Externos, gran capacidad, altos tiempos de acceso, no voltiles

Internos, menor capacidad, mayor velocidad de acceso, volatilidad variable

Discos rgidos Memorias ROM RAM Discos flexibles Cintas MRAM

Disco compacto Disco verstil digital Memoria hologrgica

CD y DVD

RW

Son circuitos secuenciales, es decir que su respuesta depende de su estado anterior y de sus entradas lo que les permite almacenar y recuperar la informacin. Estn organizadas en matrices de celdas; en las que cada celda est constituida por un elemento de almacenamiento que puede guardar un 1 o un 0 (bit). Las celdas estn organizadas en palabras o bytes Un circuito auxiliar (decodificador) permite el acceso a cada direccin de memoria

Las dos son de acceso aleatorio La diferencia histrica es entre volatilidad de los datos y la posibilidad de re-escritura. Estn convergiendo y la vieja clasificacin es ambigua

Puerta flotante

Esto es ROM?

DETALLE DE FUNCIONAMIENTO

Celda PROM

Veloces Caras Ocupan mucho espacio Sencillez de diseo Ms lentas Econmicas Mayor capacidad Circuitos ms complejos

O 1 1 1 0

0 0 Basadas en circuitos biestables cerrojos que retienen indefinidamente la informacin mientras estn alimentados.

Un cerrojo o latch se consigue alimentando una puerta con la 1 salida de otra. Por ejemplo con NAND (cerrojo SR): 0
1 1

las conexiones cruzadas garantizan que las salidas sean siempre complementarias.

Son circuitos secuenciales, por lo que para determinar su estado hay que considerar, adems de las entradas, su estado anterior

S 1

Qi 0

Qi+1 0 1 0 0 1 1

Para analizar su funcionamiento recordemos: NAND

A 0 0 1 1 B 0 1 0 1 O 1 1 1 0

1 1 1 1 0 R 1 1 1 1 0 0 0 0 S 1 1 0 0 1 1 0 0 Qi 0 1 0 1 0 1 0 1 Qi+1 0=Qi 1=Qi 0 0 1 1 0 0 0

1 1 Se conserva el 0 valor de Q 0 0 1 1 1 0

Se fija el valor 0 1 (Reset) 0 0

0 1

Se fija el valor 1 (Set) Estado indeterminado. Ambas compuertas intentan generar un mismo nivel lgico

Tambin podemos ver cmo funcionan en el circuito electrnico

La operacin de la celda es similar a la de un interruptor, cuando el estado en la fila se Si enencuentrahay tensin alta, el transistor la fila en alto, el la lnea de columna queda satura,transistor entra en saturacin y el dato presente en el bus interno de la conectada al condensador memoria (columna) se almacena en el condensador, durante una operacin de escritura y se extrae en una operacin de lectura.

La lectura es destructiva y, de cualquier manera, el condensador pierde su carga en pocos y el dato presente en el bus milisegundos. Un circuito interno de la memoria (columna) adicional releva se almacena (escritura) o se extrae (lectura) peridicamente el estado del condensador y lo su celda bsica actualiza. es slo un pequeo condensador como llave para acceder al contenido de la celda.

y un transistor que acta

DETALLE DE ARQUITECTURA
Si X1 = Y1 = 1, podemos leer o escribir en esta celda Sensor-amplificador: Son necesarios para la operacin de refresco, pero adems permiten reducir el valor de la seal sobre la lnea de bits y de esta manera pueden utilizarse transistores ms pequeos.

CARACTERSTICAS PRINCIPALES
Memoria de estado slido (opera con cargas elctricas) Adems:
De alta densidad: 1 transistor = 2bits.(SRAM:6T = 1bit; DRAM: 1T+ 1capacitor = 1bit) Gran resistencia a condiciones adversas (golpes, temperaturas extremas) Velocidad y costo razonables

Reescribible como una RAM. No voltil como una ROM

Floating gate Avalanche-injection Metal Oxide Semiconductor

Recordemos la estructura y principio de funcionamiento de un NMOS.

