EPM Cap 2 Parte 2 Completa

ESTRUCTURAS CUBICAS
(c) 2003 Brooks/Cole Publishing / Thomson Learning
Formacin de la estructura FCC por apilamiento de

planos atmicos con secuencia ABCABCABC de planos
de empaquetamiento compacto
ESTRUCTURA HEXAGONAL COMPACTA HCP
sin 120
(c) 2003 Brooks/Cole Publishing / Thomson

Learning
HCP
Formacion de la
estructura HCP por
apilamiento de planos
atomicos con secuencia
ABABAB de planos de
empaquetamiento
compacto

Learning
PROPIEDADES DE LA ESTRUCTURA
CRISTALINA DE ALGUNOS METALES
Puntos/Posiciones, Direcciones y Planos
en la celda unitaria
PUNTOS EN LA CELDA UNITARIA
DIRECCIONES EN LA CELDA
UNITARIA
Los ndices de Miller de las direcciones son la notacin

abreviada para describir esas direcciones. El procedimiento
para determinarlos es el siguiente:
Determinar las coordenadas de dos puntos que estn en la
direccin.
Restar las coordenadas del punto cola de las coordenadas
de las del punto cabeza.
Reducir a mnimos enteros.
Encerrar los nmeros entre corchetes [u v w]. Si se produce
un signo negativo, se representa con una barra o raya sobre el
nmero.
Determinar los ndices de Miller para las siguientes
direcciones:

Learning
SOLUCIN
Direccin A:
1. Dos puntos son 1,0,0 y 0,0,0.
2. 1,0,0 0,0,0 = 1,0,0.
3. No hay que reducir a mnimos enteros.
4. [100]
Direccin B:
1. Dos puntos son 1,1,1 y 0,0,0.
2. 1,1,1 0,0,0 = 1,1,1.
3. No hay que reducir a mnimos enteros.
4. [111]
SOLUCIN
Direccin C:
Dos puntos son 0,0,1 y , 1,0.
0,0,1 ,1,1 = -,-1,1.
2(-,-1,1) = -1,-2,2.
[1 2 2]
CARACTERSTICAS DE LOS NDICES DE
MILLER PARA DIRECCIONES
Una direccin de indices [uvw] y de indices opuestos no son

idnticas; [100] no es igual que [100]; representan la misma
lnea, pero en direcciones opuestas.
Una direccin [uvw] y de indices mltiplos son idnticas;

[100] es igual que [200].
Ciertos grupos de direcciones son cristalograficamente

equivalentes (por ejemplo, el espacio atomico en cada direccion
es el mismo); tienen ndices particulares solamente por la
forma en que se han definido las coordenadas o la base
inicialmente. Existe normalmente una relacion de simetra entre
los indices de direcciones dentro de la misma familia.
Por ejemplo, en un sistema cbico, una direccin [100] es una

direccin [010] si redefinimos el sistema de coordenadas.
Los grupos de direcciones equivalentes se pueden indicar o
presentar como una familia. Se usan los parntesis
<u v w> para indicar este conjunto de direcciones.
DISTANCIA DE REPETICION (DR), DENSIDAD LINEAL (DL)
y FRACCION DE EMPAQUETAMIENTO (FE) EN UNA
DIRECCION
Determining the
repeat distance,
linear density, and
packing fraction for
[110] direction in
FCC copper.

DL[uvw]= 1/DR[uvw]
FE[uvw]= 2R x DL[uvw]
PLANOS CRISTALINOS
Que se necesita para definir un plano?

PLANOS CRISTALINOS
Es un plano en el sentido matemtico que contiene

a lo menos tres puntos no colineales de una red.
Permiten caracterizar la deformacin de los metales
Determinan el crecimiento de ciertos materiales

(habito de un cristal) y mucho mas.
INDICES DE MILLER DE PLANOS
Identificar los puntos en donde el plano cruza los ejes x, y y z en

funcin de los parmetros de red. Si el plano pasa por el origen,
hay que mover el origen del sistema de coordenadas.
Sacar los recprocos (inversos) de las intersecciones
Simplificar fracciones multiplicando por el mas pequeo

denominador en comn, SIN reducir a enteros mnimos.
Encerrar entre ( ) los nmeros que resulten. Los nmeros

negativos se deben escribir con una raya sobre ellos
EJEMPLOS
P corta x en , y en 1 y z en 1.
P corta x en , y en y z en .
P corta x en 2, y en 1 y z en 1.
P corta x en 2, y en 3 y z en 1.
P corta x en 1, no corta y () y z en 1.
Determinacin de Indices de Miller de Planos

