El diodo de unión

• La unión PN en equilibrio.
• Polarización del diodo. Polarización
directa e inversa.
• Curva característica. Influencia de la
temperatura.
• El diodo como rectificador.
• El diodo Zener.
• Diodos LED
• El diodo Schottky
 La unión PN en equilibrio
P N A temperatura ambiente, los
huecos de la zona p pasan por
difusión hacia la zona n y los e-
de la zona n pasan a la zona p.
En la zona de la unión, huecos y
e- se recombinan, quedando una
estrecha zona de transición
Ipdif Ipdes con una distribución de carga
300
0 K K
Indes Indif debida a la presencia de los
V0 iones de las impurezas y a la
r ausencia de huecos y e-.
E
Se crea, entonces un campo
eléctrico que produce
corrientes de desplazamiento,
que equilibran a las de
Xp Xn
difusión.
 La unión PN en equilibrio
pp0 » NA nn0 » ND
E
Xp Xn

np0 pn0

Distribución de las concentraciones

de portadores de carga
qND

Campo eléctrico en el diodo

Xp + Xn
0
V
- V0
Xp Xn
-qNA Diferencia de potencial
Distribución de carga
 La unión PN en equilibrio
pp 0 nn0
V0  Vxn  Vxp  VT ln  VT ln VT = 0.026 V a 300 K
pn 0 np0

Sustituyendo los valores de las concentraciones de impurezas:

NAND
V0  Vxn  Vxp  VT ln 2
ni

V0 se llama Potencial de contacto y representa la diferencia de

potencial entre los extremos de la zona de transición con la unión en
circuito abierto y en equilibrio.
V0 = 0.7 V para diodos de Si y V0 = 0.3 V para diodos de Ge, a 20 ºC
 Polarización del diodo
Polarización directa
r
E V0
V0 - VD

I VD

VD crea un campo eléctrico opuesto al de la unión, disminuye el Etotal en la unión

y la barrera de potencial: V´=V0-VD, y aumenta la corriente de mayoritarios por
difusión.
 Polarización inversa

r
E
V0 + VI

V0

VI I0 <<<<

VI crea un campo eléctrico en el mismo sentido que el de la unión, aumenta el Etotal,

aumenta la diferencia de potencial: V´=V0+VI, y disminuye la corriente de mayoritarios.
Favorece el desplazamiento de huecos hacia la zona p y de e- hacia la zona n,
ensanchándose la zona de transición. Pero estos h+ y e- provienen de zonas donde
son minoritarios. El resultado es que fluye una pequeña corriente I0, debida únicamente
a los pares e-h+ que se generan por agitación térmica llamada CORRIENTE INVERSA
DE SATURACIÓN.
 El diodo: dipolo no lineal
Polarización directa

R
I

0.0000 mA 0 mV

0
V
 Curva característica
 VV 
I  I0  e T
 1
0,15  
I (mA)

kT
0,05
VT 
qe
I0 < mA
Io
0,2 0,4 0,6 0,8
-0,05
V (V)

VT(300 K) = 25.85 mV I0: Corriente inversa de saturación

k (Constante de Boltzmann) = 1.38·10-23 JK-1
 Aproximaciones o modelos del diodo

1ª aproximación: diodo ideal I

En el modelo del diodo ideal se

equipara éste a un cortocircuito o a
un circuito abierto, según cómo
esté conectado.
V

R R

I I
I
 Aproximación lineal (2ª)
Se considera que el diodo conduce sin
resistencia por encima de la tensión umbral, y
no conduce por debajo de la misma. Esto
I
equivale a considerar un diodo como un
interruptor o un diodo ideal en serie con un
receptor.
VU= 0.3 V para el diodo de Ge

VU= 0.7 V para el de Si.

VU V
R=1k R=1k
V0 = 6V V0 = 6V
I I VU=0.7 V
V0  VU 6  0.7
I   5.3 mA
R 1k
 Aproximación lineal (3ª)
La 3ª aproximación es
un diodo ideal con una
resistencia en serie y
0,15 V = Vu + IRd
una fuente de tensión.

