TRANSISTORES

Autor(as)

Historia

Concepto Modos de Trabajo

Funcionamiento Tipos

Tipos de Conexin
Glosario

ndice Galera Referencias

 T
R Modos de Trabajo
Historia
A
Regin activa directa
Concepto N Regin activa inversa

Funcionamiento
S Regin de corte

Interruptor abierto
I Regin de saturacin

Interruptor cerrado
S
T Tipos
Bipolares
Tipos de Conexin
O De efecto de Campo
Multivibrador R HEMT y HBT
Flip-Flop (Biestable) E Fototransistores

S
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Historia del Transistor

El desarrollo de la
electrnica y de sus mltiples
aplicaciones fue posible gracias a la
invencin del transistor, ya que este
super ampliamente las dificultades
que presentaban sus antecesores, las
vlvulas. En efecto, las vlvulas,
inventadas a principios del siglo XX,
haban sido aplicadas exitosamente en
telefona como amplificadores y
Transistor y Vlvula
posteriormente popularizadas en
radios y televisores.
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Historia del Transistor

Uno de los mayores

inconvenientes de las vlvulas, era que
consuman mucha energa para
funcionar. Esto era causado
porque calientan elctricamente un
filamento (ctodo) para que emita
electrones que luego son colectados
en un electrodo (nodo),
establecindose as una corriente
elctrica. Luego, por medio de un
pequeo voltaje (frenador), aplicado
entre una grilla y el ctodo, se logra el
efecto amplificador, controlando el
valor de la corriente, de mayor Lmpara incandescente de Thomas Edison
intensidad, entre ctodo y nodo.
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Historia del Transistor

Los transistores,
desarrollados en 1947 por los fsicos
Shockley, Bardeen y Brattain,
resolvieron todos estos inconvenientes
y abrieron el camino, mismo que,
junto con otras invenciones como la
de los circuitos integrados
potenciaran el desarrollo de las
computadoras. Y todo a bajos voltajes,
sin necesidad de disipar energa
(como era el caso del filamento), en
dimensiones reducidas y sin partes
mviles o incandescentes que
pudieran romperse.

Fotografa del primer transistor construdo por W.

Shockley, J. Bardeen y W. Brattain (1947)
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Concepto del Transistor

El transistor es un dispositivo electrnico, semiconductor

que cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o
rectificador. El trmino "transistor" es la contraccin en ingls de
transfer resistor ("resistencia de transferencia"). Actualmente se los
encuentra prcticamente en todos los enseres domsticos de uso
diario: radios, televisores, grabadores, reproductores de audio y vdeo,
hornos de microondas, lavarropas automticos, automviles, equipos
de refrigeracin, alarmas, relojes de cuarzo, computadoras,
calculadoras, impresoras, lmparas fluorecentes, equipos de rayos X,
tomgrafos, ecgrafos, reproductores mp3, celulares, etc.
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Caractersticas
Los materiales empleados para su elaboracin son, entre otros, el
Germanio y el Silicio, porque tienen la propiedad de que puede acelerarse
grandemente el movimiento de los electrones por medio de una corriente
elctrica.

El tamao y peso de los transistores es bastante menor que los tubos de

vaco.

En cuanto a su estructura, se encuentran formados por tres elementos:

Emisor: que emite los portadores de corriente,(huecos o

electrones). Su labor es la equivalente al ctodo en los tubos de
vaco o "lmparas" electrnicas.
Base: que controla el flujo de los portadores de corriente. Su labor es
la equivalente a la rejilla ctodo en los tubos de vaco o "lmparas"
electrnicas.
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Caractersticas

Colector: que capta los portadores de corriente emitidos por el

emisor. Su labor es la equivalente a la placa en los tubos de vaco o
"lmparas" electrnicas.

Posee amplificacin de todo tipo (radio, televisin, instrumentacin).

Sirve como generador de seal (osciladores, generadores de ondas,

emisin de radiofrecuencia).

