100光電元件講義

授課人：電機系羅文雄
學分：三學分
課程內容與簡介
一、LED(發光二極體)、PD(光二極體)係屬相對性元
件，請簡述兩者在操作、機制、原理、及特性要求
上之相對差異處？
二、若要製作出一個半導體LD(雷射二極體)，在機
制、原理上所需達到的條件為何？
三、太陽能電池之I-V曲線中，主要被用以評估特性
之重要參數為何，並簡述其定義？
一、請簡述LED(發光二極體)、LD(雷射二極體)兩光
電元件在操作、機制、原理、及特性的主要異同？
二、請簡述光二極體(PD)、太陽能電池(SC)，兩光電
元件在操作、機制、原理、及特性的主要異同？
三、太陽能電池之I-V曲線中，重要三個參數藉何結
構參數來控制？
一、整流二極體重要參數及影響該些重要參數之機制
起源？
二、就你所知，簡述光二極體相關特徵？
三、簡述發光二極體特徵並與光二極體作相異說明？
四、簡述ROM與RAM之異同？
一、透納二極體重要參數及其在多接面太陽能電池所
扮演之角色？
二、就你所知，簡述發光二極體與雷射二極體之相關
特徵？
三、簡述光二極體與太陽能電池之相異說明？
四、簡述DRAM與SRAM？
一、學習目標：
1、了解目前光電工程與微電工程之基本異同處。
2、了解主要光電元件如LED常使用之光電元件與系統。
3、了解光電、LD、PD、Solar Cell、Display等。
4、了解光纖通訊、光放大原理等。
二、能力培養：
1、增進對光電領域中相關獨立元件之光、電、物性之了解。
2、對光電材料、元件與系統之進一步認識以做為就業與深造之基礎。
3、能完全知道LED與LD之異同(含發光原理與機制)。
4、能完全了解各種太陽能電池之機制原理與應用層面
三、學習內容：
1、二極體之應用。
2、太陽能電池。
3、發光二極體、雷射二極體。
4、光通訊。
四、上課方式與教材：
1、方式：a) 投影片授課與板書輔助教學。
2、教材：a) 授課講義。
五、評比：學期成績。
1、期中口試：佔學期成績60% 。
2、期末筆試：佔學期成績40% 。
3、其他：主題報告20%，題目於課堂中提出(選擇性)
六、課後輔導與 Office Hours：

1、Office：Room 504，TEL：6233。
2、可以email詢問，email address：wslo@mail.ntou.edu.tw
七、其他補充說明事項：
1. 整流二極體：第一、三象限。
2. 發光二極體：第一象限。
3. 雷射二極體：第一象限。
4. 穿隧二極體：第一象限。
5. 齊納二極體：第三象限。
6. 光偵測二極體：第三象限。
7. 光伏打二極體：第四象限。
I(mA)
1. Ron：
Vr：
Ron
IS Is：
VBD
V(V) ROFF：
Vr
ROFF VBD：
National Taiwan Ocean University

Department of Electrical Engineering
Semiconductor Laboratory
Pumping 反轉

EFn
Ecp Ecn
（未形成接面）
Evp Evn
EFp
Ecp
Evp
EFp EFn
Ecn
Evn
Ecp EFn
Ecn
qVF
Evp
EFp Evn
LED照明績效特徵(Key Performance)
1、耗功率: 瓦數(W)
2、亮度：流明(Lm)
3、照度：單位面積流明數(Lm/m2=Lux)
4、光效：流明/瓦=Lm/W
5、轉換效率：光功率/電功率
6、色溫：代表發光顏色與白光之關聯性
7、演色性：表示與太陽光下之比較
LED績效特徵(Key Performance)
1、亮度：流明(Lm)
2、光效：流明/瓦=Lm/W
3、轉換效率：光功率/電功率
4、出光效率：
LED封裝特徵(Package)
1、電極佈局：
2、透鏡：
3、反射鏡：
4、反射杯：
5、折射層：
6、磷光體與散射粒：
LED績效特徵(Key Performance)
1、電極佈局與覆晶封裝：
2、折射層：
3、出光透鏡與反射杯設計：
4、粗糙面與量子晶體：
5、電流阻擋層：
6、電流擴散層：
1. Laser全名： Light A m plication by Stim ulating
Em ission of Radiation。
2. 何謂激勵發射？何謂自我發射？
(LD) (LED)

