Centro de Enseñanza Técnica y

Superior
Escuela de Ingeniería

Electrónica de Potencia

Transistor
Bipolar
 3 El transistor
Transistores NPN y PNP

 El transistor de unión bipolar (BJT=bipolar

junction transistor)
 Elemento activo, se llama bipolar porque la
conducción de corrientes se debe a dos tipos de
portadores de carga: electrones y huecos
 Es un dispositivo semiconductor que consiste de
tres capas:
 2 capas tipo N y una P se le llama transistor NPN
 2 capas tipo P y una N se le llama transistor tipo PNP

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 3 El transistor
1.3.1 Transistores NPN y PNP

Símbolo y representación del Transistor

NPN y PNP

3
 3 El transistor
1.3.1 Transistores NPN y PNP
 Construcción del transistor de unión bipolar
 Esta formado de 3 terminales: Emisor Base y
Colector
 La base esta ligeramente dopada
 El emisor altamente dopado y colector solo algo
dopado
 Las capas exteriores tiene espesores mucho mayores
que la capa central (150:1)
 El nivel de dopado de la capa interior es mucho
menor que el de las capas exteriores (10:1)

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 3 El transistor
1.3.1 Transistores NPN y PNP

 Construcción del transistor de unión bipolar

 Las capas exteriores tiene espesores mucho mayores
que la capa central (150:1)

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 3 El transistor
1.3.1 Transistores NPN y PNP

 Construcción del transistor de unión bipolar

 La base esta ligeramente dopada. El emisor
altamente dopado y colector solo algo dopado

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 3 El transistor
1.3.1 Transistores NPN y PNP

 Modos de operación
 El transistor está formado por dos uniones PN:
 La unión Emisor Base
 La unión Base-Colector

 Dependiendo de la condición de polarización

(directa o inversa) de cada unión, el BJT se
comportará de diferente manera

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 3 El transistor
1.3.1 Transistores NPN y PNP

 Modos de operación

 El transistor se utiliza como amplificador en la zona

activa.
 El transistor se utiliza como interruptor en las zonas
de saturación y corte.
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 3 El transistor
1.3.1 Transistores NPN y PNP

 Modos de operación
El modo activo se utiliza si el transistor va a trabajar
como amplificador.
 Unión EB: Polarización directa.

 Unión BC: Polarización inversa.

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 3 El transistor
1.3.1 Transistores NPN y PNP

 Modos de operación
En el modo de corte el transistor se comporta como
un circuito abierto.
 Unión EB: Polarización inversa.

 Unión BC: Polarización inversa.

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 3 El transistor
1.3.1 Transistores NPN y PNP

 Modos de operación
En el modo de saturación el transistor se comporta
como un circuito cerrado.
 Unión EB: Polarización directa.

 Unión BC: Polarización directa.

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 3 El transistor
1.3.2 Amplificación de corriente en el
transistor
 BJT en la zona activa
Para entender el funcionamiento del transistor se
explica en
 la región activa.

 sobre la configuración llamada base común.

 en un transistor NPN.

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 3 El transistor
1.3.2 Amplificación de corriente en el
transistor
 BJT en la zona activa
La fuente VEE polariza directamente la unión B-E. lo
que estrecha la región de vaciamiento entre ambos
materiales.

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 3 El transistor
1.3.2 Amplificación de corriente en el
transistor
 BJT en la zona activa
La unión base emisor representa un diodo polarizado
directamente con sus características de baja
impedancia y baja caída de tensión.

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 3 El transistor
1.3.2 Amplificación de corriente en el
transistor
 BJT en la zona activa
Debido a la alta concentración de portadores mayoritarios en el
emisor. Este inyecta una gran cantidad de electrones (p. may.)
hacia la base. Una pequeña cantidad de portadores
mayoritarios (huecos) de la base pasan hacia el emisor

huecos

Electrones

15
 3 El transistor
1.3.2 Amplificación de corriente en el
transistor
 BJT en la zona activa
A esta se le llama corriente de emisor y esta dominada por el
flujo de electrones. Esta corriente de emisor también esta
conformada del flujo de portadores minoritarios, pero es tan
pequeño su aporte que se desprecia la mayoría de las veces.

I min
huecos

Electrones
 3 El transistor
1.3.2 Amplificación de corriente en el
transistor
 BJT en la zona activa
La unión base colector esta polarizada inversamente
con Vcc, por lo que la región de vaciamiento está
ensanchada y hay un flujo de portadores minoritarios
(electrones) de la base al colector.

electrones
 3 El transistor
1.3.2 Amplificación de corriente en el
transistor
 BJT en la zona activa
Como la base tiene poca conductividad, y es una capa
muy delgada. pocos de los electrones inyectados por
el emisor se irán por el camino de alta impedancia
hacia la terminal de base.

