EEL105 - Processos de Fabricação de

Dispositivos Microeletrônicos

SEMINÁRIO

Rapid color-switching micro-LEDs fromsilicon MIS diodes

Professoras: Dra. Denise C.P. de Souza

Aluno: Claudia Rodrigues de Carvalho
 Rapid color-switching micro-LEDs from silicon MIS diodes

Introdução
- O artigo estudado demostra um micro-LEd de silício que alterna emissões
visíveis e infravermelho na ordem e taxas de comutação de até 50 MHz foram
medidas atraves de geradores de pulsos.
- No entanto nenhuma fonte de luz adequada, baseada em silício e compatível
com tecnologia CMOS foi encontrada.

Autores
S. Kuai , A. Meldrum
 Rapid color-switching micro-LEDs fromsilicon MIS diodes

- LED (light emitting diode) é um componente eletrônico

cuja principal característica é a emissão de luz.

- O led é um tipo de diodo de junção PN que se diferencia

dos demais diodos principalmente pelo fato de emitir luz.

- Os leds são polarizados e na maioria dos casos um led

possui dois terminais, um positivo ou ânodo/anodo
(terminal maior) e um negativo ou cátodo/catodo
(terminal menor).
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- O objetivo inicial deste artigo era investigar possíveis

aprimoramentos das velocidades de comutação em
dispositivos de silício em microescala.

- No entanto até o momento após vários testes nenhum

emissor ideal foi encontrado. Cada um dos emissores
testados possui vantagens e limitações.
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Experimentos
- Processo litográfico de várias etapas
Contato em ouro

Camada de aderência
Oxido de Si

Oxido de barreira

Região de band-bending
flexão
Wafer de silício tipo P

Al contato retorno
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Estrutura física e eletrônica dos dispositivos

Os níveis de Fermi de Si do tipo p dopado degeneradamente

e o contato de topo de Au alinham-se de perto, de modo
que por polarização direta ou reversa do dispositivo.
 Rapid color-switching micro-LEDs fromsilicon MIS diodes
Estrutura física e eletrônica dos dispositivos
Os níveis de Fermi de Si do tipo p dopado degeneradamente e o contato de
topo de Au alinham-se de perto, de modo que por polarização direta ou
reversa do dispositivo.

Fig. 2. Diagrama de bandas para o capacitor de Au-Ox-p + Si MIS no equilíbrio (a) e com um polarização
direta de 3V (b). Na polarização direta, uma acumulação de furos é mostrada na região de flexão de faixa. A
corrente de tunelamento Jt é dominada por elétrons em um diodo do tipo MIS p.
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Imagens de microscópio de fluorescência

Fig. 3. (cor on-line) Imagens de microscópio de fluorescência de um diodo M +

tipo p + operado sob condições de polarização direta (superior) e inversa
(inferior)
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Fig. 4. (color online)EL spectra of ap +-type MIS LED

operated in forward (blue)or reverse(red)bias.
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Fig.5. (color online) 20MHz on–off switching for the visible (red points) and IR
(blue points) emission of a single device. This graph is not meant to represent
color–color switching, although we have done color switching in these LEDs by
using an appropriate bias offset.
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Fig. 6. (color online)EL spectra with 2-V

forward bias for different oxide thicknesses.
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Conclusão
Foram fabricados LEDs Si MIS que mostram algumas propriedades
incomuns tais como, comutação de cores, fabricação compatível com
CMOS, sem necessidade de altas temperaturas de recozimento, e
comutação de alta freqüência.

Demonstru-se maneiras inovadoras de se obter excelentes resultados

nas caracteristicas de comutação em dispositivos de silicio .

A Comutação rápida é alcançada em diodos do tipo MIS , porque a

comutação não está relacionada aos tempos de recombinação da
portadora intrínseca, mas à descarga através do circuito .
Bibliografia

- Rapid color-switchingmicro-LEDs from silicon MIS

diodes - S. Kuai , A.Meldrum
- “LED o que é, para que serve, tipos e como funciona”
Disponível em:
<http://www.comofazerascoisas.com.br/led-o-que-e-
para-que-serve-tipos-e-como-funciona.html >Acesso
em 20 de março de 2018.
Obrigado!