TEMA 3

EL TRANSISTOR BJT

TECNOLOGÍA ELECTRÓNICA 1
 T3. EL TRANSISTOR BJT

1. Introducción
2. Tipos de transistor bipolar
3. Transistor. Operación básica
4. Transistor en corte
5. Transistor en saturación
6. Transistor en región activa
7. Cuadripolos
8. Límites de operación del transistor BJT

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1. INTRODUCCIÓN

 Es la base de la electrónica actual. Presentado en 1947 por

Schockley, Bardeen y Brattain.
 Se considera un elemento activo.
 Se encuentran como componente discreto o agrupado en
circuitos integrados como operacionales, microprocesadores, etc.
 Cumple las funciones básicas de:
 Amplificador
 Conmutador
 Resistencia variable

Fig. 2 Primer transistor laboratorios Bell

Fig. 1 Algunos modelos de transistores comerciales

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1. INTRODUCCIÓN

1 Amplificador 2 Conmutador controlado

G>1

3 Resistencia variable

Vout depende de la señal de control

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2. TIPOS DE TRANSISTOR BJT (Bipolar Junction Transistor)

 NPN  Formado por dos capas de material tipo n y una capa
de material tipo p.
 PNP  Formado por dos capas de material tipo p y una capa
de material tipo n.

 La base suele ser mucho más estrecha que colector y emisor,

que tampoco suelen ser del mismo tamaño.
 El emisor debe estar muy dopado, la base poco dopada y
colector menos dopado que el emisor.

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3. TRANSISTOR. OPERACIÓN BÁSICA

 El Transistor opera en distintas regiones en función de
la polaridad aplicada a sus terminales.
UNIÓN BASE-EMISOR UNIÓN BASE-COLECTOR ESTADO DEL TRANSISTOR

INVERSO INVERSO CORTE

DIRECTO DIRECTO SATURACIÓN
DIRECTO INVERSO ACTIVO
INVERSO DIRECTO ACTIVO INVERSO

 La región activa inversa no se utiliza

por limitaciones constructivas, ya que el
fabricante optimiza el transistor para su
uso en región activa.

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4. TRANSISTOR EN CORTE
 Transistor en corte
ISE≈0

E C

IB= ISE +ISC ≈0 B ISC≈0

 Al estar las dos uniones polarizadas en inversa las regiones de

agotamiento evitan que se establezca corriente de mayoritarios.
Por tanto, un transistor en corte equivale a un circuito abierto.
 A nivel práctico para polarizar el transistor en corte basta con no
polarizar en directa la unión base-emisor del mismo (VBE=0).
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4. TRANSISTOR EN CORTE
 Transistor emisor-común en corte

CIRCUITO EQUIVALENTE

¡¡NO EXISTE CORRIENTE EN EL TRANSISTOR!!

IB=IC=IE=0

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4. TRANSISTOR EN CORTE
 Ejemplo 1:
Calcular las tensiones VBE, VBC y VCE así como las corrientes IB, IC e IE del
circuito de la figura 7, cuando EB = 0 V.

Solución:
 IC=0A # IB=0A # IE=0A
 VBE=EB=0V # VCE=10V # VBC=VBE-VCE= -10V

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5. TRANSISTOR EN SATURACIÓN
 Transistor en saturación
IE= IB +IC≈ IC

E C

IC
B IB

 Al estar las dos uniones polarizadas en directa, la tensión entre el

colector y el emisor en saturación será: VCE = VBE-ON – VBC-ON
 La tensión VBE-ON es aproximadamente 0’7 V, mientras que VBC-ON
es de 0’5 V, por tanto VCE=0’2V.
 La conexión colector emisor es prácticamente un cortocircuito y la
corriente circulante depende del circuito conectado a la salida.
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5. TRANSISTOR EN SATURACIÓN
 Transistor emisor-común en saturación
Resistencia
limitadora de CIRCUITO EQUIVALENTE
corriente

¡¡LA CORRIENTE EN EL COLECTOR DEPENDE DE LA MALLA

COLECTOR-EMISOR!!
IC=VCE/R APROXIMANDO IC≈IE YA QUE IB<<IC
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5. TRANSISTOR EN SATURACIÓN
 Ejemplo 2:
Calcular las tensiones VBE, VBC y VCE así como las corrientes IB, IC e IE del
circuito de la figura, cuando EB = 15 V.

Solución:
 IC=10mA # IB=0’143mA # IE=IC+IB=10’143mA
 VBE=0’7V # VCE=0V # VBC=VBE-VCE=0’7V

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5. TRANSISTOR EN SATURACIÓN
 Ejemplo 3:
Calcular las tensiones VBE, VBC y VCE así como las corrientes IB, IC e IE del
circuito de la figura, cuando EB = 20 V.

