Instituto Tecnolgico de Tijuana

Materiales Compuestos
Profesor (a):
M.C. Carlos Bojrquez Tema:
4.3.2 Tcnicas de reaccin In-Situ
Alumno (s): 4.3.3 Deposicin de Vapor CVD y CVI
JONATHAN OVALLE MARTIENEZ
REYES ZAMBRANO CESAR AUGUSTO
ALBERTO JIMNEZ GMEZ

Tijuana Baja California a 26 de noviembre del 2015

 4.3.2 Tcnicas de reaccin In-Situ
Los compuestos polimricos en general, se
preparan comnmente por mtodos fsicos. Uno
de los ms importantes y que ha sido ampliamente
difundido, es la extrusin. La obtencin por esta
va, solo permite el establecimiento de
interacciones fsicas muy dbiles entre ambas
fases. Esto debido a las diferencias en la estructura
qumica del polmero y la carga inorgnica.
Mediante el mtodo denominado sntesis in situ se
pueden obtener materiales donde las partculas de
refuerzo se formen en una ntima relacin con las de
polmero y garantizando en la mayora de los casos;
una buena dispersin de la carga en la matriz de
polmero, sin que sea necesario el uso de un
modificador de la intercara.
Existen diversos mtodos de sntesis in situ para la
fabricacin de compuestos polimricos. Entre los ms
conocidos podemos destacar: Deposicin de vapor,
tcnica del precursor, mtodo de intercalacin
polimerizacin, polimerizacin encapsulacin, etc. Existe
tambin otro mtodo que puede ser considerado dentro
de la categora de reaccin in situ, y es el que usa energa
snica para da origen a diversos tipos de materiales. Este
procedimiento qumico es reseado como mtodo de
irradiacin ultrasnica, y est enmarcado dentro de la
rama de la qumica que se conoce como Sonoqumica
 Sonoquimica

El uso del ultrasonido en qumica (sonoqumica) le

proporciona al qumico sinttico una metodologa con un
amplio potencial; los efectos del ultrasonido sobre las
reacciones qumicas son debido a la cavitacin, un
proceso fsico de creacin, crecimiento e implosin de
cavidades gaseosas en el lquido irradiado. La cavitacin
induce temperaturas y presiones locales muy altas,
condiciones estas que favorecen los cambios qumicos. En
este sentido la sonoqumica se ha constituido en una
alternativa a los mtodos tradicionales, por cuanto se
mejoran los tiempos de reaccin y el rendimiento de los
productos en condiciones ms suaves. Ultrasonicador UP200S por
sonochemistry
 4.3.3 Deposicin de Vapor CVD y CVI

La tecnologa de Deposicin Qumica de Vapores

(CVD) es un proceso qumico usado para fabricar
materiales slidos de alta pureza y de altas
prestaciones. Este proceso se est utilizando
ampliamente en la industria de la automocin y
aeroespacial principalmente para fabricar
recubrimientos muy delgados.
La deposicin qumica de vapores se puede definir
como la deposicin de un slido mediante una
reaccin qumica en fase vapor sobre una superficie
previamente calentada. Pertenece al tipo de
procesos de transferencia en fase vapor de
naturaleza atmica, ya que lo que se depositan
sobre el substrato son tomos, molculas o una
combinacin de ambos.
 Evolucin histrica
Su primera utilizacin prctica se desarroll durante la dcada de los 80 del siglo XIX en
la produccin de lmparas incandescentes para mejorar la resistencia de los filamentos
recubrindolos con carbono o metal.

La tcnica CVD se desarroll lentamente durante los siguientes cincuenta aos y estuvo
limitada principalmente a la extraccin y pirometalurgia para la produccin de metales
refractarios de alta pureza tales como el tantalio, el titanio y el circonio.
 Fechas importantes
1960: Introduccin de los trminos CVD y PVD para distinguir entre deposicin qumica de
vapores y deposicin fsica de vapores, respectivamente.

1960: Introduccin a la fabricacin de materiales semiconductores mediante la tcnica CVD.

1960: Uso de la tcnica CVD para conseguir un recubrimiento de TiC usado en herramientas de
corte y desarrollo de tugsteno con la tcnica CVD.