3. 光與導（價）帶上電子的關係：
hv hv
光激勵發射
光吸收
4. 光激勵放大的條件：
粒子反轉
條件
共振腔
5. 說明LED與LD最大差異。
Ecp
Evp
EFp EFn
Ecn
Evn
Evp
EFp EFn
Ecn
VF=0
Evp
EFn
EFp
Ecn
VF=V1

Evp
EFn
EFp
Ecn Ecp EFn
Ecn
VF=V2 qVF
Evp
EFp Evn
Evp EFn
EFp
Ecn
VF=V3 V2
EFn
Evp Ecn V1 V3
EFp
V4
VF=V4

金屬
金屬與p型半導體之歐姆接觸： R1 p+
p R2
金屬與n型半導體之歐姆接觸：金屬
R1 n+
n R2
n型半導體與p型半導體的歐姆連接：
p
? ( p和n不能形成pn二極體)
n
5. TD在Solar Cell 中扮演非常關鍵的歐姆連接角色！

說明之
VZ
Imin
斜率可知RZ
Imax

3 . 穩壓原理：
Rs
IS IL
VS
IZ RL
DZ
狀況Ⅰ：RL固定，VS變化
若VS↑則IS↑，多出來的電流會流入DZ（DZ的電流變大，不會增加電壓VZ）使得IL、
VL=VZ不變。
若VS↓則IS↓，少掉的電流是DZ（DZ的電流少掉，不會減少電壓VZ，除非小於Imin）
使得IL、VL=VZ不變。

一.原理：
Ln
hv Ecp
Eg
EFp
p Evp
Ecn
n EFn
空乏區 Evn
WR Lp

1. hv  E g
2 . 操作反偏
3 . I-V曲線：
Idark
IL1 I1(hv)
＞
IL2 I2(hv)
4 . 光在哪吸收可產生光電流？
5 . Review：擴散長度 Ln  Dn n
L p  D p p
6 . P top：Top – layer thickness 不能太厚。
7 . λlight 與 I L關係（Review:α為吸收係數）

半導體
hv p n
I(hv)
I0
α2> α1
α1
α2 I0e-αx
λ↑,α↓
Eg
光響應
λ太小,表面吸收,偵測不到。
λ太大,不吸收,偵測不到。
8 . 速度快慢與光響應關係：
W↑R↑V↑
W↓R↓V↑ National Taiwan Ocean University

Windows layer
9 .結論
E g1
qV R
E g1
☆ E g2< h v < E g
1

1 . 工作原理：能帶圖
2 . PD需要使用電源使之反偏，SC則直接連接負載, 本身順偏。
＋
IL
＋
PD VD SC RL VL =I LRC
VS
－
IL
－

