2.

- DIODO DE POTENCIA
2.1 Construccin y encapsulado
2.2 Caractersticas estticas
2.2.1 Curvas caractersticas, Estados de bloqueo y
conduccin y clculo de prdidas.
2.3 Caractersticas dinmicas
2.3.1 Salida de conduccin: Recuperacin inversa. Entrada
en conduccin: Recuperacin directa y Clculo de prdidas.
2.4 Tipos de diodos de potencia:
Diodos rectificadores para baja frecuencia, rpidos y
ultrarrpidos, Schotkky y para aplicaciones especiales.
2.5 Uso de los datos de catlogo de fabricantes
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19/12/2017 B. SENZ L. 2
El diodo de potencia es el elemento rectificador
ms comn.
Caractersticas:
Presenta dos estados bien diferenciados:
corte y conduccin. El paso de uno a otro, no
es instantneo y en dispositivos en los que el
funcionamiento se realiza a alta frecuencia, es
muy importante el tiempo de paso entre estados,
puesto que ste acotar las frecuencias de
trabajo.

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Mrgenes de funcionamiento:
En conduccin pueden soportar una corriente
media de 1500A llegando hasta tensiones
inversas de 2000V. Actualmente las tcnicas
de fabricacin de diodos han avanzado hasta
un nivel de tensin de 5000V en inverso y
corrientes de 3000A en directo. El Si es el
elemento semiconductor ms empleado. Es
decir que lo deseable es:
- Corriente elevada con baja cada de tensin
- Tensin inversa elevada con mnimas fugas
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Caractersticas:
En conduccin es capaz de soportar altas
intensidades con bajas cadas de tensin.
En inverso soportan altas tensiones
negativas de nodo con bajas corrientes de
fugas.
Inconvenientes:
I Dispositivo unidireccional.
I nico procedimiento de control: inversin del
voltaje.

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Simbologa empleada:
Caractersticas estticas del diodo de Potencia.
Parmetros en estado de bloqueo:
1.- VR: Tensin inversa de trabajo
2.- VRRM: Tensin inversa de pico repetitivo
3.- VRSM :Tensin inversa de pico nico
4.- Tensin de ruptura
5.- Intensidad de fugas
Parmetros en estado de conduccin:
1.- IF(AV) (Intensidad media nominal)
2.- IFRM (Intensidad de pico repetitivo)
3.- IFSM (Intensidad de pico nico)
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Construccin y encapsulado

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Caractersticas estticas

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Caractersticas dinmicas
Paso de conduccin a corte, Turn off
Cuando un diodo se encuentra conduciendo
una intensidad, Id la zona central de la unin p-
n est saturada de portadores mayoritarios y
con mayor densidad de stos cuanto mayor
sea dicha intensidad. Si el circuito exterior
fuerza la disminucin de la corriente con una
cierta velocidad, di/dt aplicando una tensin
inversa, resultar que despus del paso por
cero de la seal i(t), hay un periodo en el cual
cierta cantidad de portadores cambian su
sentido de movimiento y permiten que el diodo
conduzca
19/12/2017 en sentidoB. contrario.
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La tensin inversa entre nodo y ctodo no se
establece hasta despus de un tiempo ta, durante
el cual los portadores empiezan a escasear y
aparece en la unin una zona de carga espacial.
La intensidad todava tarda un tiempo tb en pasar
de un valor de pico negativo Irr a un valor
prcticamente nulo, mientras se va descargando la
capacidad interna de la unin.
La capacidad se considera como la suma de la
Capacidad de Difusin Cdif y la Capacidad de
Deplexin o de transicin Cj. La 1ra. es
proporcional a la corriente por el diodo y slo tiene
relevancia con ste polarizado en directo, mientras
que la 2da., aparece con el diodo polarizado en
inverso.
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 Tiempo de recuperacin inverso, trr
Comprende el intervalo de tiempo desde que
la corriente if pasa por cero en el cambio on
off hasta que la corriente vuelve a adquirir el
10 % del valor Irr. Tambin se puede definir
como el periodo durante el cual el diodo
permite la conduccin en sentido negativo.
Est compuesto por la suma del tiempo de
almacenamiento, ta y el tiempo de cada, tb.