Permite la conmutacin, actuando en interruptores (control de rels,

fuentes de alimentacin conmutadas, control de lmparas).

Es detector de radiacin luminosa (fototransistores)

El consumo de energa es sensiblemente bajo.

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Funcionamiento Bsico
Cuando el interruptor SW1 est abierto no circula
intensidad por la Base del transistor por lo que la
lmpara no se encender, ya que, toda la tensin se
encuentra entre Colector y Emisor.

Cuando se cierra el interruptor SW1, una intensidad

muy pequea circular por la Base. As el transistor
disminuir su resistencia entre Colector y Emisor por
lo que pasar una intensidad muy grande, haciendo
que se encienda la lmpara.

De tales criterios se establece:

IE > IC > IB ; IE = IB + IC
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Tipos de Conexin
Multivibrador
Es un circuito oscilador capaz de
generar una onda cuadrada. Segn su
funcionamiento, los multivibradores se
pueden dividir en dos clases:
1. De funcionamiento continuo,
de oscilacin libre: genera ondas a partir de
la propia fuente de alimentacin.
2. De funcionamiento impulsado:
a partir de una seal de disparo o impulso
sale de su estado de reposo.
En su forma ms simple son dos
simples transistores realimentados entre s.
Usando redes de resistencias y
condensadores en esa realimentacin se
pueden definir los periodos de inestabilidad.
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Tipos de Conexin
Flip-Flop (Biestable):
Es un multivibrador capaz de permanecer en un estado
determinado o en el contrario durante un tiempo indefinido. Esta
caracterstica es ampliamente utilizada en electrnica digital para memorizar
informacin. El paso de un estado a otro se realiza variando sus entradas.
Dependiendo del tipo de dichas entradas los biestables se dividen en:
1. Asncronos: slo tienen entradas de control.
2. Sncronos: adems de las entradas de control posee una entrada
de sincronismo o de reloj. Si las entradas de control dependen de la de
sincronismo se denominan sncronas y en caso contrario asncronas. Por lo
general, las entradas de control asncronas prevalecen sobre las sncronas.

D CLK Qi+1
0 0
1 1
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Modos de Trabajo
Existen cuatro condiciones de polarizacin posibles.
Dependiendo del sentido o signo de los voltajes de polarizacin en cada
una de las uniones del transistor pueden ser :

Regin activa directa: Corresponde a una polarizacin directa

de la unin emisor - base y a una polarizacin inversa de la unin
colector - base. Esta es la regin de operacin normal del
transistor para amplificacin.

Regin activa inversa: Corresponde a una polarizacin

inversa de la unin emisor - base y a una polarizacin directa
de la unin colector - base. Esta regin es usada raramente.

Ver Grfico en la siguiente pgina

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Modos de Trabajo

Regin de corte: Corresponde a

una polarizacin inversa de ambas
uniones. La operacin en sta regin
corresponde a aplicaciones de
conmutacin en el modo apagado,
pues el transistor acta como un
interruptor abierto (IC 0).

Regin de saturacin: Corresponde a

una polarizacin directa de ambas
uniones. La operacin en esta regin
corresponde a aplicaciones de
conmutacin en el modo encendido,
pues el transistor acta como un
interruptor cerrado (VCE 0).
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Transistores Bipolares (BJT: NPN-PNP)

Transistores de Efecto de Campo ( JFET,

MESFET, MOSFET )

Transistores HEMT y HBT

Fototransistores
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Transistores Bipolares
BJT de transistor bipolar de unin (del ingles, Bipolar Juncin Transistor).

Son aquellos que utilizan la corriente como elemento de

control para obtener la seal y su comportamiento como dispositivo
conmutador.

Estos solo funcionan cuando estn en polarizacin directa (se

dice que estn en saturacin) y en polarizacin inversa no funcionan (se
dice que estn en corte). A base de estos se construyen los circuitos
integrados y otros tipos de transistores.

