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Materiales Semiconductores
INTRODUCCIN
Cuando un electrn (e-) se halla en un orbital estable, la
fuerza centrfuga equilibra la atraccin ejercida por el
ncleo (protones). Cualquier
fuerza
Cuanto ms puede
lejana es la (e -) mover
rbita de un (e-) se este (e-)
presentam
(e-), menor es mueve a libre, de un
enor
la atraccin menor tomo a
fuerza
del ncleo. velocidad otro
centrfuga
fcilmente
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ELECTRNICA 1 - Semiconductores
En Electrnica solo interesa el Orbital exterior o de
Valencia, porque determina las propiedades elctricas del
tomo.
T O M O S A I S L A D O S
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ELECTRNICA 1 - Semiconductores
IMPUREZAS IMPUREZAS
CONDUCTORES SEMICONDUCTORES
ACEPTORAS DONADORAS
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ELECTRNICA 1 - Semiconductores
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ELECTRNICA 1 - Semiconductores
Si Energa
Se desligan (e -) gana
Temperatura trmica aire
(e -) de la energa para
Ambiente mayor hace que
rbita de ir a orbital de
que (0 K) o cristal de
valencia mayor energa
(-273,15 C) Silicio, vibre
Nmero de
(e -) libres
(e -) (e -) libre
Se crea
IGUAL A deja se mueve
un
un de forma
hueco
Nmero de vaco aleatoria
Huecos
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ELECTRNICA 1 - Semiconductores
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ELECTRNICA 1 - Semiconductores
SEMICONDUCTOR
INTRINSECO EXTRINSECO
(Semiconductor Puro) (Semiconductor Dopado)
Cada tomo del cristal, Se aaden tomos de
es un tomo de impurezas trivalentes
semiconductor (aceptadoras) o
pentavalentes
(donadoras) a un cristal
intrnseco para modificar
la conductividad
elctrica.
Video: From sand to silicon
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ELECTRNICA 1 - Semiconductores
FLUJO DE UN HUECO A TRAVS DE UN SEMICONDUCTOR
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ELECTRNICA 1 - Semiconductores
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ELECTRNICA 1 - Semiconductores
DIODO NO POLARIZADO
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ELECTRNICA 1 - Semiconductores
DIODO NO POLARIZADO
p n p n
Cada dipolo posee un campo elctrico entre los iones positivo y negativo que lo forman
La intensidad de campo aumenta con cada (e-) que cruza hasta que se alcanza el equilibrio.
El campo elctrico entre los iones es equivalente a una diferencia de potencial llamada
barrera de potencial de aproximadamente (0,7) voltios para un diodo de silicio a la
temperatura ambiente ( 25 C).
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ELECTRNICA 1 - Semiconductores
DIODO POLARIZADO DIRECTAMENTE
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ELECTRNICA 1 - Semiconductores
P ZONA DE DEPLEXIN N
ELECTRNICA 1 - Semiconductores
DIODO POLARIZADO INVERSAMENTE
p ZONA DE DEPLEXIN n
Si VR , Portadores
Pequea Portadores
obliga a Minoritarios
Corriente Minoritarios
portadores Golpean y
inversa de chocan con
Minoritarios liberan
Portadores los tomos
a moverse
Minoritarios
mas rpido.
del cristal. (e -) valencia
Si VR
continuamente, Estos (e -)
diodo conduce Proceso al chocar
sin control y se Contina con otros Se
alcanza la hasta que tomos, producen
tensin (IR )es muy producen (e -) libres
de ruptura grande mas (e -)
libres
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ELECTRNICA 1 - Semiconductores
LA BARRERA DE POTENCIAL Y LA TEMPERATURA
Un incremento en (Tu), crea mas (e - ) libres y huecos en las regiones dopadas. Como
esas cargas se difunden en la zona de deplexin, sta se estrecha, lo que significa
que hay menos barrera de potencial a temperaturas altas de la unin.
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Bibliografa
Principios de Electrnica, de Albert P.
Malvino; David J. Bates. Editorial McGraw-Hill,
Sptima Edicin, 2007.
Dispositivos Electrnicos, de Thomas L. Floyd.
Editorial Pearson, Octava Edicin, 2008.