DIODOS

SEMICONDUCTORES
INTRODUCCION
Una de las cosas notables de este campo es lo poco
que cambian los principios fundamentales con el
tiempo.
Los dispositivos que sern analizados en este curso
han estado en uso durante algn tiempo.
Los cambios ms importantes se han presentado en
la comprensin de cmo funcionan estos dispositivos
y de su amplia gama de aplicaciones.
Los textos sobre el tema escritos hace una dcada
siguen siendo buenas referencias cuyo contenido no
ha cambiado mucho.
Actualmente los sistemas son increblemente ms
pequeos.
La miniaturizacin que ha ocurrido en aos recientes
hace que sistemas completos ahora aparezcan en
obleas miles de veces ms pequeas. Por ejemplo el
procesador cudruple Intel Core 2 Extreme cuenta
con 410 millones de transistores en cada chip de
doble ncleo.
Las velocidades de operacin actuales son
extraordinariamente grandes.

Cada da aparecen nuevos equipos.

La miniaturizacin futura parece estar limitada por
tres factores: la calidad del material semiconductor, la
tcnica de diseo y los lmites del equipo de
fabricacin.

SEMICONDUCTORES

Para entender como funcionan los diodos,

transistores y circuitos integrados es necesario
estudiar los materiales semiconductores:
componentes que no se comportan ni como
conductores ni como aislantes.
MATERIALES SEMICONDUCTORES: Ge, Si Y GaAs
La construccin de cualquier elemento electrnico
(diodos, transistores, etc. ) de estado slido o circuito
integrado, se inicia con un material semiconductor de
la ms alta calidad.
Los semiconductores son una clase especial de
elementos cuya conductividad se encuentra entre la de
un buen conductor y la de un aislante.
Los materiales semiconductores pueden ser de dos
clases: de un solo cristal (Ge: Germanio, Si: Silicio):
tienen una estructura cristalina repetitiva y compuesto
(GaAs: Arseniuro de Galio): se componen de dos o
ms materiales semiconductores de diferentes
estructuras atmicas.
y compuesto
Los diodos y transistores construidos en base de Ge
son sensibles a los cambios de la temperatura.

En 1954 se present el primer transistor de Si y se

aplic rpidamente, pues no slo es menos sensible
a la temperatura, sino que es uno de los materiales
ms abundantes en la Tierra.

Pero el campo de la electrnica requera de

dispositivos ms veloces.

Se desarroll del primer transistor de GaAs que

operaba a velocidades hasta de cinco veces al del
Si.
En la actualidad se utiliza de manera consistente
como material base para nuevos diseos de circuitos
integrados a gran escala (VLSI, por sus siglas en
ingls) de alta velocidad.

Se siguen fabricando dispositivos de Ge, aunque

para un nmero limitado de aplicaciones, el Si tiene
el beneficio de aos de desarrollo y es el material
semiconductor lder para componentes electrnicos y
circuitos integrados.
 ENLACE COVALENTE Y MATERIALES
INTRNSECOS
Todo tomo se compone de tres partculas bsicas:
electrn, protn y neutrn. Los neutrones y los protones
forman el ncleo; los electrones aparecen en rbitas
fijas alrededor de ste. El modelo de Bohr de cuatro
materiales se muestra en la figura siguiente:
Cinco electrones Tres electrones
Capa de valencia Electrn de valencia
de valencia
(Cuatro electrones de valencia) de valencia

Ncleo
El Si tiene 14 electrones en rbita, el Ge 32, el Ga 31 y
el As 33.
En el Ge y el Si hay 4 electrones de valencia. El As
tiene 5 electrones de valencia y el Ga 3.
Los tomos que tienen cuatro electrones de valencia se
llaman tetravalentes, los de tres se llaman trivalentes y
los de cinco se llaman pentavalentes.
El trmino valencia se utiliza para indicar que el
potencial (potencial de ionizacin) requerido para
remover cualquiera de estos electrones de la estructura
atmica es significativamente ms bajo que el
requerido para cualquier otro electrn en la estructura.
Cuando los tomos de un material semiconductor se
combinan para formar un slido, lo hacen en una
estructura ordenada llamada cristal. En un cristal de Si
o Ge puros, los cuatro electrones de valencia de un
tomo forman un arreglo de enlace con cuatro tomos
adyacentes de tal manera que tiene 8 electrones en la
rbita de valencia.
Los electrones de valencia dejan de pertenecer a un
solo tomo y estn siendo atrados por los ncleos de
los tomos vecinos lo cual los mantiene unidos.

Este enlace de tomos, reforzado por compartir

electrones, se llama enlace covalente.