SOLUCION
Plano A
1. x = 1, y = 1, z = 1
2. 1/x = 1, 1/y = 1,1 /z = 1
3. No hay fracciones para eliminar
4. (111)
Plano B
1. El plano no intercepta el eje z x = 1, y = 2, and z =

2. 1/x = 1, 1/y =1/2, 1/z = 0
3. Eliminando fracciones:
1/x = 2, 1/y = 1, 1/z = 0
4. (210)
Plano C
1. Se debe cambiar el origen, puesto que el plano pasa por 0, 0, 0. Entonces,
se mueve un parmetro de red en direccin y, x = , y = -1, and z =
2. 1/x = 0, 1/y = -1, 1/z = 0
3. No hay fracciones para eliminar.
4. (0 1 0)
CARACTERISTICAS DE LOS PLANOS
Los planos de ndices (hkl) y (-h-k-l) son idnticos
(caso contrario con las direcciones). Por lo tanto
(010) (0 1 0)
Los planos de ndices (hkl) y (nh nk nl) no son
idnticos (caso contrario con las direcciones)(cf
densidad planar)
En cada celda unitaria, los planos de una forma

(o familia) representan grupos de planos equivalentes
por simetra y tienen muy seguido una relacin
particular entre sus ndices; una familia se nota {h k l}
Importancia de no reducir a mnimos enteros

NOTACIONES SOBRE LOS PLANOS
En los sistemas cbicos, una direccin que tiene los

mismos ndices que un plano es perpendicular al
plano
INDICES DE MILLER SIMETRA CBICA
Usando la notacin [uvw] y (hkl), la

permutacin circular de los tres ndices
identifica otros miembros (no todos) de
la misma familia de direcciones y planos
equivalentes por simetra.
A USTEDES DE JUGAR !
SOLUCIN
SOLUCIN
Densidad planar = numero de tomos (centros) por
unidad de superficie
Fraccin de empaquetamiento=fraccin de rea
cubierta por dichos tomos
Calculate the planar density and planar packing fraction for the
(010) and (020) planes in simple cubic polonium, which has a
lattice parameter of 0.334 nm.
The planar densities of

the (010) and (020)
planes in SC unit cells
are not identical.
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atomos por plano atomos por cara 1 atomo por cara
Densidad planar (010)
area del plano area de la cara (0.334) 2
8.96 atomos/nm 2 8.96 1014 atomos/cm 2
area de atomos por cara (1 atomo) (r 2 )

Fraccin de Emp. (010)
area por cara (a 0) 2
r 2
2
0.79
( 2r )
Como en la cara (020) no hay tomos, su densidad

planar y su factor de empaquetamiento es cero; de
esta forma queda demostrado que un plano y su
mltiplo no son iguales.
ESTRUCTURAS CUBICAS
FE en planos {100} de las 3 estructuras?
FE en planos {110} de las 3 estructuras?

EJERCICIO
- Calcular la fraccin de empaquetamiento en los

planos de familia {111} para una estructura FCC.
- Calcular la fraccin de empaquetamiento en los
planos de familia {002} para una estructura HCP.
CONSTRUCCIN DE PLANOS Y DIRECCIONES
(a) direccin [1 2 1] (b) el plano (210) en una celda cbica

Example 3.10 SOLUTION
a. Because we know that we will need to move in the negative y-
direction, lets locate the origin at 0, +1, 0. The tail of the
direction will be located at this new origin. A second point on the
direction can be determined by moving +1 in the x-direction, 2 in
the y-direction, and +1 in the z direction [Figure 3.24(a)].
b. To draw in the[ 2 10]plane, first take reciprocals of the indices
to obtain the intercepts, that is:
x = 1/-2 = -1/2 y = 1/1 = 1 z = 1/0 =
Since the x-intercept is in a negative direction, and we wish to
draw the plane within the unit cell, lets move the origin +1 in the
x-direction to 1, 0, 0. Then we can locate the x-intercept at 1/2
and the y-intercept at +1. The plane will be parallel to the z-axis
[Figure 3.24(b)].
PLANOS Y DIRECCIONES COMPACTOS
Formacin de la estructura FCC por apilamiento de

planos atmicos con secuencia ABCABCABC de planos
de empaquetamiento compacto
PLANOS Y DIRECCIONES COMPACTOS

