EEL108 Sensores e Dispositivos de

Comunicao sem fio

Sensor dieltrico baseado em tunelamento de energia

montado em substrato integrado para guia de ondas

Professor Dr.: Michel Oliveira da Silva Dantas

Aluna: Claudia Rodrigues de Carvalho
Sensor dieltrico baseado em tunelamento de energia
montado em substrato integrado para guia de ondas
Objetivo

Esta apresentao descreve o

funcionamento de um sensor dieltrico
baseado em tunelamento de energia
montado em substrato integrado para guia
de ondas.
O dispositivo descrito na publicao:
Energy-Tunneling Dielectric Sensor Based on
Substrate Integrated Waveguides , cujos autores
Rashad Ramzan, Senior Member, IEEE, Muhammad
Omar, and Omar F. Siddiqui
disponvel no IEEE Sensores Journal, vol 17, no. 5,
March 1, 2017
 Sensor dieltrico baseado em tunelamento de energia
montado em substrato integrado para guia de ondas

O artigo Energy-Tunneling Dielectric Sensor Based on

Substrate Integrated Waveguides estudado para este
trabalho prope um dispositivo de deteco
dieltrica baseado em guia de onda integrada em
substrato com arame-carregado (wire-loaded SIW -
substrate-integrated-waveguide), estrutura que
utiliza o fenmeno de tunelamento de energia.
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Tunelamento de Energia

O tunelamento de energia um efeito fascinante que

permite s partculas ocasionalmente ultrapassar
obstculos mesmo sem ter a energia necessria para
tal.
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montado em substrato integrado para guia de ondas

Tunelamento de Energia
 Sensor dieltrico baseado em tunelamento de energia
montado em substrato integrado para guia de ondas

mostrado que ao se construir dois SIW ligados

atravs de um fio metlico fino, criado um
arranjo sensvel a mudanas na constante
dieltrica de substancias colocadas em uma
cavidade de amostras criada para tal. Esta
cavidade posicionada em ponto de alta energia
criado pela concentrao de energia no guia de
onda. As variaes dieltricas podem ser
detectadas observando-se o deslocamento da
frequncia de ressonncia.
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montado em substrato integrado para guia de ondas

Baseando-se nas estruturas de

tunelamento SIW proposto,
uma nova classe de sensores
de alta sensibilidade, baixo
custo e robustos podem ser
projetados apropriadamente
para aplicaes biomdicas e
forenses.
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montado em substrato integrado para guia de ondas

O tunelamento de energia ocorre, neste

dispositivo, para frequncia de ressonncia,
causando propagao de energia
eletromagntica atravs de curvas estreitas e
canais com eficincias de transmisso perfeita.
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montado em substrato integrado para guia de ondas

Nas estruturas de tunelamento de energia de fio

carregado, campos de alta intensidade so
localizados perto do fio de tunelamento onde,
uma pequena perturbao no material dieltrico
causa considerveis mudanas de frequncia.
Consequentemente as configuraes de
tunelamento de energia baseadas em guias de
onda e geometrias de microstrip tem sido
empregadas como sensores dieltricos altamente
sensveis.
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montado em substrato integrado para guia de ondas

Sensores de tunelamento baseados em guias de

ondas so geralmente volumosos e oferecem
limitaes, portanto, so difceis de integrar com
geometrias planares. Por outro lado as
configuraes em microstrips so estruturas
abertas com fios metlicos embutidos e
consequente propensas a grandes perdas de
radiao.
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montado em substrato integrado para guia de ondas

Projeto de guia de onda integrado em

substrato (SIW) para tunelamento de energia
Sensor dieltrico baseado em tunelamento de energia
montado em substrato integrado para guia de ondas

Nota-se que cada um dos SIWs

alimentado por uma linha de
transmisso microstrip com seo cnica
de larguras inicial e final dada por 'w50' e
'Wt' respectivamente. O afunilamento
microstrip permite que os campos
eletromagnticos de propagao
transitem do microstrip para o modo
guia de onda.
As paredes laterais condutoras e a
extremidade em curto-circuito da SIW
nica so construdas ligando a camada
condutora superior e inferior atravs de
um arranjo de vias (via-array) peridico
com uma periodicidade de p e atravs do
dimetro de d.
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A periodicidade do SIW atravs da matriz (p) e o

dimetro da via (d) so os parmetros fsicos
importantes do projeto SIW. Com o aumento na
periodicidade, os campos eletromagnticos podem no
ficar confinados no substrato, aumentando assim o
vazamento de onda levando a perdas de radiao. Uma
vez que o SIW uma estrutura peridica, existem
intervalos de banda associados com a propagao de
onda com largura de banda dependente dos dimetros
da via.
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Os parmetros de projetos da
estrutura SIW mostrada
anteriormente esto resumidas
na Tabela abaixo.
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Para validar o projeto de tunelamento de energia, a configurao bi-camada

do SIW foi simulada no HFSS. A forte distribuio do campo eltrico
ressonante resulta regio que rodeia o fio metlico, como ilustrado na Figura
abaixo tambm observado nas configuraes anteriores do tunelamento
de energia ET para consideraes prticas, a amostra dieltrica colocada
em uma cavidade que construda perto do fio metlico no topo SIW, como
mostrado na Figura abaixo (b) e (c).

(a) E-field distribution on resonant

wire.
(b) (b) E-field distribution in SIW-1
without dielectric sample.
(c) (c) E-field distribution in SIW-1
with dielectric sample of r =
10.
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O SIW bi-camada (sensor ET) atua como

dispositivo seletor com uma ressonncia que
depende do comprimento do fio carregado. O
comprimento efetivo do fio carregado pode ser
mudado alterando o diletrico em torno do fio.
Comportamento que explorado em
sensoriamento diletrico.
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Este Espremer de energia em caminhos

estreitos causa dramticas melhorias no campo
eltrico dentro dos canais de tunelamento de
energia. Portanto um dispositivo de tunelamento
de energia capaz de detectar mudanas
dieltricas em partculas infinitesimais
posicionadas dentro de regies de alto campo.
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montado em substrato integrado para guia de ondas

Um deslocamento significativo de 200 MHz simulado e

medido observado o que demostra a alta sensibilidade
do sensor proposto. Finalmente, para mostrar que o
sensor de tunelamento de energia proposto tambm pode
funcionar com amostras liquidas foi introduzido um tubo
capilar cheio de gua na cavidade de amostras
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montado em substrato integrado para guia de ondas

Um sensor dieltrico de tunelamento de energia e umidade

fabricado usando tecnologia de guia de onda integrado em
substrato (SIW). Foi demonstrado em simulao e
experincia que o sensor proposto capaz de detectar um
tamanho extremamente pequeno de 1,9 mm3 amostra
causando um deslocamento de 200MHz da ressonncia de
tunelamento.
Com uma amostra lquida do mesmo volume, a frequncia
de 1 GHz de deslocamento detectado. Da a proposta de
sensor de tunelamento de energia de baixa perda.pode ser
potencialmente usado em importantes aplicaes bio-
mdicas e anlise forense.
Sensor dieltrico baseado em tunelamento de energia
montado em substrato integrado para guia de ondas

Obrigada!!
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montado em substrato integrado para guia de ondas
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Obrigado!