Sesión 04:

TRANSISTORES
BIPOLARES (BJT) Y
DE EFECTO DE CAMPO (FET)
 CAPACIDADES

o Implementar circuitos básicos de control.

o Realizar pruebas de funcionamiento de dispositivos
semiconductores.

Esta sesión aporta al logro del siguiente Resultado de la Carrera:

“Los estudiantes identifican las características del BJT, el FET

y sus formas de polarización”.

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 Curvas características. BJT

15/05/2018
3
 Analicemos la curva BJT
característica de salida.

Zona de
activa

Zona de
saturación

15/05/2018
Zona de corte
4
 Ejercicio: BJT

Calcule el valor de las

resistencias para que el
transistor trabaje en zona
activa. Considere como dato la
curva característica de salida.

Considere:
UB = 15V

15/05/2018
5
 Ejercicio: BJT

Determine en que zona está

trabajando el transistor.

Considere:
B = 100

SOLUCIÓN:
1. Modificar el circuito:
𝑹𝟏∗𝑹𝟐 𝑹𝟐
𝑹𝒕𝒉 = 𝑹𝟏+𝑹𝟐 𝑽𝒕𝒉 = 𝑼𝑩 𝑹𝟏+𝑹𝟐
1. Calcular la corriente de base:
2. Calcular la corriente de colector:
Calcular el voltaje colector-
emisor:
15/05/2018
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Contenido.
o Transistores Bipolares (BJT).
• Representación.
• Principio de funcionamiento.
• Modos de operación.
o Transitares de Efecto de Campo (FET).
• Representación.
• Principio de funcionamiento.
• Modos de operación.
o Análisis de circuitos con transistores.
• Ejemplos (varios)
 Introducción
Tipos de transistores que
estudiaremos en este curso.

NPN
BJT
PNP
Ensanchamiento (N ó P)
MOSFET
FET Agotamiento (N ó P)
JFET Canal (N ó P)
IGBT
POTENCIA TIRISTOR
OTROS
 Transistor BJT
Transistor BJT.
La estructura física de
un transistor bipolar
consta de dos uniones
PN dispuestas una a
continuación de la otra.

Obsérvese que el
terminal de emisor se
distingue del colector
por incluir una flecha.
 Transistor BJT
Funcionamiento.
1. Si Vbe < 0.7V, entonces Ib = 0, Ic = 0.
TRANSISTOR BLOQUEADO.
2. Si Vbe > 0.7V, entonces Ib > 0, Ic > 0.
TRANSISTOR ACTIVADO.

𝒊𝒃

𝑽𝒃𝒆 𝒊𝒄

𝒊𝒆
 Transistor BJT
… Funcionamiento

Básicamente, el transistor
dejará fluir la corriente entre
colector emisor siempre que
exista una corriente por el
terminal de base.

Dicho en otras palabras, el

transistor BJT es controlado Corriente
de base
por corriente. Ib

Corriente
colector – emisor.
 Transistor BJT
Modos de operación.
El transistor puede
operar en cuatro
modos en
dependencia de
como se polarice el
mismo.

Al igual que el diodo, el transistor, posee su curvas características

y estas dependen del modo de operación de transistor .
 Transistor BJT
Obtención de las curvas
características.

Curva característica Curva característica de

de entrada salida
Ib = f(Vbe) Ic = f(Vce)
En esta curva se registra los
modos o zonas de
operación del transistor.
 Transistor BJT
Curva Característica de entrada.

Se obtiene relacionando
la corriente de base (Ib)
respecto a la tensión
base emisor del
transistor (Vbe)
 Transistor BJT
Curva Característica de salida.

Para que una corriente de

colector pueda fluir, debe
estar presente primero una
corriente de base. Por lo
tanto, en el diagrama según
la Figura se muestra que la
corriente de colector no
está sólo en la función de la
tensión colector-emisor,
sino también de la corriente
de base.
 … Curva característica de salida. Transistor BJT

(Análisis)

Región en la que el
transistor puede
quemarse.
En transistor trabajará
como amplificador.