Learning
HCP
Formacin de la
estructura HCP por
apilamiento de planos
atmicos con secuencia
ABABAB de planos de
empaquetamiento
compacto

Learning
NDICES DE MILLER PARA CELDAS UNITARIAS HEXAGONALES
a1, a2 y a3 (y opuestas) son equivalentes por simetra pero

no se puede nombrar sencillamente la familia correspondiente
a las 6 direcciones
Debido a la simetra exclusiva del sistema hexagonal se ha

desarrollado un conjunto especial de ndices Miller Bravais
para las celdas unitarias hexagonales, usando cuatro ejes de
coordenadas en lugar de tres: [u v t w] y (h k i l)
El plan perpendicular al eje c de la celda es invariable en una

rotacin de 120; las celdas (a,b,c); (b,-(a+b),c) y
(-(a+b),a,c) son equivalentes. En particular, los espaciamientos
entre planos son idnticos. Por eso, la introduccin de un ndice
adicional pero con las restricciones siguientes:
i=-(h+k) y t=-(u+v)
RELACIONES ENTRE SISTEMAS PARA DIRECCIONES (SOLAMENTE)
Se pueden relacionar entre 1

los dos sistemas de tres y
u (2u'v' )
3
cuatro coordenadas, mediante
1
las siguientes formulas, v (2v'u' )
donde u,v,w hacen
3
1
referencia a un sistema de t (u' v' )
tres coordenadas y u,v,t,w a 3
uno de cuatro: w w'
RECETA PARA OBTENER LOS NDICES DE
MILLER-BRAVAIS DE DIRECCIONES
Obtener los ndices de Bravais de la direccin

utilizando la base clsica (a1, a2, c) y pasar al
sistema de 4 ndices con las formulas (reducir
eventualmente a enteros mnimos).
Ej: determinar los ndices de MB para las

direcciones [100], [010] y [110]
RECETAS PARA OBTENER LOS NDICES DE
MILLER-BRAVAIS DE PLANOS
En el sistema de 4 ndices, los 3 ndices h, k y l
son los mismos. El ndice i se deduce de la
formula i=-(h+k).
Receta(s):
Obtener los ndices de Bravais del plano buscando
su interseccin con la base clsica (a1, a2, c).
Aplicar la formula i=-(h+k) para pasar a 4 ndices.
Se puede tambin buscar la interseccin del plano
directamente con la base (a1, a2, a3, c).
INTERES DE LA NOTACIN DE MB
Usando la notacin [uvtw] y (hkil), la

permutacin circular de los tres primeros
ndices identifica familias de planos
estrictamente equivalentes por simetra.
Learning
SOLUCIN
Plane A
1. a1 = a2 = a3 = , c = 1
2. 1/a1 = 1/a2 = 1/a3 = 0, 1/c = 1
3. No hay fracciones que simplificar
4. (0001)
Plane B
1. a1 = 1, a2 = 1, a3 = -1/2, c = 1
2. 1/a1 = 1, 1/a2 = 1, 1/a3 = -2, 1/c = 1
3. No hay fracciones que simplificar
4. (1121)
Direccin C
1. Los dos puntos son 0, 0, 1 and 1, 0, 0.
2. 0, 0, 1, - 1, 0, 0 = -1, 0, 1
3. No hay fracciones que eliminar ni enteros que reducir
4. [101] _ _[ 2113]
SOLUCIN
Direccin D
1. Los dos puntos son 0, 1, 0 and 1, 0, 0.
2. 0, 1, 0, -1, 0, 0 = -1, 1, 0
3. No hay fracciones que eliminar ni enteros que reducir
4. [110] _ _[1100]
ALGUNOS EJEMPLOS
QUE SON EN REALIDAD?
CASO DE LOS PLANOS DE INDICES (010)?
Pr. J.A. (c)Henao, UIS

2003 Brooks/Cole Publishing / Thomson Le






PLANOS (111)