IL RL
＋ VL －
Ln WF Lp
p hv
qVF
EFp n
EFn
IL
RL

CG
S D
FG
n+ n+

Review of load-line concept
1、從作圖法求解方程式組，到以負載線來求取電路中主動元件所
跨電壓或所流過電流
2、L1表示滿足方程式x-y=0所有點(x, y)的集合。結果為一直線。
3、L2表示滿足方程式2x+3y=6所有點(x, y)的集合。結果也為一直線。
4、兩直線交點即為滿足方程式組x-y=0 和2x+3y=6的解。
L1: x －y=0
2
L2: 2x+3y=6
X
3
在電路(或電子)學領域，求解電路中某一元件所跨電壓或所流過電流，其
實往往如同求解方程式組，只不過
1、方程式組係以(x, y)為變數，電路則係以該元件所跨電壓、所流過電流，
為變數：(V, I)。
2、電路、電子學老師不常採用，部份原因係不見得較能省時而快速地解
出答案。
3、但、負載線之觀念卻非常重要，除有助於真正實質瞭解電路中內函外，
一旦主動元件非屬線性元件，特別是無法以簡單公式表出I-V曲線者，便
非常有用且快速評估出約略答案。
4、以下便先以簡單的線性元件為利，先嘗試定義出主動元件的I-V曲線
(註：線性元件之I-V曲線很容易用方程式表出，但非線性者如二極體還可
能有公式，如電晶體便難以表出而僅能以圖式表之)，再就所假設之變數
V與I來列出滿足電路所需關係之方程式(有時也僅能以圖式表之)，此時所
列方程式(或僅是圖式)所代表之曲線便稱負載線。
所示電路(VS、R1、R數值均為已知)中，如欲求解電阻R所跨電壓V或所流
過電流I，則能以V和I為變數而列出滿足該電路所需方程式組。
1、第一個方程式即該電阻本身所跨電壓和所流過電流需滿足：V － IR=0。
所得曲線(事實上現在是直線)便稱該電阻R的I-V曲線。
2、除了R以外，針對R1同樣能列出另一方程式：V+IR1=VS。此時滿足此
一方程式所得曲線(事實上現在是直線)便稱該電阻R的負載線。
3、R的I-V曲線、負載線之交點所對應的電壓、電流顯然便是該電阻R所
跨電壓及所流過電流。
R1
I R的I-V曲線
I
+
VS V R VS/R1 R的負載線
－
V
VS
所示電路(VS、R數值，以及D的I-V曲線均為已知)中，如欲求解二極體D
所跨電壓VD或所流過電流ID，則能以VD和ID為變數而列出滿足該電路所
需方程式或負載線。
1、第一個方程式即代表該二極體本身之I-V曲線。在半導體元件物理中，
此一曲線或能以如下公式表之。但其可能以任何近似於能代表此公式之
曲線/圖式表之，見後續例題。
  VD  
I D  I S exp    1
  VT  
2、除了D以外，針對R則能列出一方程式：VD+IDR=VS。此時滿足此一方
程式所得直線便稱該二極體的負載線。
ID D的I-V曲線
R
ID
+
VS VD D VS/R D的負載線
－
VD
VS
讀者或會詢問是否能以R求取其之I-V曲線和負載線，從而先求出R所跨電
壓VR或所流過電流IR，答案是肯定的，但作圖負載線時需記住技巧。
1、第一個方程式以代表R之I-V曲線者：VR-IRR=0。
2、除了R以外，針對D則能列出一方程式如下，此時滿足該方程式所得曲
線便稱R的負載線。
  VD  
I D  I S exp    1
  VT  
3、若D所給的不是電壓-電流關係式，而只是關係圖，如何轉換為負載線?
4、要領為將關係圖(即I-V取線)平移到電壓軸VS處，再如翻書一樣將曲線
翻轉過來。
IR R的負載線
R
IR
R的I-V曲線
+ VR －
VS D
VR
VS
IR D的I-V曲線 IR D平移後I-V曲線
R的I-V曲線 R的I-V曲線
VR VR
VS VS
IR 翻轉後成R的負載線
R的I-V曲線
VR
VS
ID (mA)
D的I-V曲線
R 20
IR
+ VR －
VS D
VD (volt)
0.5
0.7
太陽電池
Solar Cell

1、地球能源轉換器：光能電能
2、優點：綠色科技
3、又稱光伏打；與光偵測器之比較
Ln WF Lp
p hv
qVF
EFp n
IL
RL
太陽輻射
1、太陽能源：
1) 質量：約21030 kg
2) 61011 kg/s的H2He (屬核熔合)
損失質量約4103 kg/s
 產生能量 E=mc2
= 410391016 Joul
3) 該能量以電輻射方式釋放出來，波長
大部介於0.23 m

2、太陽常數 (Solar constant)：
設地球太陽為真空，太陽光輻射到地表之光強
度，稱之；其值=1353 W/m2。
1 0
3、空氣質量 (Air mass)：
代表地表大氣對太陽光之吸收程度： 2
AM0、AM1、AM2之定義如圖
1) AM01353 W/m2。
2) AM1925 W/m2。
(臭氧吸紫外線、水氣吸紅外線、灰塵之散射)

太陽能電池
1、結構與剖面圖
Light
ARC
ARC
n 1/4um
n Eg
mm/2
p p

2、理想模型
+
ID I
Vm Voc
VD=V V
IL
Pm
- Im
Isc

1、Cell 串接負載如電阻R時：
+
IL=ID+I IL ID I
VD=VR=IR VD=VR VR
ID=IS[exp(VD/VT)1] -
1) 需滿足上述三個式子以決定輸出電流 I
2) 若VD=VR未能使二極體導通(ID0)IIL=ISC

重要參數
1、短路電流 ISC：
R=0 (或VR=0) 時所測得電流，由以下參數決定

1) Antireflection Coating (ARC)
2) 射極厚度 (基極厚度一定夠大)
3) 射極、基極濃度 (決定空乏區寬度)
4) 材料能隙 (決定截止波長)
5) 接面品質

2、開路電壓 VOC：
R= (或開路) 時所測得電流，由以下參數決定

1) 材料能隙
2) 接面品質，主要是反向飽和電流 IS
3) 短路電流，ISC
此時輸出電流為I=0，所以光電流IL=ISC全部流過二極體
 ID= IL=ISC=IS[exp(VOC/VT)1]
VOC  VT ln [(ISC/IS)+1]
3、填充因子 (Filling Factor, FF)：
1) 輸出功率 P=IVR 當P有最大值時 Pm= ImVm