El trmino bipolar refleja el hecho de que los huecos y los

electrones participan en el proceso de inyeccin hacia el material
polarizado de forma opuesta.
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Transistores Bipolares
Pueden ser de dos tipos:
NPN PNP

La zona N con elementos donantes de electrones (cargas negativas) y

la zona P de aceptadores o "huecos" (cargas positivas).

La configuracin de uniones PN, dan como resultado transistores

PNP o NPN, donde la letra intermedia siempre corresponde a la caracterstica
de la base, y las otras dos al emisor y al colector que, si bien son del mismo tipo
y de signo contrario a la base, tienen diferente contaminacin entre ellas.

Su diferencia radica en la direccin del flujo de la corriente,

indicada por la flecha que se ve en ambos grficos
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Transistores Bipolares

En principio es similar a dos diodos

Un transistor es similar
a dos diodos, el transistor tiene
dos uniones: una entre el emisor y
la base y la otra entre la base y el
colector. El emisor y la base
forman uno de los diodos,
mientras que el colector y la base
forman el otro. Estos diodos son
denominados: "Diodo de emisor"
(el de la izquierda en este caso) y
"Diodo de colector" (el de la
derecha en este caso).
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Transistores de Efecto de Campo

FET Transistor Efecto De Campo (del ingls, Field Effect Transistor)

Es en realidad una familia de transistores que se basan en el

campo elctrico para controlar la conductividad de un "canal" en un
material semiconductor

Tienen tres terminales, denominadas puerta (gate), drenador

(drain) y fuente (source). La puerta es el terminal equivalente a la base del
BJT. El transistor de efecto de campo se comporta como un interruptor
controlado por tensin, donde el voltaje aplicado a la puerta permite
hacer que fluya o no corriente entre drenador y fuente.
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Transistores de Efecto de Campo

Los transistores de efecto de campo o FET ms conocidos son

los JFET, MOSFET y MESFET

JFET ( del ingls, Junction Field Effect Transistor):

Tambin llamado transistor unipolar, fue el primer transistor de
efecto de campo en la prctica. Lo forma una barra de material
semiconductor de silicio de tipo N o P. En los terminales de la barra se
establece un contacto hmico, tenemos as un transistor de efecto de
campo tipo N de la forma ms bsica.

G=Puerta(Gate),
D=Drenador(Drain)
y S=Fuente(Source).
Canal P Canal N
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Transistores de Efecto de Campo

JFET

Cuando aumentamos la tensin en el diodo puerta-surtidor,

las zonas de deplexin se hacen ms grandes, lo cual hace que la
corriente que va de surtidor a drenador tenga ms dificultades para
atravesar el canal que se crea entre las zonas de deplexin, cuanto mayor
es la tensin inversa en el diodo puerta-surtidor, menor es la corriente
entre surtidor y drenador.

Por esto, el JFET es un dispositivo controlado por tensin y

no por corriente. Casi todos los electrones que pasan a travs del canal
creado entre las zonas de deflexin van al drenador, por lo que la
corriente de drenador es igual a la corriente de surtidor
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Transistores de Efecto de Campo

MOSFET (del ingls, Metal-Oxide-Semiconductor FET):

Basado en la estructura MOS. (Metal-Oxide-Semiconductor) la

cual consiste en un condensador, una de cuyas armaduras es metlica y
llamaremos "puerta"; el dielctrico se forma con un xido del
semiconductor del sustrato, y la otra armadura es un semiconductor, que
llamaremos sustrato. El funcionamiento del transistor de efecto de campo
es distinto al del BJT. En los MOSFET, la puerta no absorbe corriente en
absoluto, frente a los BJT, donde la corriente que atraviesa la base, pese a
ser pequea en comparacin con la que circula por las otras terminales,
no siempre puede ser despreciada. Los MOSFET, adems, presentan un
comportamiento capacitivo muy acusado que hay que tener en cuenta
para el anlisis y diseo de circuitos.
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Transistores de Efecto de Campo

MOSFET

Se encuentran dos tipos de MOSFET:

1. MOSFET de Empobrecimiento:

1.1 Canal N
Se diferencia del FET
canal n en que el terminal de
puerta, G, est aislado del canal de
conduccin por una capa de xido
de silicio SiO2. y existe un sustrato
de semiconductor tipo p cuyo
terminal habitualmente se conectar
externamente al terminal de
surtidor.
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Transistores de Efecto de Campo

MOSFET

1.2 Canal P
Posee la misma concepcin del MOSFET de empobrecimiento
canal n. En el smbolo del MOSFET de empobrecimiento canal p la
flecha cambia de sentido.
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Transistores de Efecto de Campo

MOSFET
2. MOSFET de Enriquecimiento

Difiere del MOSFET de

empobrecimiento en que no tiene la capa delgada
de material n sino que requiere de una tensin
positiva entre la compuerta y la fuente para
establecer un canal. Este canal se forma por la
accin de una tensin positiva compuerta a fuente,
VGS, que atrae electrones de la regin de sustrato
ubicada entre el drenaje y la compuerta
contaminados de tipo n. Una VGS positiva provoca
que los electrones se acumulen en la superficie
inferior de la capa de oxido. Cuando la tensin
alcanza el valor de umbral, VT, han sido atrados a
esta regin los electrones suficientes para que se
comporte como canal n conductor. No habr una
corriente apreciable ID hasta que VGS excede VT.
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Transistores de Efecto de Campo

MOSFET

2.1 MOSFET de Enriquecimiento Canal N

2.2 MOSFET de Enriquecimiento Canal P

 TRANSISTORES

Transistores de Efecto de Campo

MESFET (del ingls, Metal Effect Semiconductor FET

Consiste en un canal conductor

situada entre una fuente y desage en contacto
con la regin, como se muestra en la siguiente
figura. El portador de flujo desde la fuente a la
fuga est controlada por una puerta de metal
Schottky. El control de la canal se obtiene por
la variacin de la anchura de agotamiento de la
capa de metal debajo de los contactos que
modula el espesor de la canal y, por ende, la
realizacin de la actual.

Su ventaja clave es la mayor movilidad de los portadores en el

canal y su desventaja es la presencia de la puerta de metal Schottky que limita
con inters la tensin de polarizacin en la puerta.
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Transistores HBT y HEMT

Las siglas HBT y HEMT pertenecen a las palabras

Heterojuction Bipolar Transistor (Bipolar de Hetereoestructura) y Hight
Electrn Mobility Transistor (De Alta Movilidad). Son dispositivos de 3
terminales formados por la combinacin de diferentes componentes, con
distinto salto de banda prohibida.

1. HEMT
Un HEMT es un transistor con un cruce entre dos materiales
con diferentes lagunas de banda (es decir, una heterounin) como el
canal en lugar de una n-dopada regin. Una combinacin es de uso
comn con GaAs AlGaAs.
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Transistores HBT y HEMT

El efecto de este cruce es el de crear una capa muy delgada de

la realizacin de los electrones con bastante elevada concentracin, dando
el canal de resistividad muy baja (o dicho de otro modo, "de electrones de
alta movilidad"). Esta capa es conocido como bidimensional de electrones
del gas. Al igual que con todos los otros tipos de FETs, un voltaje
aplicado a la puerta altera la conductividad de esta capa.

G=Puerta(Gate),
D=Drenador(Drain)
y S=Fuente(Source).
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2. HBT
El transistor bipolar de
heterounin (HBT) es una mejora de
la salida del transistor bipolar (BJT),
que puede manejar las seales de
frecuencias muy altas de hasta varios
cientos de GHz. Es comn en los
circuitos modernos ultrarpida, en su
mayora de radio (RF) de los sistemas.