Al aplicar entre G y S una tensin positiva, mayor que cierta VT,

Se forma un canal conductor entre S y D

Cambiando el estado del transistor

En el FAMOS se agrega a la estructura de la puerta una zona conductora totalmente rodeada por el xido aislante.

En esta zona pueden introducirse y eliminarse electrones, aplicando tensiones selectivas, aprovechando el efecto tunel descrito por la mecnica cuntica

La carga encerrada en la puerta flotante, a diferencia de la de los capacitores DRAM, se conserva inalterada, an sin alimentacin, por lo menos durante 10 aos.

Diseo de dos bits por celda

Carga negativa almacenada en puerta flotante = 1 Ausencia de carga = 0

Tecnologa avanzada permite colocar y diferenciar 4 niveles de carga en la puerta flotante

El tiempo de acceso ser mayor pero la capacidad se duplica

Memoria RAM Ferroelctrica CARACTERSTICAS PRINCIPALES

Memoria de estado slido (opera con cargas elctricas) Reescribible como una RAM. No voltil como una ROM

Se basa en otro comportamiento de la materia (ferroelectricidad) y preseta muchas ventajas y algunas limitaciones.

Las sustancias ferroelctricas presentan dos estructuras cristalinas estables. Para pasar de un estado al otro, se aplica un campo elctrico. La energa consumida en la operacin revela en cul de los estados se encontraba. Por consiguiente, la lectura es destructiva, debiendo regenerarse el estado encontrado.

Estructuralmente es similar a una DRAM, donde el capacitor contiene el material ferroelctrico, en lugar de dielctrico

Menor consumo Baja tensin de programacin Mayor velocidad de operacin Soporta mayor nmero de ciclos Menos etapas de fabricacin

Materiales ms caros Actualmente menor integracin (pero potencialmente mayor) Necesidad de re-escritura con cada lectura Es posible que reemplace a la actual tecnologa Flash, cuando el mercado requiera mayor densidad de integracin

Memoria RAM Magntica

El spin es una propiedad cuntica de las partculas que se puede asimilar al sentido de rotacin. Presenta dos valores: spindown y spinup. En una corriente elctrica convencional los espines se orientan aleatoriamente. Los dispositivos espintrnicos crean corrientes de espn polarizado y usan el espn para controlar el flujo de corriente. Las cabezas de lectura/escritura de los actuales discos rgidos, utilizan este principio.

Espintrnica: Tecnologa basada en el spin de los electrones

Unin de efecto tunel magntico

La MRAM almacena los datos en este tipo de junturas, que retienen su estado an sin alimentacin elctrica. Consiste en dos capas ferromagnticas separadas por una barrera aislante. La primer capa produce una corriente de espn polarizado, que cruza la barrera, por efecto tnel, cuando la alineacin del campo magntico de la segunda capa coincide con el de la primera.

Transistor de efecto campo espintrnico (SFET)

Fuente y Sumidero, de material ferromagntico tienen sus campos magnticos alineados y estn separados por un canal semiconductor. La Fuente enva una corriente de espn polarizado hacia el canal, la cual alcanza al Sumidero fcilmente. Al aplicarse tensin en la Puerta, el campo elctrico generado produce la precesin de los espines de los electrones que se desalinean. El sumidero limita el flujo de corriente de acuerdo a cunto hayan rotado los espines.

Cuestiones a resolver
Falta de eficiencia en el pasaje de corrientes de espn polarizado desde un metal ferromagntico hacia un semiconductor. Desarrollo de semiconductores magnticos a travs de dopaje con elementos como el manganeso. Decaimiento de las corrientes de espn polarizado (coherencia cuntica) debido al campo magntico que siente un electrn movindose dentro de los campos elctricos que existen en un cristal. Se observaron tiempos de pocos ns en ZnSe a temperatura ambiente (100 ns a bajas temperaturas en GaAs), y mucha mayor coherencia en semiconductores tipo n (distancias de hasta 100 m).