2) FF=(VmIm)/(VOCISC)
3) FF受(寄生)串聯電阻影響非常大

串聯電阻Rs對FF的影響
VR
+ -
+ RS
IL ID I
RS=0 RS=0
VD=V+VR V
Vm Voc
-
Pm’
Pm
*當RS=0時 I=IL-ID Im
且VD=V
Isc
*當RS=0時 I=IL-ID’
且VD’=V+VR , ID’> ID

何謂太陽電池？
太陽電池(Solar Cell)是一種能量轉換的光電元件，經由太陽光照
射後，可將光的能量轉換成電能。也有人稱之為光伏電池 (Photovoltaic
，簡稱PV)，其中photo就是光(light)，而voltaic就是電力(electricity)。
太陽電池種類繁多，若依材料的種類來區分，可分為單晶矽(single
crystal silicon)、多晶矽(polycrystal silicon)、非晶矽(amorphous silicon，
簡稱a-Si)、Ⅲ-Ⅴ族〔包括：砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)、磷化銦鎵
(InGaP)〕、Ⅱ-Ⅵ族〔包括：碲化鎘(CdTe)、硒化銦銅(CuInSe2)等。

Classification Type Efficiencies
Cu(In, Ga)Se2 19%

Thin Film Technologies
CdTe 17%
Emerging PV Organic cells 4%
Multi-junction Four-junction 42%

concentrators
Three-junction 39%
Single 16~17%
Crystalline Si Cells
Multi 18~19%
Amorphous National Taiwan Ocean

5~7% University
太陽電池是以摻雜少量硼原子的p型半導體當作基板
(substrate)，然後再用高溫熱擴散的方法，將濃度高於硼的磷摻入
p型基板內，即可形成一p-n接面，而p-n接面是由帶正電的施體離
子與帶負電的受體離子所組成，在該正、負離子所在的區域內，
存在著一個內建電位(built-in potential)，此內建的電位，可驅趕在
此區域中的可移動載子，故此區域稱之為空乏區(depletion region)
。當太陽光照射到一p-n結構的半導體時，光子所提供的能量可能
會把半導體中的電子激發出來，產生電子-電洞對，電子與電洞均
會受到內建電位的影響，電洞往電場的方向移動，而電子則往相
反的方向移動。如果我們用導線將此太陽電池與一負載(load)連接
起來，形成一個迴路(loop)，就會有電流流過負載，這就是太陽電
池發電的原理。
 原料矽之藏量豐富以及矽材料本身對環境影響極低。
 矽之密度低，材料輕以及對應力相當強，即使在50 um
以下之薄板，強度也夠。
 發電特性極安定，在燈塔與人造衛星的實用上，約有20
年耐久性。

ARC
n-Si
p-Si
Back Contact

在太陽電池的用途上， Ⅲ-Ⅴ族化合物與矽的
比較有以下之特性。
高能量轉換效率
適合薄膜化
耐放射線損傷
更適合聚光技術

 多接面太陽電池之設計
1) 能隙的選擇
2) 晶格常數(Lattice Constant)
3) 電流的匹配性(Current Matching)
4) 薄膜厚度

InGaP Top Cell
Tunnel Diode
GaAs Middle Cell
Tunnel Diode
Ge Bottom Cell
Back Contact

 Ge電池：應用於太空方面的Ⅲ-Ⅴgroup 多接面太陽電池，
通常以鍺當基板。主要因為鍺的製造成本低，乃具有優於
砷化鎵的機械性質。
 GaAs電池：Ge與GaAs晶格非常接近，但在Ge上長出GaAs
異質磊晶充滿變化，但如果在GaAs中添加1%的In所形成
的品質會優於一般GaAs磊晶。在GaAs電池上面的窗口層
，通常採用AlxIn1-xP 或GaxIn1-xP薄膜，因為 AlxIn1-xP具有
較大之能隙，但由於AlxIn1-xP對於氧污染相當敏感，所以
比較難與GaAs形成較好品質。此外GaAs電池下面GaxIn1-
xP，是做為背面效場層(back-surface field,BSF)的目的。

 GaInP電池：在GaAs上面生長出的GaxIn1-xP薄膜，其能隙
大小，除了組成有關，也與GaxIn1-xP之生長條件及品質有
關，如生長溫度、生長速率、磷的分壓及摻雜物的濃度等
。位於GaInP電池上面的AlInP用來當成窗口層的作用，它
的目的在於鈍化射極(emitter)表面狀態，以降低其對少數
載子的再結合影響。必須具有以下之特性
1) 晶格常數要接近GaInP
2) 其能隙要大於射極能隙
3) 具有高電子濃度(>1018/cm3)
4) 能產生較低的界面再結合速率