PLANOS CRISTALINOS OTRA DEFINICIN
ndices de los planos
Los planos cristalogrficos son definidos como una serie de planos que
intersecan puntos reticulares.
Todos los planos en una serie de mismos ndices son:
(1) paralelos entre s
(2) igualmente espaciados
La distancia entre planos vecinos es llamada distancia interplanar o
espaciado dhkl.
La serie de planos cristalogrficos es descrita usando tres ndices
enteros h, k y l, los cuales son llamados ndices cristalogrficos o ndices
de Miller, (hkl).
Pr. J.A. Henao, UIS

Los ndices de Miller indican que los planos que pertenecen a una
serie (hkl) dividen los vectores (ejes de la celda unidad) a, b y c en h, k
y l partes iguales, respectivamente.
Cuando los planos son paralelos a los ejes cristalogrficos, el
correspondiente ndice de Miller es cero.
Pr. J.A. Henao, UIS

Distancia interplanar
Pr. J.A. Henao, UIS

Pr. J.A. Henao, UIS
Pr. J.A. Henao, UIS
DISTANCIA INTERPLANAR ENTRE PLANOS A,B Y C

DISTANCIA INTERPLANAR
Ortorrmbico
TITANIO ALTA Y BAJA TEMPERATURA
Calcular d100 y d111 para la forma alta

temperatura (BCC) de Ti (R=0,147 nm).
Calcular d003 y d110 para la forma baja

temperatura (HCP) de Ti (mismo R).
TECNICAS DE DIFRACCIN DE
RAYOS X, NEUTRONES O
ELECTRONES
ERA UNA DOMINGO EN LA TARDE,
DESPUES DE LA SIESTA (TIPO 5PM)
DIFRACCIN DE RX, NEUTRONES O
ELECTRONES
YOUNG
Red infinita de rendijas verticales
Que pasa si d aumenta?

www. fisicanet.com.ar
La difraccin ocurre cuando una onda plana encuentra una serie de
objetos a intervalos regulares que (1) son capaces de dispersar la
onda (difusin elstica de Rayleigh, l>>e) y (2) estn separados por
distancias (d) comparables en magnitud a la longitud de onda.
La difraccin es una consecuencia de las relaciones de fases
especificas que se establecen entre dos o mas ondas dispersadas
por los obstculos (Callister, p.66)
Interferencias constructivas y destructivas
DIFRACCIN POR UNA REJILLA
Los ngulos con los cuales el haz incidente esta desviado (difractado)
son caractersticos de las periodicidad de la rejilla (parmetros a y b) y
tambin de la longitud de onda l.
DIFRACCIN POR UN CRISTAL
En un cristal, son los tomos (sus electrones) que

dispersan los haces de RX como fuentes secundarias
puntuales. La caracterstica del cristal es que esos tomos
estn peridicamente espaciados (rejilla tridimensional
correspondiente a una infinidad de planos cristalinos (hkl)
de distancias interplanares dhkl)
DIFRACCIN POR UN CRISTAL
Cada serie de planos (hkl)

produce un fenmeno de
difraccin en una direccin
particular, la cual depende
de la longitud de onda y de
la distancia interplanar dhkl.
Cuales son estas direcciones con respecto al haz incidente?

Condicin de Difraccin
Se puede demostrar que:
Las nicas direcciones que dan
interferencias constructivas corresponden
a condiciones de reflexin especular sobre
los planos (hkl) del cristal paralelos entre
s y separados por la distancia dhkl de
manera que cumplan la ley de Bragg.
2d hkl sen l
Ley de Bragg
Por este motivo, los puntos del patrn de

difraccin se denominan reflexiones
2d hkl sen l
Ley de Bragg
Por este motivo, los puntos del patrn de

difraccin se denominan reflexiones
DIFRACCIN DE RAYOS X
En un difractometro, el movimiento de un detector de RX mide

los ngulos 2 a los cuales el haz esta difractado, dando un
patrn de difraccin caracterstico.
2 d hkl sen l
XRD difractograma
(a) Esquema de un difractometro

de polvo mostrando la muestra
y los haces incidente y
difractado. (b) El patrn de
difraccin obtenido para una
muestra de polvo de oro.
LA POSICIN DE LOS HACES DIFRACTADOS
(ANGULOS 2Q) - LEY DE BRAGG
INDEXADO
(atribucin de hkl
a cada pico)
PARAMETROS DE RED
INDEXADO DE UN DIFRACTOGRAMA
2 dhkl sen=l
dhkl=f(a,b,c,a,b,g,h,k,l)
?
En regla general, esta tarea necesita de un
software especializado, menos en el caso
cbico (toca saberlo).
Cual es la secuencia (el orden) en 2 de los picos
para una celda cubica?
2 dhkl sen=l
XRD difractograma
(a) Esquema de un difractometro

