Transistores de potencia

Clasificación
 BJT
Características en Régimen permanente
Características en
Régimen permanente
Características en Régimen permanente
Saturación
Ejercicio
 Características de
Conmutación
Una unión PN exhibe
capacitancias paralelas
Capacitancia de la capa
de agotamiento
Capacitancia de difusión.
Curva de ruptura
 FET
Puesto que hay una tensión positiva entre el drenador y el surtidor, los
electrones fluirán desde el surtidor al drenador (o viceversa según la
configuración del mismo), aunque hay que notar que también fluye una
corriente despreciable entre el surtidor (o drenador) y la puerta, ya que
el diodo formado por la unión canal – puerta, esta polarizado
inversamente.
 FET
• sumidero (d-drain) y fuente (s-source), más una conexión llamada
puerta (g-gate) en el collar.
Zonas de funcionamiento del transistor de efecto
de campo (FET):
ZONA ÓHMICA o LINEAL: En esta zona el transistor se comporta como
una resistencia variable dependiente del valor de VGS. Un parámetro
que aporta el fabricante es la resistencia que presenta el dispositivo
para VDS=0 (rds on), y distintos valores de VGS
• ZONA DE SATURACIÓN: En esta zona es donde el transistor amplifica y
se comporta como una fuente de corriente gobernada por VGS
•
3. ZONA DE CORTE: La intensidad de drenador es nula (ID=0).
APLICACIÓN PRINCIPAL VENTAJA USOS
Aislador o Impedancia de entrada alta y de
Uso general, equipo de medida, receptores
separador (buffer) salida baja
Amplificador de RFBajo ruido Sintonizadores de FM, equipo para comunicaciones

Baja distorsión de
Mezclador Receptores de FM y TV,equipos para comunicaciones
intermodulación
Amplificador con Facilidad para controlar
Receptores, generadores de señales
CAG ganancia
Amplificador
Baja capacidad de entrada Instrumentos de medición, equipos de prueba
cascodo
Troceador Ausencia de deriva Amplificadores de cc, sistemas de control de dirección

Resistor variable Amplificadores operacionales, órganos electrónicos,

Se controla por voltaje
por voltaje controlas de tono
Amplificador de Capacidad pequeña de
Audífonos para sordera, transductores inductivos
baja frecuencia acoplamiento
Oscilador Mínima variación de frecuencia Generadores de frecuencia patrón, receptores
Circuito MOS
Pequeño tamaño Integración en gran escala, computadores, memorias
 Ideas generales sobre los MOSFETs de acumulación de señal

• Zonas de trabajo de un MOSFET de señal

ID [mA]
ID
VGS = 4,5V
2,5KW 4
VGS = 4V
D
+
VDS 2 VGS = 3,5V
G
S - 10V VGS = 3V
+
VGS VGS = 2,5V
-
EL MOSFET DE POTENCIA

0 4 8 12 VDS [V]
VGS < VTH = 2V
VGS = 0V < 2,5V < 3V < 3,5V < 4V < 4,5V
Comportamiento resistivo

Comportamiento como fuente de corriente (sin

interés en electrónica de potencia)

Comportamiento como circuito abierto

 Ideas generales sobre los MOSFETs de acumulación de señal

• Precauciones en el uso de transistores MOSFET

- El terminal puerta al aire es muy sensible a los ruidos
- El óxido se puede llegar a perforar por la electricidad estática de los dedos.
A veces se integran diodos zener de protección
- Existe un diodo parásito entre fuente y drenador en los MOSFET de
enriquecimiento
EL MOSFET DE POTENCIA

S G D D

N+ N+
G
P-
S
+
Substrato
 Estructura de los MOSFETs de Potencia

• Están formados por miles de celdas puestas en paralelo (son posibles

integraciones de 0,5 millones por pulgada cuadrada)
• Los dispositivos FET (en general) se paralelizan fácilmente
• Algunas celdas posibles (dispositivos verticales):

Fuente Fuente Puerta

Puerta

n+ n+ n+
EL MOSFET DE POTENCIA

p
p n-
n-
n+ S
n+ G
Drenador
Drenador Estructura en trinchera
(V MOS) D
Estructura planar
(D MOS)
 Encapsulados de MOSFETs de Potencia

• En general, semejantes a los de los diodos de potencia (excepto los encapsulados

axiales)
• Existe gran variedad de encapsulados
• Ejemplos: MOSFET de 60V
EL MOSFET DE POTENCIA