 隧道二極體(Tunnel Diode)：在InGaP與GaAs 電池、GaAs
與Ge電池之間的隧道二極體的作用，在於提供InGaP電池
的p- BSF layer與GaAs電池n- window layer、 GaAs電池的
p- BSF layer與Ge電池n- window layer之間低電阻連結，因
此當成隧道二極體的材料必須是重摻雜n+或p+接合。倘若
沒有這層隧道二極體， p- BSF layer與n- window layer所形
成的p- n，會產生一個與電池受光所產生的光電壓相反之
順向偏壓，因此抵銷光電壓，造成Voc壓降甚小。

 p-i-n或n-i-p結構
1) 一般p層厚度0.005 um ~0.02 um
2) 一般i層厚度 0.01 um ~0.03 um
3) 一般n層厚度0.4 um ~0.6 um
 當太陽光照射a- Si時，很容易完全穿透p層薄膜，所以大
部分的光子吸收必須在i層薄膜。當光子被i層薄膜吸收，
產生電子電洞對光電載子，n層與p層之間導入電場牽引之
下，電子與店洞會分別流向n層與p層，於是產生光電流。

Al/Ag
ITO
n-Si
i-Si
p-Si
TCO
Glass Substrate
ARC

 具有直接能隙
 Eg為1.45eV，位於理想太陽電池的能隙範圍之間
 具有很高吸光係數(>5x105/cm)
 2 um CdTe，足夠吸收AM1.5條件下99%太陽光

Metal Layer
Buffer Layer
p-CdTe
n-CdTe
TCO
Glass Substrate

 玻璃基板(Glass Substrate)：保護太陽電池活化層(active
layer)，提供太陽電池機械強度，也會鍍上一層抗反射層增
加對光的吸收
 透明氧化層(transparent conducting oxide, TCO)：通常使用
SnO2或In2O3：Sn(indium-tin oxide, ITO)，也有使用Cd2SnO4
，它的作用當成正面的電極接觸之用
 n-CdS：Eg為2.4eV，它並不會吸收波長大於515 nm的太陽
光，所以整個結構上被視為window layer，


 銅銦鎵二硒太陽電池可分為兩類，一種是含銅銦硒的三元
化合物(Copper Indium Diselenide，CIS)，另一種為銅銦鎵
硒的四元化合物(Copper Indium Gallium Diselenide，CIGS)
 兩材料吸光範圍廣，具有高轉換效率及低材料製造成本，
也具有抗輻射損傷優點及可繞式軟性基板，所以也具有應
用在太空領域。

Ni/Al
MgF2
TCO(ZnO)
i-ZnO
CdS
CuIn1-xGaxSe2
Mo
Glass

 背面電極(back contact) ：CIGS一般採用金屬鉬(Mo)，因
為Mo與CIGS薄膜之間形成良好的歐姆接觸，使得電流傳
遞損耗小
 吸收層(Absorber Layer)：p-type CIGS或CIS薄膜，作為吸
收層之目的。為了能有效吸收太陽光，CIGS層應有足夠
的厚度，但必須小於載子的擴散長度，使得被激發的載子
可以被收集
 緩衝層(Buffer Layer)：在CIGS 太陽電池中，最常用材料
為n-CdS，主要是在形成與p-CIGS 薄膜之間的p-n接合

 透明導電氧化層(Transparent Conducting Oxide)：可以用來
當成TCO材料有三種，包括有SnO2、In2O3：Sn(ITO)及
ZnO。其中SnO2必須在比較高溫下沉積產生，這點限制了
他應用在CIGS上的可能性。ITO與ZnO都可被應用，其中
ZnO材料成本較低之故。
 正面金屬電極：金屬電極的材料通成為Ni及Al

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授課人：電機系 羅文雄

六、課後輔導與 Office Hours：

National Taiwan Ocean University

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5. TD在Solar Cell 中扮演非常關鍵的歐姆連接角色！

National Taiwan Ocean University

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W↓R↓V↑ National Taiwan Ocean University

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R=0 (或VR=0) 時所測得電流，由以下參數決定

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R= (或開路) 時所測得電流，由以下參數決定

1) 輸出功率 P=IVR 當P有最大值時 Pm= ImVm

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Cu(In, Ga)Se2 19%

Emerging PV Organic cells 4%

Multi-junction Four-junction 42%

Amorphous National Taiwan Ocean

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GaAs Middle Cell

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