Tiempo de almacenamiento, ta Es el tiempo

que transcurre desde el paso por cero de la
intensidad hasta que se alcanza el pico
negativo y es debido a la acumulacin de
portadores en la regin de deplexin de la
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unin.
Tiempo de cada, tb Es el tiempo
transcurrido desde el pico negativo de
intensidad hasta que sta se anula, y es
debido a la descarga de la capacidad de la
unin polarizada en inverso. En la prctica
se suele medir desde el valor de pico
negativo de la corriente hasta que se
alcanza el 10% de dicho valor.
Q almacenada o desplazada Qrr
Factor de suavizado, Es la relacin entre
los tiempos de cada y almacenamiento.

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 TIPOS DE DIODOS DE POTENCIA
Diodo rectificador normal
Su tiempo de recuperacin inversa es alto, tpico
de 25 s, y se usan en aplicaciones de baja
velocidad, en las que el tiempo de recuperacin no
es crtico.
M. de funcionamiento: desde < 1A hasta varios
miles de A; 50V...5KV
Diodo de barrera Schottky
Se puede eliminar (o minimizar) el problema de
almacenamiento de carga de una unin pn. Para
ello, se establece una barrera de potencial con
un contacto entre un metal y un semiconductor
M. de funcionamiento: 1A...300A; Son usados en
19/12/2017 B. SENZ L.
rectificadores de bajo voltaje para mejorar42 la
 Diodo de recuperacin rpida
Los diodos de recuperacin rpida tienen un
tiempo de recuperacin bajo, por lo general menor
que 5s. Esta caracterstica es especialmente
valiosa en altas frecuencias. Un diodo con esta
variacin de corriente tan rpida necesitar
contactos de proteccin, sobre todo cuando en el
contacto exterior encontramos elementos
inductivos.
Margen de funcionamiento: <1A...300A; 50V...3KV

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ASOCIACIN DE DIODOS DE POTENCIA
Las dos caractersticas ms importantes del diodo
de potencia son: La intensidad mxima en directo
y la tensin inversa mxima de bloqueo. Si las
necesidades del circuito pueden llegar a
sobrepasar la capacidad mxima del dispositivo,
es necesario utilizar varios diodos asociados en
serie o en paralelo.
Asociacin de diodos en serie
Cuando aparecen tensiones inversas elevadas por
rama, como por ejemplo en rectificadores de
potencia, la capacidad de bloqueo de un nico
diodo puede no ser suficiente. Ser necesario una
conexin serie de dos o ms elementos. Si los
elementos estn colocados en serie, tendrn la
misma
19/12/2017
corriente de fugas, sin embargo, presentan
B. SENZ L. 46
tensiones inversas diferentes.
Los diodos pueden destruirse
por exceder su tensin inversa
mxima. El problema se resueve
conectando resistencias en
paralelo con cada diodo. Las
resistencias deben conducir
corriente mucho mayor que la de
fuga del diodo. Asociacin de diodos en seri

Tensiones inversas y
corrientes de fuga en dos
diodos distintos
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Asociacin de diodos en paralelo
Se usa cuando se requieren altas intensidades. El
incon-veniente es el reparto desigual de la
corriente por cada una de las ramas de los diodos
debido a sus distintas caractersticas de
conduccin.
Se resuelve mediante dos criterios: conectando
resistencias en serie con cada diodo o bien
inductancias iguales acopladas en cada rama de
la red paralelo. Las resistencias ayudan a
estabilizar e igualar los valores de intensidad I1 e
I2. Las inductancias se pueden obtener usando
transformadores de relacin 1:1, conectados tal y
como muestra en la figura. El segundo mtodo es
aplicable nicamente en condiciones de operacin
en las que la alimentacin
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sea pulsatoria50 o
Asociacin de diodos en
paralelo. Ckto. de estabilizacin
de corriente por resistencias e
inductancias.
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Diodos de potencia comerciales

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Estructura de hoja de caractersticas
En la prctica se trabaja con una serie de hojas
de caractersticas que proporcionan los
fabricantes. Toda hoja de caractersticas suele
estructurarse de la siguiente forma:
Descripcin externa y enfatizado de las
caractersticas ms interesantes del elemento.
Ambas se efectan de una forma general y sin
incorporar medidas o parmetros especficos.
Adicionalmente puede darse el patillaje del
elemento

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 Valores lmites: se corresponden con las
caractersticas del elemento. Normalmente el
fabricante agrupa las caractersticas por grupos
(trmicas, dinmicas, estticas, etc...),
indicando en todo momento las condiciones en
que se han realizado las medidas para obtener
los valores dados. Los valores se suelen dar
indicando los extremos mximos y mnimos
admisibles, tambin puede darse el valor tpico
o medio en algunos fabricantes.