electrones

electrones

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 3 El transistor
1.3.2 Amplificación de corriente en el
transistor
 BJT en la zona activa
La mayor parte de los portadores mayoritarios
(electrones) inyectados por el emisor cruzan la unión
Base Colector. En donde aparecen como una
corriente de portadores minoritarios

electrones

electrones

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 3 El transistor
1.3.2 Amplificación de corriente en el
transistor
 BJT en la zona activa
La corriente de colector esta formada por los
portadores mayoritarios del emisor que lograron
cruzar la unión hacia el colector y los portadores
minoritarios de la corriente de fuga de la unión B-C.

electrones

electrones

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 3 El transistor
1.3.2 Amplificación de corriente en el
transistor
 BJT en la zona activa
Solo una pequeña porción de los electrones inyectados
por el emisor llegan a la base (1%). Esta proporción
la determina un parámetro del transistor llamado
α(HFB)
electrones

electrones

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 3 El transistor
1.3.2 Amplificación de corriente en el
transistor
 BJT en la zona activa
Para el transistor PNP el comportamiento es el mismo
si consideramos que los portadores mayoritarios del
emisor son los huecos que se inyectan al colector.

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 3 El transistor
1.3.2 Amplificación de corriente en el
transistor
 BJT en la zona activa
Las corrientes se toman en el sentido convencional de
positivo a negativo, en el caso de un transistor PNP
coincide con el flujo de los portadores mayoritarios
del emisor (huecos).

23
 3 El transistor
1.3.2 Amplificación de corriente en el
transistor
 BJT en la zona activa
Las corriente en el transistor NPN en sentido
convencional tienen sentido opuesto al flujo de los
portadores mayoritarios del emisor (electrones).

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 3 El transistor
1.3.2 Amplificación de corriente en el
transistor
 Ganancias de corriente del BJT
La constante proporcional α(HFB) relaciona a IC con IE
de la forma:
Ec1.

ICBO es la corriente de fuga.

Otra relación importante de las corrientes es
Ec2.

25
 3 El transistor
1.3.2 Amplificación de corriente en el
transistor
 Ganancias de corriente del BJT
Despejando IB de la Ec. 2:
Ec3

Se desprecia ICBO y se sustituye La Ec.1 en la Ec. 3

Ec4.

Ec5.

26
 3 El transistor
1.3.2 Amplificación de corriente en el
transistor
 Ganancias de corriente del BJT
Despejando IE de la Ec. 1 y sustituyendo en 5:
Ec6.

O bien
Ec7.

27
 3 El transistor
1.3.2 Amplificación de corriente en el
transistor
 Ganancias de corriente del BJT
La ganancia de corriente :
Ec8.

Esta ganancia se puede expresa con la constante β

(hFE) o factor de amplificación
Ec9.

28
 3 El transistor
1.3.2 Amplificación de corriente en el
transistor
 Ganancias de corriente del BJT
Finalmente decimos que las relaciones entre estas
ganancias de corriente son :

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 3 El transistor
1.3.3. Configuraciones del BJT

 Configuraciones
Un amplificador es un dispositivo que toma una señal
y aumenta su amplitud sin modificar su forma:

30
 3 El transistor
1.3.3. Configuraciones del BJT
 Configuraciones
En un amplificador las señales se miden respecto a un
punto común y como el BJT es un dispositivo de
tres terminales se requiere que una de ellas sea
común a las otras dos, dependiendo que terminal se
tome los transistores se pueden conectar en un
circuito como:
Configuración Base común
Configuración Emisor común
Configuración Colector común

31
 3 El transistor
1.3.4 Configuraciones para emisor común
 Configuración emisor común
Esta configuración con transistores PNP y NPN se
llama así porque la terminal de emisor es común a la
entrada y a la salida. Además este terminal está mas
cercano o se encuentra conectado a tierra.

32
 3 El transistor
1.3.4 Configuraciones para emisor común
 Configuración emisor común

33
 3 El transistor
1.3.4 Configuraciones para emisor común
 Configuración emisor común
La grafica de entrada de esta configuración relaciona
la corriente de entrada IB con el voltaje de entrada
VBE para varios niveles de salida VCE

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 3 El transistor
1.3.4 Configuraciones para emisor común
 Configuración emisor común

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 3 El transistor
1.3.4 Configuraciones para emisor común
 Configuración emisor común
La grafica de salida de esta configuración relaciona la
corriente de salida IC con el voltaje de salida VCE
para varios niveles de corriente de entrada IB

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 3 El transistor
1.3.4 Configuraciones para emisor común
 Configuración emisor común

37
 3 El transistor
1.3.4 Configuraciones para emisor común
 Configuración emisor común
IB está en micro amperes e IC en mili amperes.
Las curvas no son tan horizontales por lo que VCE
influye en la magnitud de IC
En la región activa la unión BE esta polarizada
directamente y la unión BC inversamente
En la región de corte existe una corriente de salida
IC≈βICB0

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 3 El transistor
1.3.4 Configuraciones para emisor común

Ver anexos

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 Bibliografía

[Boylestad, Robert, L. Nashelsky Louis]

Electrónica: Teoría de Circuitos. 6ta edición.
Prentice Hall. 1997

Ver anexos

40
FIN

41