En transistor trabajará
saturado.
Por tanto, para
saber en que región
está trabajando el
transistor, se debe
conocer:
- Corriente de
base (Ib).
- Corriente de Vce=0.2 V
colector (Ic). En transistor no
- Voltaje colector funciona.
emisor (Vce)
 Transistor BJT
Ejemplo:
Hallar el punto de operación del siguiente transistor.
Considere:
RC = 470 ohm
RE = 690 ohm
R1 = 570 Kohm
R2 = 100 Kohm
B = 105
UB = 15V
 Transistor BJT
… Ejemplo:
Hallar el punto de operación del siguiente transistor.
Considere:
RC = 470 ohm
RE = 690 ohm
R1 = 570 Kohm
R2 = 100 Kohm
Circuito
B = 105
Equivalente
UB = 15V

SOLUCIÓN:
1. Modificar el circuito:
𝑹𝟏∗𝑹𝟐 𝑹𝟐
𝑹𝒕𝒉 = 𝑹𝟏+𝑹𝟐 𝑽𝒕𝒉 = 𝑼𝑩 𝑹𝟏+𝑹𝟐
1. Calcular la corriente de base:
2. Calcular la corriente de colector:
Calcular el voltaje colector-
emisor:
 Transistor FET
Transistor FET.
Los Transistores de Efecto de Campo – FET se
denominan así por que durante su
funcionamiento la señal de entrada crea un
campo eléctrico que controla el paso de la
corriente a través del dispositivo. Dicho en
otras palabras, el flujo de la corriente eléctrica
será controlada por voltaje.
 Transistor FET
Estructura física.
Básicamente los FET tienen tres
terminales:

• Source (Fuente)
• Gate (Compuerta)
• Drain (Drenaje)

El terminal Source corresponde

al Emisor, el terminal Gate a al
Base, y el terminal Drain al
Colector en el caso de los
transistores bipolares.
 Transistor FET
Tipos.
Ensanchamiento (N ó P)
MOSFET
Agotamiento (N ó P)
FET
JFET Canal (N ó P)
 Transistor FET
Comparación con los BJT.
Los FETs poseen las siguientes
características en comparación con los
BJTs.

• Impedancia de entrada alta.

• Impedancia de salida baja.
• Tiempo de conmutación mas rápido
que el BJT.
• Consumo de potencia baja.

Por estas características los FETs son mas

utilizados en la electrónica digital.
 Transistor FET
JFET JFET
(Transistor de Efecto de Campo de Unión)
Barrera de
Observe la figura: potencia.
• El polo positivo de la fuente
UDS está conectado al
material tipo N.
• El polo negativo de la fuente
UGS está conectado al
material tipo P.

En estas circunstancias la
barrera de potencia se
ensanchará o estrechará según
el nivel de voltaje en la fuente
UGS. JFET – CANAL N

Si UGS aumenta, las barreras de potencial se ensanchan y

por tanto la corriente entre D-S disminuye..
 Transistor FET
Tipos de JFET JFET
 Transistor FET
Simbología y circuitos básicos. JFET
Para un FET canal N,
se debe suministrar
una tensión
negativa (-UGS).

Para un FET canal P,

se debe suministrar
una tensión positiva
(+UGS).
 Transistor FET
Curvas características JFET
JFET canal N.

Curva característica de Curva característica

control de transferencia. de salida.
 Transistor FET
Curva de Control de JFET
transferencia.
 Para una tensión UGS = 0, la
corriente IDS es máxima, a la cual
se le denomina Corriente de
Drenaje en saturación (IDSS).
 Para una tensión UGS = VP, la 𝑰𝑫𝑺𝑺
corriente IDS es cero. A esta
tensión se le denomina tensión
corte (VP).
 La curva está representada por la
siguiente expresión:
𝑽𝑮𝑺 𝟐
𝑰𝑫𝑺 = 𝑰𝑫𝑺𝑺 . (𝟏 − )
𝑽𝑷
 Transistor FET
Curva de Salida. JFET
Para una tensión
UGS=cte. Si
Se comporta
aumentamos la A un aumento de VDS la ID se
como una
tensión VDS, la mantiene casi constante.
resistencia.
corriente IDS EN ESTA ZONA DEBE
aumentará siguiendo TRABAJAR UN JFET
la ley de OHM. Por tal
motivo a esta zona se 𝑰𝑫𝑺𝑺
le denomina OHMICA.

Si seguimos
aumentando la
tensión VDS, la
corriente IDS se hace
casi constante. A esta
zona se le denomina
de SATURACIÓN, y es
donde realmente debe
trabajar un transistor
FET. Curva característica
de salida.
 Transistor FET
Ejemplo: JFET
En que zona está trabajando el transistor?.