Solución:
 IC=10mA # IB=0’193mA # IE=IC+IB=10’193mA
 VBE=0’7V # VCE=0V # VBC=VBE-VCE=0’7V
Conclusión: En saturación la corriente de colector (IC) es
independiente de las variaciones de la corriente de base (IB)
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6. TRANSISTOR EN REGIÓN ACTIVA

 Transistor en activa
IE= IB +IC

E C

IB IC=β∙IB
B

 Al estar la unión B-E polarizada en directa y la unión B-C en

inversa, se produce el “efecto transistor” que se caracteriza por:
 Conducción a través de la unión B-C pese a estar polarizada en inversa.
 La corriente de base es muy inferior a la de colector.
 La corriente de colector es proporcional a la corriente de base, es decir, la
corriente en colector está controlada por la corriente en la base.
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6. TRANSISTOR EN REGIÓN ACTIVA

 Transistor emisor-común en activa
CIRCUITO EQUIVALENTE
IC=β∙IB

¡¡LA CORRIENTE EN EL COLECTOR DEPENDE DE LA MALLA DE

BASE!! IC=β∙IB APROXIMANDO IC≈IE YA QUE IB<<IC
GANANCIAS DE CORRIENTE EN CONTINUA:
I E  IC  I B GANANCIA COLECTOR-EMISOR GANANCIA COLECTOR-BASE

IC
  20  200
IB
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6. TRANSISTOR EN REGIÓN ACTIVA

 Ejemplo 4:
Calcular VBE, VBC y VCE así como las corrientes IB, IC e IE cuando EB = 5 V. La
ganancia de corriente del transistor es β= 100.

Solución:
 IC=4’3mA # IB=0’043mA # IE=IC+IB=4’343mA
 VBE=0’7V # VCE=5’7V # VBC=VBE-VCE=-5V IC=β∙IB
 α=4’3/4’343=0’99
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6. TRANSISTOR EN REGIÓN ACTIVA

 Ejemplo 5:
Calcular VBE, VBC y VCE así como las corrientes IB, IC e IE cuando EB = 7 V. La
ganancia de corriente del transistor es β= 100.

Solución:
 IC=6’3mA # IB=0’063mA # IE=IC+IB=6’363mA
 VBE=0’7V # VCE=3’7V # VBC=VBE-VCE=-3V # α=6’3/6’363=0’99
Conclusión: Una variación de corriente en la base de tan sólo 20µA
provoca una variación en la tensión VCE de 2 V. Este es el principio de
la amplificación analógica de señales.
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6. TRANSISTOR EN REGIÓN ACTIVA

NPN PNP
I E  IC I E  IC

IB  0 IB  0

En resumen, para la región activa:

 La corriente de colector (IC) depende de las variaciones de la
corriente de base (IB). Es decir se comporta como una fuente de
corriente entre E y C dependiente de IB.
En general, para todas las regiones:
 En el transistor PNP, el razonamiento es análogo al NPN pero
los sentidos de las corrientes y las polaridades son contrarias.
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7. CUADRIPOLOS

Dado que el dispositivo presenta tres terminales, es posible

identificar tres configuraciones distintas para relacionar la
señal de entrada con la de salida, en función de cual de los
tres sea el terminal común.
Ii Io

ENTRADA Vi Vo SALIDA

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7. CUADRIPOLOS

 Transistor NPN en base común

Se utiliza para obtener una fuente de corriente independiente dela carga.

IC=α·IE

SALIDA

B.C. Base Común

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7. CUADRIPOLOS

Transistor NPN en base común

 Ejemplo 6:
IE(mA)

VBE(V)

1. Determinar IC para VCB=20V e IE=5mA.

2. Determinar IC para VCB=5V e IE=5mA.
3. Determinar VBE para los casos anteriores.
4. ¿Cuál es la relación aproximada entre IE e IC en esta
configuración?
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7. CUADRIPOLOS

 Transistor NPN en emisor común

Configuración más utilizada, se emplea fundamentalmente para obtener
amplificación en corriente.
IC=β·IB

SALIDA

E.C. Emisor Común

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7. CUADRIPOLOS

Transistor NPN en emisor común

 Ejemplo 7:

1. Determinar IC para VCE=10V e IB=30µA.

2. Determinar IC para VCE=15V e IB=20µA.
3. Determinar VBE para los casos anteriores.
4. ¿Cuál es la relación aproximada entre IB e IC en esta
configuración?
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7. CUADRIPOLOS

 Transistor NPN en colector común

Se utiliza para acoplamientos de impedancia, ya que esta configuración
presenta alta impedancia de entrada y baja impedancia de salida.
IE=β·IB

SALIDA

C.C. Colector Común

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8. LÍMITES DE OPERACIÓN

 Región de funcionamiento
Trabajar dentro de la región de operación garantiza que no se rebasan
los valores máximos de funcionamiento.

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