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A continuacin se presentan las curvas
caractersticas de los diodo. Normalmente
habr una serie de curvas que aparezcan en
todas las hojas sea cual sea el tipo de diodo y
otras que slo las dar el fabricante si son
necesarias para poder trabajar con el elemento.
Tambin es posible que se adjunte la definicin
de algn parmetro para comprender mejor los
datos proporcionados.

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19/12/2017 B. SENZ L. 63
 Adicionalmente el fabricante puede
proporcionar los circuitos empleados para
efectuar las medidas de una o todas las
caractersticas, adems de la explicacin de
algn parmetro importante.

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 Finalmente se aaden las caractersticas
mecnicas del elemento, que proporcionan las
medidas del mismo para su correcta situacin y
montaje.

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Uso del catlogo de fabricantes.

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Caractersticas trmicas
Temperatura de la unin (Tjmx)
Es el lmite superior de temperatura que nunca
debemos hacer sobrepasar a la unin del
dispositivo si queremos evitar su inmediata
destruccin. En ocasiones, en lugar de la
temperatura de la unin se nos da la "operating
temperature range" (margen de temperatura de
funcionamiento), que significa que el dispositivo
se ha fabricado para funcionar en un intervalo
de temperaturas comprendidas entre dos
valores, uno mnimo y otro mximo.

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Temperatura de almacenamiento (Tstg)
Es la temperatura a la que se encuentra el dispositivo
cuando no se le aplica ninguna potencia. El fabricante
suele dar un margen de valores para esta
temperatura.

Resistencia trmica unin-contenedor (Rjc)

Es la resistencia entre la unin del semiconductor y el
encapsulado del dispositivo. En caso de no dar este
dato el fabricante se puede calcular mediante la
frmula: Rjc = (Tjmx - Tc) / Pmx
siendo Tc la temperatura del contenedor y Pmx la
potencia mxima disipable.
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Resistencia trmica contenedor-disipador (Rcd)
Es la resistencia existente entre el contenedor del
dispositivo y el disipador (aleta refrigeradora). Se
supone que la propagacin se efecta directamente
sin pasar por otro medio (como mica aislante, etc).
Rjc = Resist. unin - contenedor
Rcd = Resist. contenedor disip.
Rd = Resistencia del disipador
Tj = Temperatura de la unin
Tc = Temperatura del contenedor
Td = Temperatura del disipador
Ta = Temperatura ambiente

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Proteccin contra sobreintensidades
Principales causas de sobreintensidades
La causa principal de sobreintensidad es,
naturalmente, la presencia de un cortocircuito
en la carga, debido a cualquier causa. De todos
modos, pueden aparecer picos de corriente en
el caso de alimentacin de motores, carga de
condesadores, utilizacin en rgimen de
soldadura, etc. Estas sobrecargas se traducen
en una elevacin de temperatura enorme en la
unin, que es incapaz de evacuar las calorias
generadas, pasando de forma casi instantnea
al estado de cortocircuito (avalancha trmica).
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Dispositivos de proteccin
Los dispositivos de proteccin que aseguran una
eficacia elevada o total son numerosos y por eso los
ms empleados actualmente siguen siendo los
fusibles, del tipo "ultrarrpidos" en la mayora de los
casos. Los fusibles, como su nombre indica, actan
por la fusin del metal de que estn compuestos y
tienen sus caractersticas indicadas en funcin de la
potencia que pueden manejar; por esto el calibre de
un fusible no se da slo con su valor eficaz de
corriente, sino incluso con su I2t y su tensin.

Parmetro I2t
La I2t de un fusible es la caractersitca de fusin del
cartucho; el intervalo de tiempo t se indica en
segundos y la corriente I en amperios.
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