RDS(on)=9,4mW, ID=12A
RDS(on)=12mW, ID=57A

RDS(on)=5,5mW, ID=86A RDS(on)=9mW, ID=93A

RDS(on)=1.5mW, ID=240A
 Encapsulados de MOSFETs de Potencia

• Otros ejemplos de MOSFET de 60V

EL MOSFET DE POTENCIA

RDS(on)=3.4mW, ID=90A
 Características fundamentales de los MOSFETs de potencia
Fuente Puerta
1ª -Máxima tensión drenador-fuente
2ª -Máxima corriente de drenador N+ P
Diodo
Fuente–
3ª -Resistencia en conducción N- Drenador

4ª -Tensiones umbral y máximas de puerta N+

5ª -Proceso de conmutación
Drenador
MOSFET con puerta en trinchera
1ª Máxima tensión drenador-fuente
• Corresponde a la tensión de ruptura de la unión que forman el substrato (unido a la fuente) y el
drenador.
• Se mide con la puerta cortocircuitada a la fuente. Se especifica a qué pequeña circulación de
EL MOSFET DE POTENCIA

corriente corresponde (por ejemplo, 0,25 mA)

 5ª Proceso de conmutación

• Los fabricantes de MOSFET de potencia suministran información de tres

capacidades distintas de las anteriores, pero relacionadas con ellas:

- Ciss = Cgs + Cgd con Vds=0 ( capacidad de entrada)

- Crss = Cdg (capacidad Miller)
- Coss = Cds + Cdg ( capacidad de salida)

D
EL MOSFET DE POTENCIA

Cdg D
Cdg
Coss
G Cds
S G Cds
Ciss Cgs S
Cgs
 El transistor Bipolar de Puerta Aislada
Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)

Este dispositivo aparece en los años 80

Mezcla características de un transistor bipolar y de un MOSFET
La característica de salida es la de un bipolar pero se controla por tensión y no
por corriente

MOSFET Bipolar
G
EL IGBT DE POTENCIA

Alta capacidad de manejar corriente (como un bipolar)

Facilidad de manejo (MOSFET)

Menor capacidad de conmutación (Bipolar)

No tiene diodo parásito
 Estructura del IGBT

Es similar a la de un MOSFET
Sólo se diferencia en que se añade un sustrato P bajo el sustrato N

Es el dispositivo más adecuado para tensiones > 1000 V

El MOSFET es el mejor por debajo de 250 V
En los valores intermedios depende de la aplicación, de la frec.,etc.
EL IGBT DE POTENCIA
 El IGBT se suele usar cuando se dan estas condiciones:

• Bajo ciclo de trabajo

• Baja frecuencia (< 20 kHz)
• Aplicaciones de alta tensión (>1000 V)
• Alta potencia (>5 kW)

Aplicaciones típicas del IGBT

• Control de motores
EL IGBT DE POTENCIA

• Sistemas de alimentación ininterrumpida

• Sistemas de soldadura
• Iluminación de baja frecuencia (<100 kHz) y alta
potencia
 Gran capacidad de manejo de corriente

Comparación IGBT-MOSFET con el mismo área de semiconductor

El IGBT tiene menor caída de tensión

Menores pérdidas en conducción

Problema:
Coeficiente de temperatura negativo
EL IGBT DE POTENCIA

A mayor temperatura, menor caída

de tensión

Conduce más corriente

Se calienta más

Esto es un problema para paralelizar IGBTs

 Encapsulados de IGBT

Módulos de potencia
TO 220

MTP
TO 247
EL IGBT DE POTENCIA
 Parámetros fundamentales para seleccionar un MOSFET

• Tensión de ruptura
• Corriente máxima
• Tensión colector-emisor en
saturación
EL IGBT DE POTENCIA

Tensiones de ruptura de dispositivos comerciales

Media tensión Alta tensión

250 V 600 V
300 V 900 V
1200 V
(Poco usuales)
 Características básicas

C
EL IGBT DE POTENCIA

En ocasiones, el encapsulado incorpora

internamente un diodo
G
E
 Características eléctricas

Tensión de saturación colector-emisor (como en bipolares)

Tensión umbral de puerta (como en MOSFETS)

Características térmicas
EL IGBT DE POTENCIA
 Características dinámicas
Circuito equivalente del IGBT

La base del bipolar no del accesible

La circuitería exterior no puede solucionar el problema
de la eliminación de los minoritarios de la base

Esto da lugar a la llamada

“cola de corriente” (current
tail)
EL IGBT DE POTENCIA

Problema: aumento de pérdidas

de conmutación

Cola de corriente
IGBT
El IGBT ofrece a los usuarios las ventajas de entrada MOSFET, mas la
capacidad de carga en
• corriente de los transistores bipolares:
• • Trabaja con tensión.
• • Alta impedancia de entrada.
• • Tiempos de conmutación bajos.
• • Disipacion mucho mayor.
Laboratorio Simulación
Laboratorio Implementación