de polvo mostrando la muestra
y los haces incidente y
difractado. (b) El patrn de
difraccin obtenido para una
muestra de polvo de oro.
?
XRD difractgrama
ESTRUCTURA
=
RED * MOTIVO
(parmetros de red) (tipo de tomos y posiciones)
La posicin de los picos La intensidad de los picos

2hkl Ihkl
XRD difractgrama
La posicin del pico: parmetros de red.
La intensidad: el contenido de la celda

(tomos y posiciones)
Existen casos (planos hkl) para los cuales

esta intensidad es igual a 0 por
interferencia destructiva, debido al tipo de
red.
EXTINCIONES SISTEMTICAS
Para una estructura de tipo de red de Bravais P: no hay
extincin.
Para una estructura de tipo de red de Bravais I (centrada en el
cuerpo como la BCC), la difraccin ocurre solamente sobre
planos con ndices de Miller que se suman para dar un numero
par.
(h+k+l) = par Reflexin presente.
(h+k+l) = impar Ausencia de reflexin.
Para una estructura de tipo de red de Bravais F (centrada en

las caras como la FCC), la difraccin ocurre solamente sobre
planos con ndices de Miller o todos pares o todos impares.
(h,k,l) de misma paridad Reflexin presente.
(h,k,l) de paridad distinta Ausencia de reflexin.
DRX - CONDICIONES DE REFLEXION
El caso cubico
Primitivo (SC): h2+k2+l2 = 1, 2, 3, 4, 5, 6, 8,
Centrado I (BCC): h2+k2+l2 = 2, 4, 6, 8, 10, (par)
Centrado F (FCC): h2+k2+l2 = 3, 4, 8, 11, 12, 16,

CASO CBICO
Sin i (h k l )i
2 2 2 2

Sin j (h k l ) j
2 2 2 2
RECETA PARA DISCRIMINAR ENTRE BCC Y FCC
For BCC crystals, the first two sets of diffracting planes are
{110} and {200} planes.
Therefore Sin21 (12 12 0 2 )

2 0 .5
Sin 2 (2 0 0 )
2 2 2
For FCC crystals the first two sets of diffracting planes are
{111} and {200} planes
Therefore
Sin21 (12 12 12 )
2 0.75
Sin 2 (2 0 0 )
2 2 2
RECETA PARA DISCRIMINAR ENTRE BCC Y FCC
Unknown
Metal
(BCC o FCC)
Crystallographic
Analysis
Sin21 Sin2 1
0.75 0 .5
Sin 2
2
Sin 2
2
FCC BCC
Crystal Crystal
Structure Structure
EJEMPLO CASO DE UN METAL CUBICO
PARA DISCRIMINAR ENTRE CS, BCC Y FCC
Unknown
Metal CS
(CS, BCC o FCC) Crystal
Structure
Crystallographic Sin2 7
Analysis 8
Sin 1
2
Sin21 Sin2 1
0.75 0 .5
Sin 2
2
Sin 2
2
Sin2 7
7
FCC Sin 1
2
Crystal BCC
Structure Crystal
Structure
De un cbico a un ortorrmbico, que cambia?
TITANIO ALTA Y BAJA TEMPERATURA
Calcular la posicin en 2theta de los picos de

difraccin de ndices (100) y (111) para la
forma alta temperatura (BCC) de Ti (R=0,147
nm).
Calcular la posicin en 2theta de los picos de

difraccin de ndices (003) y (110) para la
forma baja temperatura (HCP) de Ti (mismo R).
APLICACIN DE LA DRX
Identificar las fases (arreglos cristalinos) presentes en un
material
Se usa una base de datos con patrones de sustancias

conocidas. El anlisis puede ser cuali- como cuantitativo.
Si quedan picos sin indexar, es un material nuevo!!
Determinacin y Refinamiento de estructura incognita.
- DRX de polvo (policristal): parametros de red, posicin

