ESTRUCTURA ATMICA DE LOS

SEMICONDUCTORES
La mayor parte de los dispositivos electrnicos modernos estn fabricados a partir de
semiconductores. Para comprender el funcionamiento de estos dispositivos cuando se
insertan en un circuito elctrico, es necesario conocer el comportamiento de los
componentes desde un punto de vista fsico. Por ello, en este tema se presentan las
propiedades y caractersticas fundamentales de este tipo de materiales.Si los conductores
son materiales que disponen de electrones libres y los aislantes carecen de ellos, los
semiconductores se encuentran en una situacin intermedia: a la temperatura de 0 K se
comportan como aislantes, pero mediante una aportacin de energa puede modificarse
esta situacin, adquiriendo un comportamiento ms cercano al de los conductores.
 Los materiales semiconductores de uso comn en
la tecnologa microelectrnica son el silicio, el
germanio y el arseniuro de galio. Se trata de
elementos del grupo IV de la tabla peridica, o
bien combinaciones de elementos de los grupos
III y V. De todos ellos, el ms empleado
actualmente es el silicio, por lo que la discusin
en este tema va a estar centrada en dicho
elemento. No obstante la gran mayora de lo aqu
expuesto puede aplicarse a cualquier
semiconductor.
 1 ESTRUCTURA DEL SILICIO

El silicio es un elemento con una gran cantidad de

aplicaciones. Es el segundo elemento ms abundante en
la corteza terrestre (despus del oxgeno) con un
porcentaje en peso del 25,7%. Est presente en multitud
de materiales, tan diversos como la arena, la arcilla, el
vidrio o el hueso. El silicio puro no se encuentra en la
naturaleza, pero bajo las condiciones adecuadas pueden
obtenerse en forma de estructuras monocristalinas. En
stas los tomos se disponen segn una red tipo
diamante con simetra cbica, en donde cada tomo
forma enlaces covalentes con otros cuatro adyacentes.
As todos los tomos tienen la ltima rbita completa
con ocho electrones (Figura 1).
 Figura 1: Estructura cristalina del silicio puro
En la figura se aprecia que todos los electrones
de valencia estn asociados a un enlace
covalente. Por tanto, al no existir portadores
libres, el silicio puro y monocristalino a 0 K se
comporta como un material aislante.
 PORTADORES DE CARGA. EL
ELECTRON Y EL HUECO
En los materiales conductores la circulacin de
corriente es posible gracias a la existencia de
electrones libres. En los semiconductores
tambin son los electrones los responsables
de la corriente. Sin embargo, puesto que en
este caso provienen de un enlace covalente y
no de una nube electrnica, el fenmeno es
ms complejo, y para su explicacin se
introduce un nuevo portador de carga ficticio:
el hueco.
 2.1 GENERACION TERMICA DE PORTADORES. EL
ELECTRON Y EL HUECO

Si se eleva la temperatura del monocristal de silicio por encima de 0 K, parte de la

energa trmica permite liberar alguno de los electrones. Ello produce dos efectos:
Aparece un electrn libre capaz de moverse a travs de la red en presencia de un
campo elctrico.
En el tomo al que se asociaba el electrn aparece un defecto de carga negativa,
es decir, una carga positiva, que se denomina hueco.
Globalmente, el cristal mantiene la neutralidad elctrica, ya que no ha ganado ni
perdido cargas. Cuando se producen electrones libres en un semiconductor
nicamente por agitacin trmica, existen huecos y electrones en nmeros
iguales, porque cada electrn trmicamente excitado deja detrs de s un hueco.
Un semiconductor con un nmero igual de huecos y electrones se
denomina intrnseco.
Recapitulando, los semiconductores se diferencian:
de los aislantes: La energa para liberar un electrn es menor en el semiconductor
que en el aislante. As a temperatura ambiente el primero dispone ya de
portadores libres.
de los conductores: Los semiconductores poseen dos tipos de portadores de carga:
el electrn y el hueco.
En el caso del silicio puro monocristalino, el nmero de portadores libres a
temperatura ambiente es lo suficientemente bajo como para asegurar una alta
resistividad.
2.2 RECOMBINACION DE PARES ELECTRON-HUECO

Tal y como se acaba de explicar, el hueco es un

enlace covalente no satisfecho. Si un electrn
atraviesa la zona en la que se encuentra el hueco
puede quedar atrapado en l. A este fenmeno se le
denomina recombinacin, y supone la desaparicin
de un electrn y de un hueco. Sin embargo, como en
el caso anterior, el material mantiene su neutralidad
elctrica.
2.3 IMPURIFICACION O DOPADO DE LOS
SEMICONDUCTORES

En un semiconductor intrnseco las concentraciones de huecos y de

electrones pueden alterarse mediante la adicin de pequeas
cantidades de elementos llamados impurezas o dopantes, a la
composicin cristalina. Como veremos a lo largo de este curso, es
esta caracterstica de los semiconductores la que permite la
existencia de circuitos electrnicos integrados.
La cuestin es: Qu sucede si adems de elevar la temperatura por
encima de 0 K consideramos la presencia de impurezas en el
silicio?. Supongamos que sustituimos un tomo de silicio (que
pertenece al grupo IV) por otro de fsforo (grupo V), pentavalente.
Como slo hay la posibilidad de establecer cuatro enlaces
covalentes con los tomos de silicio adyacentes, un electrn
quedar libre. Teniendo en cuenta esto, es fcil deducir que es lo
que ocurrir si se sustituye un tomo de silicio por otro de un
elemento perteneciente al grupo III, el boro por ejemplo:
evidentemente se introducir un hueco, ya que el boro solo aporta
tres electrones de valencia. Las dos situaciones se clarifican en la
Figura 2.
Figura 2: Introduccin de impurezas en el
silicio
 Si la introduccin de impurezas se realiza de manera controlada
pueden modificarse las propiedades elctricas en zonas
determinadas del material. As, se habla de dopado tipo P N (en su
caso, de silicio P N) segn se introduzcan huecos o electrones
respectivamente.
Centrmonos ahora en el silicio tipo P. En la prctica, a temperatura
mayor que cero este material estar formado por:
Huecos procedentes del dopado.
Huecos procedentes de la generacin trmica de pares e/h+.
Electrones procedentes de la generacin trmica de pares e/h+.
Electrones y huecos procedentes de impurezas no deseadas.
Habitualmente, a temperatura ambiente, el nivel de dopado es tal
que los huecos procedentes de l superan en varios rdenes de
magnitud al resto de portadores. Ello confiere el carcter global P
del material. Sin embargo, ha de tenerse en cuenta que existen
electrones. En este caso, los huecos son los portadores mayoritarios,
y los electrones los minoritarios. Si se trata de un material de tipo N,
los portadores mayoritarios sern los electrones, y los minoritarios
los huecos. Con la tabla siguiente se pretende rematar estos
conceptos.
Hay que resaltar nuevamente que el dopado no altera la neutralidad elctrica global del material.

Portadores Portadores
Material
mayoritarios minoritarios

Silicio Puro

Silicio tipo P Huecos Electrones

Silicio tipo N Electrones Huecos