1963: Introduccin de deposicin qumica de vapores asistida por plasma en el campo de la

electrnica.

1968: Inicio de la utilizacin industrial de carburos cementados recubiertos mediante la tcnica

CVD.

1980s: Introduccin de recubrimientos de diamante usando la tcnica CVD.

1990s: Rpida expansin del mtodo MOCVD para la deposicin de materiales cermicos y
metales.

1990s: Mayor desarrollo de la tcnica CVD en el campo de la ptica y optoelectrnica.

 Ventajas y limitaciones de la tcnica CVD
La tcnica CVD tiene varias ventajas importantes ventajas que hacen que sea preferentemente
elegido frente a otro tipo de procesos. Estas ventajas pueden resumirse en:

No se limita a una deposicin en una nica direccin caracterstica de los procesos PVD,
evaporacin y de pulverizacin catdica (sputtering). Debido a su alto poder de deposicin,
recovecos profundos, agujeros y otras configuraciones tridimensionales pueden ser recubiertas
con relativa facilidad. Por ejemplo, un circuito integrado con agujeros de relacin 10:1 puede
ser completamente cubierto con tugsteno usando la tcnica CVD.

La tasa de deposicin es alta y se pueden obtener recubrimientos de gran espesor (de hasta
centmetros de espesor). Este proceso es generalmente competitivo y, en algunos casos,
mucho ms econmico que los procesos de PVD.

Los equipos que se utilizan para ensayos de CVD no requieren de un vaco muy alto y, la
mayora de ellos, se pueden adaptar segn las necesidades. Su flexibilidad es tal que permite
muchos cambios en la composicin durante la deposicin y es factible la deposicin de
elementos y compuestos sobre una superficie en la que ya se ha realizado previamente una
deposicin.
Dos reas de aplicacin de la tcnica CVD se han desarrollado rpidamente en los ltimos
veinte aos:

La industria de los semiconductores y

La industria de los recubrimientos metalrgicos.

La tecnologa de la deposicin qumica de vapores es particularmente importante en la

produccin de materiales semiconductores y componentes relacionados con la
electrnica. Esta es, de largo, el rea ms importante de la produccin de la tcnica CVD,
comprendiendo aproximadamente tres cuartas partes del total.

La tcnica de CVD es un proceso importante en la produccin de pelculas delgadas que

recubren los tres tipos de materiales electrnicos: semiconductores, conductores y
aislantes.
 APLICACIONES ELECTRNICAS: SEMICONDUCTORES:

Los materiales semiconductores que se dan en mayor cantidad en produccin o en desarrollo son
germanio, carburo de silicio y diamante.

Germanio:
Se utiliza como aleacin con el silicio. Algunas aplicaciones de la aleacin silicio/germanio son:

Transistores con una velocidad de ms de 60 GHz.

Conversin fotovoltaica y fotodetectores.

Carburo de silicio:
El carburo de silicio se puede presentar en dos estructuras cristalinas diferentes: en forma de cubo,
llamada SiC, y en forma hexagonal conocida como SiC

Diamante:
Puede ser un material ideal para muchas aplicaciones en las que se utilizan materiales
semiconductores, como puede ser transistores de alta frecuencia, alta potencia y ctodos fros, o
en el duro ambiente que se da en la combustin interna y en los motores a reaccin.
 APLICACIONES PTICAS

La siguiente lista muestra una serie de materiales pticos que son obtenidos actualmente por
CVD o bien en produccin o experimentalmente:

Recubrimientos antirreflectantes:
La funcin de un recubrimiento antirreflectante es reducir la reflexin de la superficie de los
elementos pticos e incrementar la cantidad de luz transmitida.

Recubrimientos reflectantes:
El objetivo de un recubrimiento reflectante es proporcionar la mxima reflexin. La principal
aplicacin de estos recubrimientos se encuentra en los espejos.
Recubrimientos de separacin de calor y luz:
Estos recubrimientos (tambin conocidos como espejos calientes y fros) son
aplicaciones importantes que separan la radiacin infrarroja de la visible.