La principal diferencia entre el BJT y HBT es el uso de

diferentes materiales semiconductores para el emisor y la base de las
regiones, la creacin de una heterounin. El efecto es limitar la
inyeccin de agujeros en la base de regin, ya que el posible
obstculo en la banda de valencia es tan grande.
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Fototransistores
Es, en esencia, lo mismo que un transistor normal, solo que
puede trabajar de 2 maneras diferentes:

Como un transistor normal con la

corriente de base (IB) (modo comn)

Como fototransistor, cuando la luz Smbolo

que incide en este elemento hace las
veces de corriente de base. (IP) (modo
de iluminacin).

Nota: es la ganancia de corriente del fototransistor.

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Fototransistores
Si se desea aumentar la sensibilidad
del transistor, debido a la baja iluminacin, se
puede incrementar la corriente de base (IB ),
con ayuda de polarizacin externa.

El circuito equivalente de un
fototransistor, es un transistor comn con un
fotodiodo conectado entre la base y el colector,
con el ctodo del fotodiodo conectado al
colector del transistor y el nodo a la base.

En el grfico se puede ver el circuito

equivalente de un fototransistor. Se observa que
est compuesto por un fotodiodo y un transistor. La
corriente que entrega el fotodiodo (circula hacia la
base del transistor) se amplifica veces, y es la
corriente que puede entregar el fototransistor.
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Glosario
Aislante elctrico: material con escasa conductividad elctrica.
nodo: Electrodo positivo.
Amplificador: un amplificador es un dispositivo que, mediante la utilizacin de
energa externa, magnifica la amplitud o intensidad de un fenmeno fsico.
Ctodo: Electrodo negativo del que parten los electrones.
Condensador elctrico: es un conjunto de dos conductores, separados por un medio
dielctrico, que sirve para almacenar cargas elctricas.
Conductividad elctrica: es la capacidad de un cuerpo de permitir el paso de la
corriente elctrica a travs de s. Tambin es definida como la propiedad natural
caracterstica de cada cuerpo que representa la facilidad con la que los electrones
pueden pasar por l.
Conductor elctrico: es aquel cuerpo que puesto en contacto con un cuerpo cargado
de electricidad transmite sta a todos los puntos de su superficie. Generalmente
elementos, aleaciones o compuestos con electrones libres que permiten el
movimiento de cargas.
Conmutador: de circuitos es un elemento que establece una asociacin entre una
entrada y una salida que perdura en el tiempo
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Glosario
Corriente alterna: (abreviada CA en espaol y AC en ingls) a la corriente
elctrica en la que la magnitud y direccin varan cclicamente.
Corriente continua: (CC en espaol, en ingls DC, de Direct Current) es el flujo
continuo de electrones a travs de un conductor entre dos puntos de distinto
potencial.
Deplexin: zona de la unin de los semiconductores tipo p y tipo n. Debido a
difusin, los electrones libres y los huecos se recombinan en la unin. As se crean los
pares de iones con cargas opuestas a ambos lados de la unin. Esta zona carece de
electrones libres y huecos.
Dielctricos: materiales que no conducen la electricidad, por lo que pueden ser
utilizados como aislantes.
Diodo: es un dispositivo que permite el paso de la corriente elctrica en una nica
direccin.
Drenador: se conoce a una conexin de los componentes electrnicos.
Dispositivo: se utiliza como sinnimo de aparato.
Electrodo: Extremo de un cuerpo conductor en contacto con un medio del que
recibe o al que transmite una corriente elctrica.
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Glosario
Electroimn: es un tipo de imn en el que el campo magntico se produce mediante el