de atomos pesados.
- DRX de monocristal: estructura completa.
Mas all de la DRX
DIFRACCION VS. DISPERSION
DIFRACCIN DE NEUTRONES
- El neutrn es neutro! No interacta con los electrones y su interaccin es mas

debil que los RX, entonces muy penetrante (todos los tomos de la muestra se
ven).
- La interaccin de un neutrn con los nucleones del ncleo depende del numero
de esos pero sin estar proporcional a A (numero de masa): se puede utilizar para
elementos ligeros poco visibles por RX (Li, H, )
- El neutrn tiene un espn que puede interactuar con los momentos
magnticos en el cristal. La tcnica permite estudiar el orden magntico en los
materiales.
DIFRACCIN DE ELECTRONES
Photograph of a transmission electron

microscope (TEM) used for analysis of the
microstructure of materials. (Courtesy of
JEOL USA, Inc.)
DIFRACCIN DE ELECTRONES
A TEM micrograph of an aluminum alloy (Al-7055) sample. The

diffraction pattern at the right shows large bright spots that
represent diffraction from the main aluminum matrix grains. The
smaller spots originate from the nano-scale crystals of another
compound that is present in the aluminum alloy. (Courtesy of Dr.
Jrg M.K. Wiezorek, University of Pittsburgh.)
Ejercicio Direccin y planos
1. Dibujar en una celda cbica uno de los planos (212) y (133).

2. Esos planos pertenecen a la misma familia? Porque?
3. Cual es la distancia interplanar de esos planos si se trata del Fe
BCC?
Ejercicio Determinacion del parametro de red
Se pudo determinar que el aluminio es un metal cbico. Se observa

un haz de RX difractado por los planos (311) del aluminio a un
ngulo 2=78.3 cuando los RX tienen una longitud de onda de
0.15418 nm. Calcular el parmetro de red del aluminio.
La figura muestra resultados de una experiencia de DRX de un metal
cbico. Si los rayos X tienen una longitud de onda de 1.5418.
determinar (a) la estructura cristalina del metal, (b) los ndices de los
planos que producen cada picos y (c) el parmetro de red del metal.
Transformacin estructural del hierro
El hierro experimenta una transformacin de Ferrita BCC a Austenita
FCC a 912C, sabiendo que las densidades de la ferrita y la Austenita
son respectivamente 7603,6 Kg/m3 y 7627,2 Kg/m3, el peso
atmico del hierro es 55,847 g/mol.
1. calcular el parmetro de red para ambas fases.
2. Si una nanoparticula de Ferrita de 50 nm de dimetro se

calienta de la temperatura ambiente hasta 1000C, cual es el
cambio porcentual de volumen cuando ocurre la transformacin
de fase? Se da una expansin o una contraccin durante el
cambio de fases, explique.
ESTAO Formas a y b
El estao blanco (forma b) tiene a temperatura

ambiente una estructura cristalina tetragonal.
Debajo de 13.2 C, se transforma en estao
gris (forma a) que tiene una estructura
cristalina cbica semejante al diamante.
Considerando los DRX a continuacin, deducir:
Los tipos de red del estao a y b.
Los parmetros de red de ambos materiales

ESTAO Forma a (l1.5406 )
ESTAO Forma b (l1.5406 )
Fin de segunda parte
ELECTRONES
En un cristal, la diferencia en el camino ptico entre tomos situados en posiciones

equivalentes en distintas celdas unidad es 2dsen donde d es la distancia entre los
planos imaginarios que unen los puntos equivalentes de la red cristalina.
Para que se observe difraccin de rayos X a un ngulo de observacin, se debe

cumplir la expresin conocida como Ley de Bragg.
Condicin de Bragg
EXTINCIONES SISTEMTICAS PARA CELDAS CUBICAS
Caso de una celda primitiva.

Un solo centro de difusin (atomo, ion) por celda.
Diferencia de
camino=0
Interferencia
constructiva
Caso de una celda elementar primitiva.