Considere:
RD = 470 ohm
RS = 690 ohm RD
R1 = 570 Kohm IDSS = 9mA Id
R2 = 100 Kohm
VDC = 15V
Datos del transistor.
Vds
IDSS = 9mA Vgs
VP = -5V
VP = -5V
Solución:
Para saber en que zona está trabajando en RS
transistor, hay que calcular los siguientes
parámetros.
• Corriente de drenaje (Id).
• Voltaje entre gate – source (Vgs).
• Voltaje entre drenador – source (Vds)
 Transistor FET
… Ejemplo. Solución. JFET
Paso 01: Modificar el circuito.

RD = 470 ohm
RS = 690 ohm
R1 = 570 Kohm RD
R2 = 100 Kohm
VB = 15V Circuito
Datos del transistor. Equivalente RD
IDSS = 9mA
VP = -5V

RS
RS

Modificar el circuito:
𝑹𝟏∗𝑹𝟐 𝑹𝟐
𝑹𝒕𝒉 = 𝑽𝒕𝒉 = 𝑼𝑩
𝑹𝟏+𝑹𝟐 𝑹𝟏+𝑹𝟐
 Transistor FET
… Ejemplo. Solución. JFET
Paso 02: Encontrar la curva de control de transferencia.
𝑽𝑮𝑺 𝟐
𝑰𝑫 = 𝑰𝑫𝑺𝑺 . (𝟏 − ) ID (mA)
𝑽𝑷
10
𝑽𝑮𝑺 𝟐
𝑰𝑫 = 𝟗𝒎𝑨. (𝟏 − ) 9
−𝟓𝑽
8

VGS (V) ID (mA) 6

0 9 5
-2 3.24 4
-3 1.44
3
-5 0
2

-8 -7 -6 -5 -4 -3 -2 -1 0 1 2 3 4 5 6 7 8

VGS (V)
 Transistor FET
… Ejemplo. Solución. JFET
Paso 03: Encontrar la recta del punto de trabajo.
𝑽𝒕𝒉 = 𝑽𝒈𝒔 + 𝑰𝒅(𝑹𝒔)
ID (mA)

VGS (V) ID (mA) 10

𝑽𝑮𝑺 = −𝟏. 𝟒𝑽
2.24 0 9 𝑰𝑫 = 𝟓. 𝟐𝒎𝑨
8
0 3.2
7

6
Punto de 5.2mA
5
operación
4

-8 -7 -6 -5 -4 -3 -2 -1 0 1 2 3 4 5 6 7 8
-1.4V
VGS (V)
 Transistor FET
… Ejemplo. Solución. JFET
Paso 04: Encontrar el voltaje Vds.
𝑽𝒅𝒔 = 𝑼𝒃 − 𝑰𝒅(𝑹𝑫 + 𝑹𝑺)
ID (mA)
10
𝑽𝑮𝑺 = −𝟏. 𝟒𝑽
9 𝑰𝑫 = 𝟓. 𝟐𝒎𝑨
8 𝑽𝑫𝑺 = 𝟖. 𝟗𝟔𝑽
7

6
Punto de 5.2mA
5
operación
4

-8 -7 -6 -5 -4 -3 -2 -1 0 1 2 3 4 5 6 7 8
-1.4V
VGS (V)
 Transistor FET
… Ejemplo. Solución. JFET
Paso 05: Encontrar en que zona se encuentra trabajando el JFET.
𝑽𝒅𝒔 > 𝑽𝒈𝒔 − 𝑽𝒑; 𝒛𝒐𝒏𝒂 𝒅𝒆 𝒔𝒂𝒕𝒖𝒓𝒂𝒄𝒊ó𝒏 𝑽𝑮𝑺 = −𝟏. 𝟒𝑽
𝑽𝒅𝒔 < 𝑽𝒈𝒔 − 𝑽𝒑; 𝒛𝒐𝒏𝒂 𝒅𝒆 𝒐𝒉𝒎𝒊𝒄𝒂 𝑰𝑫 = 𝟓. 𝟐𝒎𝑨
𝑽𝑫𝑺 = 𝟖. 𝟗𝟔𝑽

RPTA:
El transistor se
encuentra en zona
de saturación.
Resumen.

NPN
BJT
Controlado PNP
por corriente
El transistor deja circular
MOSFET corriente cuando se supera un
umbral en Vgs.
FET
El transistor deja circular
Controlado JFET
corriente aún cuando no hay
por voltaje
voltaje Vgs.
Estudiar.

EL IGBT Y SUS
TRANSISTORES DE
APLICACIONES
POTENCIA
EL UJT Y SUS
APLICACIONES
GRACIAS