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AMPLIFICADORES BJT CON

MODELO 𝑟𝑒
AMPLIFICADORES BJT EN PEQUEÑA SEÑAL CON
MODELO 𝑟𝑒
Considerando que el análisis y diseño de amplificación requiere de
componentes de cd y ca, es imprescindible tener en cuenta el
teorema de superposición, ya que nos permite realizar el análisis
de las respuestas cd y ca del sistema.
CONFIGURACIÓN DE POLARIZACIÓN FIJA
EN EMISOR COMÚN
• La primera configuración que se analizará en detalle es la red de polarización fija en emisor común de la figura 5.20 y
reemplazando los capacitores por equivalentes de cortocircuito en la figura 5.21
• En la figura 5.21 se observa que la tierra de la fuente Vcc y el emisor permite reubicar Rb y Rc en paralelo con las
secciones de entrada y salida del transistor respectivamente. Además se observa la incorporación de los importantes
parámetros Zi, Zo, Iie Io. Sustituyendo el modelo re para la configuración de emisor común se obtiene el siguiente
circuito equivalente en la fig. 5.22
• El siguiente paso es determinar b, re y ro. Zi = 𝑅𝐵 || 𝛽re
• Siendo 𝑅𝐵 es por lo menos 10 veces mayor que β*re por lo que
se puede hacer la siguiente aproximación Zi ≅ 𝛽re
• Teniendo

𝑍0 = 𝑅𝑐 ||𝑟0 𝑍0 ≅𝑅𝑐
• Los resistores 𝑟0 y 𝑅𝑐 están en paralelo 𝑉 = − 𝛽𝐼 (𝑅 ||𝑟 )
0 𝑐 𝑐 0
• Como: 𝑉𝑖
𝐼𝑏 =
𝛽𝑅𝑒
• Reemplazando : 𝑉𝑖
𝑉0 = − 𝛽 (𝑅𝑐 ||𝑟0 )
𝛽𝑅𝑒
• Y: 𝑉0 (𝑅𝑐 ||𝑟0 )
𝐴𝑣 = =
𝑉𝑖 𝑟𝑒
• Si 𝑟0 ≥ 10𝑅𝑐 , de modo que podemos pasar por alto el efecto de
𝑟0 ,
𝑅𝑐
𝐴𝑣 =
𝑅𝑒
CONFIGURACION EN EMISOR
SEGUIDOR
CONFIGURACIÓN COLECTOR
COMÚN.
Cuando la salida se toma de la terminal
del emisor del transistor

La red se conoce como emisor seguidor

El voltaje de salida siempre es un poco


menor que la señal de entrada
• Debido a la caída de la base al emisor

El voltaje en el emisor está en fase con la


señal Vi.
• Alcanzan sus valores pico positivos y negativos al
mismo tiempo

Configuración en emisor seguidor.


El hecho de que Vo “siga” a la magnitud
de Vi con una relación en fase, explica la
terminología emisor seguidor
Utilizan para propósitos de igualación de frecuencia

Presenta alta impedancia a la entrada y baja impedancia a la salida

El efecto resultante es casi como el obtenido con un transformador


Sustituyendo el circuito equivalente 𝑟𝑒 en la
red de la figura anterior se obtiene la red

ti
Definición de la impedancia
de salida para la configuración
en emisor seguidor

Relación de fase
Vo y Vi están en fase

RE casi siempre
es mucho mayor
que re
CONFIGURACIÓN EN BASE Común

(a) Transistor BJT en base común; (b) circuito equivalente de la configuración de (a).

fuente controlada que


Para la CBC de la figura define la Ic en (b), se opone
En cuanto al CTO de salida
(a) el transistor npn a la dirección de la FC de la
recordamos que la Ic está
empleado, presentará la CEC. La dirección de la Ic en
relacionada con la del emisor
el CTO de salida se opone
misma posibilidad en el por α.
ahora a la corriente de
CTO de entrada en CEC y salida definida.
se remplaza por diodo
lo puede
Para la
reemplazar su
respuesta de ca, re = 26 mV/Ie
resistencia de ca
al diodo
equivalente
Con las características de la
fig. Se puede determinar una Las líneas casi horizontales
resistencia de salida adicional indican que la resistencia de
casi del mismo modo que las salida ro será bastante alta.
características del CEC

Circuito equivalente re en base común.


se caracteriza por tener una impedancia de
entrada baja e impedancia de salida

una ganancia de corriente menor que 1.

La ganancia de voltaje, sin embargo, puede


ser bastante grande.

En general, las CBC tienen una impedancia de


entrada muy baja porque en esencia sólo es re,
los valores normales se extienden desde unos
cuantos ohms hasta tal vez 50Ω . La
impedancia de salida en general, está en el
intervalo de los megaohms.
La impedancia de salida ro del
transistor no se incluye para la
CBC, ya que por lo general está
en el intervalo de los megaohms
y puede ser ignorada en paralelo
con el resistor RC.

Sustitución del circuito


equivalente re en la red
equivalente de ca de la figura
Relación de fase Efecto de ro

Av número positivo está en el intervalo


megaohms y más
muestra que Vo y Vi están grande que la
en fase resistencia en
paralelo RC

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