En un cristal, por ejemplo de silicio, hay miles de

millones de tomos, cada uno con 8 electrones de
valencia. Estos electrones de valencia son los enlaces
covalentes que mantienen unido el cristal, dndole
solidez.
Un semiconductor intrnseco es un semiconductor puro;
o, lo ms puro posible que se pueda fabricar utilizando
tecnologa actual.
Los electrones libres presentes en un material
intrnseco debido a slo causas externas se conocen
como portadores intrnsecos. El nmero de estos es
importante para sus aplicaciones, aunque tambin la
movilidad relativa (n) de los portadores libres, es decir,
la capacidad de los electrones libres de moverse por
todo el material. Esta caracterstica en el GaAs es ms
de cinco veces la de los portadores libres en el Si; un
factor que produce velocidades de respuesta con
dispositivos electrnicos de GaAs que puede ser hasta
cinco veces las de los mismos dispositivos hechos de
Si.
MATERIALES TIPO n Y TIPO p
El anlisis se realizar para semiconductores de Si.
Las caractersticas de un material semiconductor puro
se pueden modificar de manera significativa con la
adicin de tomos de impurezas especficos. Estas
impurezas, que son de 1 parte en 10 millones, pueden
cambiar del todo las propiedades elctricas del
material.
Un material semiconductor que ha sido sometido al
proceso de dopado (adicin de impurezas) se conoce
como material extrnseco.
Hay dos materiales extrnsecos de importancia en la
fabricacin de dispositivos semiconductores:
materiales tipo n y tipo p.
Material tipo n
Un material tipo n se crea introduciendo elementos de
impureza que contienen cinco electrones de valencia
(pentavalentes), como el antimonio, arsnico y fsforo a un
cristal de Si o Ge puros.
Se observa que los cuatros enlaces covalentes
permanecen. Existe, sin embargo, un quinto electrn
adicional debido al tomo de impureza, el cual no est
asociado con un enlace covalente particular.
Este electrn restante, enlazado de manera poco firme
a su tomo padre (antimonio), est en cierto modo libre
para moverse dentro del material tipo n recin
formado, puesto que el tomo de impureza insertado
ha donado un electrn relativamente libre a la
estructura.

Las impurezas difundidas con cinco electrones de

valencia se conocen como tomos donadores.
Material tipo p
El material tipo p se forma dopando un cristal de
germanio o silicio puro con tomos de impureza que
tienen tres electrones de valencia (boro, galio e indio).
Se observa que ahora el nmero de electrones es
insuficiente para completar las bandas covalentes de la
estructura recin formada. El vaco resultante se llama
hueco y se denota con un pequeo crculo o un signo
ms. Por lo tanto, el vaco resultante aceptar con
facilidad un electrn libre: las impurezas difundidas con
tres electrones de valencia se llaman tomos aceptores.
El efecto del hueco en la conduccin se muestra en la figura.
Si un electrn de valencia adquiere suficiente energa
cintica para romper su enlace covalente y llenar el vaco
creado por un hueco, entonces se crear un vaco o hueco
en la banda covalente que cedi el electrn. Existe, por
consiguiente, una transferencia de huecos hacia la izquierda
y de electrones hacia la derecha.
Portadores mayoritarios y minoritarios

En el estado intrnseco, el nmero de electrones libres

en Ge o Si se debe slo a los electrones en la banda de
valencia que adquirieron suficiente energa de fuentes
trmicas o luminosas para romper la banda covalente o
a las impurezas que no pudieron ser eliminadas. Los
vacos que quedan en la estructura de enlace covalente
representan una fuente muy limitada de huecos. En un
material tipo n, el nmero de huecos no cambia
significativamente con respecto a este nivel intrnseco.
El resultado neto, por consiguiente, es que el nmero
de electrones sobrepasa por mucho al de huecos. Por
eso: en un material tipo n el electrn se llama portador
mayoritario y el hueco portador minoritario.
En el material tipo p el nmero de huecos excede por
mucho al de electrones. Por consiguiente: en un
material tipo p, el hueco es el portador mayoritario y el
electrn el minoritario.

Cuando el quinto electrn de un tomo donador

abandona el tomo padre, el tomo que queda adquiere
una carga positiva neta: de ah el signo ms en la
representacin de ion donador. Por las mismas razones,
el signo menos aparece en el ion aceptor.

Los materiales tipo n y p representan los bloques de

construccin bsicos de los dispositivos
semiconductores.
Proceso de dopaje de un cristal de silicio
Primero se funde un cristal puro de Si para romper los
enlaces covalentes y pasar de slido a lquido. Luego
se aaden tomos pentavalentes al Si fundido.

Cristal de silicio luego de enfriarse y formar de nuevo el cristal slido

Como nicamente pueden situarse 8 electrones en la
rbita de valencia, el electrn adicional queda en una
rbita mayor. Por lo tanto se trata de un electrn libre.

Cada tomo pentavalente en un cristal de Si, produce

un electrn libre. Un fabricante controla as la
conductividad de un semiconductor dopado.

Cuanto mayor impurezas se aadan mayor ser la

conductividad.

Un semiconductor dopado ligeramente tendr una

resistencia alta y uno fuertemente dopado tendr una
resistencia pequea.