Diferencia de
camino
existente pero
sin valor
especifica.
Interferencia
con desfase
(atenuacin)
La intensidad difractada depende:
- De los centros de difusin:
- Su naturaleza
- Sus coordenadas
- De los planos (hkl)
Caso de una celda centrada tipo I

Diferencia de
Diferencia de camino=l/2.
camino=l Interferencia
destructiva
I=0
Los rayos difractados se anulan dos a dos

Intensidad = 0
ELECTRONES
Red infinita de rendijas verticales
Que pasa si d aumenta?
La difraccin ocurre cuando una onda plana encuentra una serie de

objetos a intervalos regulares que (1) son capaces de dispersar la
onda (difusin elstica de Rayleigh, l>>e) y (2) estn separados por
distancias (d) comparables en magnitud a la longitud de onda.
La difraccin es una consecuencia de las relaciones de fases
especificas que se establecen entre dos o mas ondas dispersadas
por los obstculos (Callister, p.66)
Interferencias constructivas y destructivas
XRD diffractometer.
Courtesy of H&M Analytical Services.

A SINGLE CRYSTAL SPECIMEN IN A BRAGG-BRENTANO
DIFFRACTOMETER WOULD PRODUCE ONLY ONE FAMILY OF PEAKS IN
THE DIFFRACTION PATTERN.
At 20.6 2, Braggs law The (110) planes would diffract at 29.3 The (200) planes are parallel to the (100)
fulfilled for the (100) planes, 2; however, they are not properly planes. Therefore, they also diffract for this
producing a diffraction peak. aligned to produce a diffraction peak crystal. Since d200 is d100, they appear at
(the perpendicular to those planes does 42 2.
not bisect the incident and diffracted
beams). Only background is observed.
Pr. J.A. Henao, UIS
A POLYCRYSTALLINE SAMPLE SHOULD CONTAIN THOUSANDS OF
CRYSTALLITES. THEREFORE, ALL POSSIBLE DIFFRACTION PEAKS
SHOULD BE OBSERVED.
2 2 2
For every set of planes, there will be a small percentage of crystallites that are
properly oriented to diffract (the plane perpendicular bisects the incident and
diffracted beams).
Basic assumptions of powder diffraction are that for every set of planes there is
an equal number of crystallites that will diffract and that there is a statistically
relevant number of crystallites, not just one or two.
DIFFRACTION CONDITION FOR CUBIC CELLS

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Los ndices de Miller de las direcciones son la notacin

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Una direccin de indices [uvw] y de indices opuestos no son

Una direccin [uvw] y de indices mltiplos son idnticas;

Ciertos grupos de direcciones son cristalograficamente

Por ejemplo, en un sistema cbico, una direccin [100] es una

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Que se necesita para definir un plano?

Es un plano en el sentido matemtico que contiene

Permiten caracterizar la deformacin de los metales

Determinan el crecimiento de ciertos materiales

Identificar los puntos en donde el plano cruza los ejes x, y y z en

Sacar los recprocos (inversos) de las intersecciones

Simplificar fracciones multiplicando por el mas pequeo

Encerrar entre ( ) los nmeros que resulten. Los nmeros

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1. El plano no intercepta el eje z x = 1, y = 2, and z =

En cada celda unitaria, los planos de una forma

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En los sistemas cbicos, una direccin que tiene los

Usando la notacin [uvw] y (hkl), la

The planar densities of

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area de atomos por cara (1 atomo) (r 2 )

Como en la cara (020) no hay tomos, su densidad

FE en planos {100} de las 3 estructuras?

FE en planos {110} de las 3 estructuras?

- Calcular la fraccin de empaquetamiento en los

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Formacin de la estructura FCC por apilamiento de

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a1, a2 y a3 (y opuestas) son equivalentes por simetra pero

Debido a la simetra exclusiva del sistema hexagonal se ha

El plan perpendicular al eje c de la celda es invariable en una

Se pueden relacionar entre 1

Obtener los ndices de Bravais de la direccin

Ej: determinar los ndices de MB para las

Usando la notacin [uvtw] y (hkil), la

Pr. J.A. (c)Henao, UIS

Pr. J.A. (c)Henao, UIS

Pr. J.A. (c)Henao, UIS

Pr. J.A. (c)Henao, UIS

Pr. J.A. (c)Henao, UIS

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Pr. J.A. (c)Henao, UIS

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Pr. J.A. Henao, UIS

Pr. J.A. Henao, UIS

Pr. J.A. Henao, UIS

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Calcular d100 y d111 para la forma alta

Calcular d003 y d110 para la forma baja

Que pasa si d aumenta?

En un cristal, son los tomos (sus electrones) que

Cada serie de planos (hkl)

Cuales son estas direcciones con respecto al haz incidente?

Por este motivo, los puntos del patrn de