flujo de una corriente elctrica, desapareciendo en cuanto cesa dicha corriente.
Electrnica: Campo de la ingeniera y de la fsica aplicada relativo al diseo y
aplicacin de dispositivos, por lo general circuitos electrnicos, cuyo funcionamiento
depende del flujo de electrones para la generacin, transmisin, recepcin y
almacenamiento de informacin. Esta informacin puede consistir en voz o msica
(seales de voz) en un receptor de radio, en una imagen en una pantalla de televisin,
o en nmeros u otros datos en un ordenador o computadora.
Fotodiodo: es un semiconductor construido con una unin PN, sensible a la
incidencia de la luz visible o infrarroja. Para que su funcionamiento sea correcto se
polariza inversamente, con lo que se producir una cierta circulacin de corriente
cuando sea excitado por la luz.
Frecuencia: es una medida para indicar el nmero de repeticiones de cualquier
fenmeno o suceso peridico en una unidad de tiempo.
Fuentes de energa: son elaboraciones naturales ms o menos complejas de las que el
hombre puede extraer energa para realizar un determinado trabajo u obtener alguna
utilidad.
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Glosario
Galvanmetros: son aparatos que se emplean para indicar el paso de corriente
elctrica por un circuito y para la medida precisa de su intensidad.
Interruptor: es un dispositivo para cambiar el curso de un circuito.
Lmpara incandescente: llamada tambin lamparita, bombilla, bombillo, bombita de
luz, ampolleta o foco, es un dispositivo que produce luz mediante el calentamiento
por efecto Joule de un filamento metlico, hasta ponerlo al rojo blanco, mediante el
paso de corriente elctrica. En la actualidad, tcnicamente son muy ineficientes ya
que el 90% de la electricidad que utilizan la transforman en calor.
El invento de la lmpara es atribuido habitualmente a Thomas Alva Edison, quien
contribuy a su desarrollo produciendo, el 21 de octubre de 1879, una bombilla
prctica y viable, que luci durante 48 horas ininterrumpidas.
Oscilador: es un sistema capaz de crear perturbaciones o cambios peridicos o
cuasiperidicos en un medio, ya sea un medio material (sonido) o un campo
electromagntico (ondas de radio, microondas, infrarrojo, luz visible, rayos X, rayos
gamma, rayos csmicos).
Polarizacin: es el proceso por el cual en un conjunto originariamente indiferenciado
se establecen caractersticas o rasgos distintivos que determinan la aparicin en l de
dos o ms zonas mutuamente excluyentes, llamadas polos.
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Glosario
Radiofrecuencia: tambin denominado espectro de radiofrecuencia o RF, se aplica a
la porcin menos energtica del espectro electromagntico, situada entre unos 3 Hz y
unos 300 MHz. Las ondas electromagnticas de esta regin del espectro se pueden
generar aplicando corriente alterna a una antena.
Rectificador: es el elemento o circuito que permite convertir la corriente alterna
en corriente continua.
Rel: es un dispositivo electromecnico, que funciona como un interruptor controlado
por un circuito elctrico en el que, por medio de un electroimn, se acciona un juego
de uno o varios contactos que permiten abrir o cerrar otros circuitos elctricos
independientes
Semiconductor: es una sustancia que se comporta como conductor o como aislante
dependiendo de la temperatura del ambiente en el que se encuentre
un amplificador es un dispositivo que, mediante la utilizacin de energa externa,
magnifica la amplitud o intensidad de un fenmeno fsico.
Tensin elctrica: diferencia de potencial o voltaje, es una magnitud fsica que
impulsa a los electrones a lo largo de un conductor en un circuito cerrado. La tensin
entre dos puntos de un campo elctrico es igual al trabajo que realiza dicha unidad de
carga positiva para transportarla desde dos puntos.
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Glosario
Unipolar: que tiene un solo polo

