a causa de la capacidad de Miller que es despreciada
para obtener la formula, para tener un clculo ms exacto tendramos.


= =
2 + 2 +
GBW para un amplificador con FET.
El producto GBW de un amplificador FET se halla mediante.

=
2 +

Se asume que =


=
2 +
GBW para un amplificador sintonizado
El producto GBW del amplificador sintonizado de
una etapa se da mediante.

= =
2
Donde C est dado por
= + + 1 +

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