DIODO DE POTENCIA

Profesor: Carlos Hube G.

 Dispositivos de potencia:
Los dispositivos de potencia se van a identificar por las
siguientes características:

• Tienen dos estados de funcionamiento: bloqueo y

conducción
• Son capaces de soportar potencias elevadas
• El funcionamiento de estos dispositivos tiene que ser
posible con poca potencia

Profesor: Carlos Hube G.

 Curva característica

A (ánodo)
i i [mA]
1
+ P (exponencial)
V N
K (cátodo)
-
0
VD V [V]
DIODOS DE POTENCIA

i [A]
-40 V [Volt.]
0

-2
Profesor: Carlos Hube G.
 Concepto de diodo ideal

En polarización directa, la caída

de tensión es nula, sea cual sea
el valor de la corriente directa
conducida i

i
Ánodo
+
V curva característica
DIODOS DE POTENCIA

Cátodo
- V

En polarización inversa, la corriente

conducida es nula, sea cual sea el valor
de la tensión inversa aplicada
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 El diodo semiconductor

Ánodo Terminal
Ánodo Encapsulado
(cristal o resina
sintética) Contacto metal-
semiconductor

P Oblea de
DIODOS DE POTENCIA

semiconductor
N
Contacto metal-
Marca semiconductor
Cátodo señalando el
cátodo
Cátodo Terminal
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 Encapsulados de diodos
Axiales

DO 201
1N4148
(Si)

DO 204
DIODOS DE POTENCIA

1N4007
(Si)

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 Agrupación de diodos semiconductores

2 diodos en cátodo
común Puente de diodos Anillo de diodos

~ ~ +
+ ~ ~ -
+ ~ ~
DIODOS DE POTENCIA

B380 C3700
(Si)

-
~ +~
BYT16P-300A HSMS2827
(Si) B380 C1500 (Schottky Si)
Profesor: Carlos Hube G.
(Si)
 Encapsulados de diodos

D 61
TO 220 AC

DOP 31
DO 5
DIODOS DE POTENCIA

TO 247

B 44

Profesor: Carlos Hube G.

 Encapsulados de diodos
Módulos de potencia

Varios dispositivos en un encapsulado común

Alta potencia
Aplicaciones Industriales
Se pueden pedir a medida
DIODOS DE POTENCIA

Motores Satélites
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 Curvas características y circuitos equivalentes

i
Curva
Curva característica
característica real
ideal
Curva característica
asintótica

pendiente = 1/rd
V
DIODOS DE POTENCIA

0 V

ideal
Circuito equivalente asintótico
rd
realG.(asintótico)
Profesor: Carlos Hube V
 Parámetros
Parámetros en inversa:
•VR= Tensión Inversa (Tensión continua capaz que es de soportar el diodo)
•VRM = Tensión de pico
•VBR = Tensión de ruptura
•IR = Corriente inversa (corriente de fuga)
Parámetros en directa:
• VD = Tensión en directa
• I = Corriente directa
DIODOS DE POTENCIA

• IAV= Corriente media directa

• IFM= Corriente máxima en directa
• IFRM = Corriente de pico repetitiva
• IFSM= Corriente directa de sobrecarga

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 Características fundamentales

• Tensión de ruptura
• Caída de tensión en conducción
• Corriente máxima
• Velocidad de conmutación

Tensión de ruptura
DIODOS DE POTENCIA

Baja tensión Media tensión Alta tensión

15 V 100 V 500 V
30 V 150 V 600 V
45 V 200 V 800 V
55 V 400 V 1000 V
60 V 1200 V
Profesor: Carlos Hube G.
80 V
 Tensión de codo
i
Curva
característica real

pendiente = 1/rd
V
0 V
DIODOS DE POTENCIA

A mayor tensión de ruptura , mayor caída de tensión en conducción

Señal Potencia Alta tensión

VRuptura < 100 V 200 – 1000 V 10 – 20 kV

VCodo 0,7 V Profesor:

<2V Carlos Hube G. >8V
 Datos del diodo en corte

Tensión inversa VRRM Repetitive Peak Voltage

DIODOS DE POTENCIA

La tensión máxima es crítica

Pequeñas sobretensiones pueden romper el dispositivo

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 Datos del diodo en conducción

Corriente directa IF Forward Current

Corriente directa de pico repetitivo IFRM Repetitive Peak Forward Current

DIODOS DE POTENCIA

La corriente máxima se indica suponiendo que el dispositivo está

atornillado a un radiador

Profesor: Carlos Hube G.

 Características dinámicas

Indican capacidad de conmutación del diodo

R
i Transición de “a” a “b”
a b +
V2 V
V1
-
i
DIODOS DE POTENCIA

V1/R
t
Comportamiento
dinámicamente ideal
V t

-V2 Profesor: Carlos Hube G.

 Características dinámicas

Transición de “a” a “b”

R
i i
a b V1/R
+
V2 trr t
V1 V
- ts
DIODOS DE POTENCIA

-V2/R tf (i= -0,1·V2/R)

ts = tiempo de almacenamiento
(storage time )
V
tf = tiempo de caída (fall time ) t
trr = tiempo de recuperación
inversa (reverse recovery time ) -V2
Profesor: Carlos Hube G.
 Características dinámicas Transición de “b” a “a” (encendido)

El proceso de encendido es más

rápido que el apagado.
R
i
a b +
V2 V
V1
-
i
DIODOS DE POTENCIA

0,9·V1/R

0,1·V1/R

td
tr td = tiempo de retraso (delay time )
tfr tr = tiempo de subida (rise time )
tfr = td + tr = tiempo de recuperación directa
Profesor: (forward recovery time )
Carlos Hube G.
 Características dinámicas
DIODOS DE POTENCIA

Profesor: Carlos Hube G.

 Características Principales

Corriente directa
Tensión inversa
Tiempo de recuperación
Caída de tensión
en conducción
DIODOS DE POTENCIA

Encapsulado

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 Tiempo de recuperación en inversa

Un diodo de potencia tiene que poder conmutar rápidamente del

estado de corte al estado de conducción.

El tiempo que tarda en conmutar se llama :

TIEMPO DE RECUPERACIÓN EN INVERSA

Los diodos se pueden clasificar en función de su tiempo de

recuperación:
DIODOS DE POTENCIA

Profesor: Carlos Hube G.

 Tipos de diodos

Se clasifican en función de la rapidez (trr)

VRRM IF trr

• Standard 100 V - 600 V 1 A – 50 A > 1 s

• Fast 100 V - 1000 V 1 A – 50 A 100 ns – 500 ns
• Ultra Fast 200 V - 800 V 1 A – 50 A 20 ns – 100 ns
• Schottky 15 V - 150 V 1 A – 150 A < 2 ns
DIODOS DE POTENCIA

Las características se pueden encontrar en Internet (pdf)

Direcciones web

www.irf.com
www.onsemi.com
www.st.com
www.infineon.com
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 Aplicaciones:

DIODOS DE GAMA MEDIA:

•Fuentes de alimentación
•Soldadores

DIODOS RÁPIDOS
•Aplicaciones en que la velocidad de conmutación es crítica
•Convertidores CD – CA
DIODOS DE POTENCIA

DIODOS SCHOTTKY
•Fuentes de alimentación de bajo voltaje y alta corriente
•Fuentes de alimentación de baja corriente eficientes

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