Vlvula: artefacto o mecanismo que permite que algo circule en un solo sentido, pues
impide el retroceso del fluido que circula por un conducto. La misma funcin
desarrolla la vlvula termoinica, ya que permite que, en su interior, el flujo de
electrones circule solamente en un sentido.
Walter Schottky: El nombre de este cientfico alemn se encaja en la fsica de estado
slido (efecto de Schottky, barrera de Schottky, contacto de Schottky, diodo de
Schottky). Llevado en 1878, l era un contemporneo de Einstein y del mximo
Planck. El suyo trabaja receptores estupendos incluidos del heterodino, teora del
ruido, y el trabajo de radio del tubo tal como invencin del tetrodo, pero su
contribucin ms importante a las microondas no es ninguna duda su investigacin
del metal-semiconductor que rectifica las ensambladuras (publicadas en 1938), que es
la base para el contacto de la puerta de todo el MESFETs.
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Galera
Imgenes

Representacin de circuitos
mediante transistores
 TRANSISTORES

Circuitos con Transistores

TRANSISTORES

Transistor
 TRANSISTORES

Diversos transistores
 TRANSISTORES

Realizacin de prcticas de laboratorio en programa ELECTRO

 TRANSISTORES

Laboratorio de Fsica
 TRANSISTORES

Se desea utilizar una salida de un sistema digital para gobernar

un rel. Se ha dispuesto para ello del circuito de adaptacin que se
muestra en la figura. Determinar los valores de R1 y R2 que aseguran que
ambos transistores trabajan siempre en corte o saturacin sabiendo que
Q1 y Q2 presentan una tensin de codo base-emisor de 0,6V y que la
salida digital puede tomar cualquier tensin entre 0 y 0,4V para el 0
lgico y entre 3,8 y 5V para el 1 lgico.
 TRANSISTORES

Con nivel lgico alto ambos

transistores debern estar en
saturacin. Con nivel bajo ambos
estarn en corte.

Funcionamiento a nivel bajo:

Observando el transistor Q1
vemos que la tensin de entrada
es insuficiente para hacerlo
conducir.

Con el transistor Q1 en corte, Q2 no tiene corriente de base

por lo que tambin se encuentra en corte.
 TRANSISTORES

Funcionamiento a nivel alto:

Para que Q2 est saturado se debe
cumplir:

IC < .IB

IB= 15 UBE
R2

R2 < 2. 15 UBE
IC2

Tomamos R2= 27 k
 TRANSISTORES

Para conseguir que el transistor Q1 se encuentre tambin en saturacin:

La situacin ms desfavorable se
tiene para la tensin de entrada de 3.8 V IC < .IB

IB2= 15 0.6 = 533 A

27.103

R1 < 1. 3.8 0.6 = 600 k

IB2

Tomamos R1= 560 k

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Referencias
http://www.ifent.org/lecciones/fet/default.htm

http://www.gmelectronica.com.ar/catalogo/pag113.html

http://www.slideshare.net/lazacer/transistores-157121/

http://www.fi.uba.ar/materias/7206/Semic.pdf

http://www.alegsa.com.ar/Dic/transistor.php

http://www.wikilearning.com/el_transistor_bipolar_bjt-wkccp-622-1.htm

http://www.monografias.com/trabajos22/preparador-electronica/preparador-

electronica.shtml#transitor

http://html.rincondelvago.com/transistor.html

http://www.solomantenimiento.com/m_transistores.htm

http://electronica.ugr.es/~amroldan/asignaturas/curso03-

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 TRANSISTORES

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http://es.wikipedia.org/wiki/Multivibrador

http://es.wikipedia.org/wiki/Biestable

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http://es.wikipedia.org/wiki/Transistor_de_efecto_campo

http://es.wikipedia.org/wiki/Transistor
 TRANSISTORES

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http://images.google.co.ve/imgres?imgurl=http://www.upv.es/satelite/trabajos/Grupo2_99.00/hem

t.jpg&imgrefurl=http://www.upv.es/satelite/trabajos/Grupo2_99.00/lnamp.html&h=254&w=264&sz

=28&hl=es&start=8&tbnid=OMcgoEA2BC9dfM:&tbnh=108&tbnw=112&prev=/images%3Fq%3D

HEMT%26gbv%3D2%26svnum%3D10%26hl%3Des

http://es.wikipedia.org/wiki/Transistores_HEMT

http://64.233.169.104/search?q=cache:JwWCmWt6asYJ:camara123.com/%3Fu%3D/wiki/HEM

T+Transistores+HEMT&hl=es&ct=clnk&cd=43&gl=ve
Autor (as):
Garca Rosales, Johana.
Snchez Contreras, Darcy.
Uzctegui Sayago, Florngel.

Tutor:
Ing. Pablo Labrador.