Rd = DV/DI
R=1k I (mA) DI
0,05
V0 = 6V I DV
Io
0,2 0,4 0,6 Vu 0,8

R=1k -0,05
V (V)

V0 = 6V I
Rd = 500 
VU=0.7 V V0  VU 6  0 .7
I   3.5 mA
R 1000  500
 Tres modelos de diodo
ID

Diodo ideal
(1ª aproximación)

VD

ID
VU

Modelo simplificado
(2ª aproximación)

VU VD

ID
VU RD RD

Modelo lineal
(3ª aproximación)

VU VD
 Influencia de la temperatura
Eg

I0  CT 3 e kT

Eg: Anchura de la banda prohibida en J y 300 K.

k: Constante de Boltzmann.
C: Coeficiente característico de cada semiconductor.
0.2
kT
VT 
qe
0.1
I (mA)

300 K
310 K
320 K
-0.1
-70 -20 30 80 V (mV)
Capacidad de la unión p-n
V0 -qNA +qND
p n
r
E

xp xn
-qNA +qND xp xn

Varactores
 El diodo como rectificador
De media onda:
V
V

~ salida
t
t

De onda completa:

~
V

Salida

~
 Diodo Zener
I

El diodo Zener funciona en Tensión Zener

polarización inversa utilizando

el fenómeno de conducción por
ruptura o avalancha. Vz
Para una tensión inversa dada,
llamada tensión Zener, ésta se V
mantiene constante aunque la
corriente varíe.
En polarización directa
funciona como un diodo
normal.
 Región Zener
Se debe a una fuerte generación de portadores en la
zona de transición debido a estas dos causas:

• Multiplicación por avalancha

• Ruptura Zener

En la práctica, ambos fenómenos se confunden. Se habla

de “zona zener” y de “tensión zener” y de “zona de
avalancha” y de “tensión de avalancha”.
 Multiplicación por avalancha
Se produce con tensiones inversas mayores de 5 V. El campo eléctrico acelera
los portadores minoritarios que atraviesan la zona de transición con la energía
cinética suficiente para romper enlaces covalentes generando más portadores. Si
el campo es suficientemente intenso, los nuevos portadores vuelven a chocar y
generar más portadores. Se produce una reacción en cadena que genera
muchísimos portadores. El dopado controla el fenómeno de avalancha: cuanto
más débil es, a mayor tensión se produce.

zona de transición

Portador
minoritario

P ligeramente dopado avalancha de electrones N altamente dopado

 Ruptura Zener
Para tensiones por debajo de 5 V. El campo eléctrico es suficientemente
intenso como para romper directamente enlaces. Ambos dopados deben ser
muy intensos (»1024 átomos/m3 ).

zona de transición

P altamente dopado N altamente dopado

 Modelización del diodo Zener
R R
Vs< Vz 
No conduce
V0 Vz Vs V0 Vs< Vz

I
R
Vs= Vz 
Conduce
Vz 
V0 Vz Vs= Vz
V


 Diodo Zener: aplicaciones
Regulador de R=1k Las tensiones Vz» [3 - 20V]
tensión Vs
Vs = VZ=
V0 = 6V I Vz=5V 5V
V  Vz 6  5
I 0   1 mA
R 1k

Atenuador de P = VzI = 5V·1mA = 5 mW

rizado

Vs = Vz
V V
Vrizada

t Vz Vs t
V0
 Diodo Schottky

• Basado en una unión metal–semiconductor.

• No existen portadores minoritarios en la parte
metálica, por lo que el tiempo de recuperación
inverso es mucho menor. +-
+-
• Se polariza de modo directo conectando el
+-
semiconductor tipo n al cátodo, y el metal al +-
- +
ánodo +-
• Existe zona de carga espacial sólo en el lado +-
semiconductor. +-
• El flujo de corriente no se debe a la difusión +- metal (W,
+- Mo,...)
de portadores como en la unión p-n.
• En ambos lados el portador mayoritario es el +-
n
electrón.
• Rectifica corrientes alternas del orden de los
GHz.
 Diodos emisores de luz (LED)
En cualquier unión p-n polarizada de
modo directo existe en la zona de
unión una recombinación de huecos y BANDA DE CONDUCCIÓN

electrones.
En los diodos de silicio y germanio la FOTÓN

energía emitida en la recombinación BANDA DE VALENCIA

es mayoritariamente en forma de
calor. P N
En los de GaAsP y GaP es, de modo
significativo, en forma de luz visible:
electroluminiscencia.
 Color de la luz emitida por LED
GaAs dopado con Zn

GaP dopado con Zn IR

I
GaAs0.6P0.4

GaAs0.35P0.65

GaAs0.15P0.85

GaP dopado con N

1 2 3 V (V)

SiC, ZnSe
Intensidad a través del diodo
10 V 2 k

0.7 V
7V
i i
35 k
Intensidad a través del diodo
12 V 30 k

0.3 V
i
10 k
5 k
i2 i1

12 = 30i + 5i1 + 0.3

 i1= 0.216 mA
12 = 30i + 10(i - i1)
 Intensidad a través del diodo
70 k

0.7 V
0.25  80 20
 10  0.7
20 V J2   43.6 mA
J2 80  10
10 k  10 40
30 k

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 El diodo como rectificador

Si Vu = 0,7 V
V 5V
4,3 V

~ salida
0,7 V