Transistor Bipolar

Nomenclatura

Símbolos

p-n-p n-p-n
 Transistor Bipolar
Características estáticas

Conectado en base común para

aplicaciones de amplificación

Perfil de dopado de un transistor con

distribución abrupta de impurezas

Diagrama de bandas de energía bajo

operación normal
Transistor Bipolar
Relación básica entre tensión y corriente

Corriente del colector y de la

base, en función de la tensión
emisor-base

Ganancia de corriente
 Transistor Bipolar
Ganancia de Corriente

Ganancia de corriente en función

de la corriente del colector

Ganancia de corriente calculada comparada con

la ganancia de corriente obtenida
experimentalmente en función de la corriente del
colector
 Transistor Bipolar
Características de salida
Las tensiones aplicadas controlan las densidades de frontera a través del término:
exp(qV/kT).
Las corrientes de emisor y colector están dadas para los gradientes de las densidades de
portadores minoritarios (Huecos) en las fronteras de las uniones, tales como: x=0 y x=W.
La corriente de Base es la diferencia entre las corrientes de emisor y colector.
 Transistor Bipolar
Curvas características

Configuración de base Configuración de emisor

común común
 Transistor Bipolar
Modelo Ebers - Moll

Modelo con fuentes adicionales (Efecto Early)

 Características de análisis en
microondas

Red de dos puertos donde se muestra la onda incidente (a1,a2)y onda

reflejada (b1,b2)usadas en la definición de los parámetros S.

Parametros “S”

S11 = Coeficiente de reflexión de entrada

S22 = Coeficiente de reflexión de salida
S12 = Ganancia de transmisión inversa
S21 = Ganancia de transmisión directa
Características de análisis en
microondas
Factor de estabilidad

Ganancia máxima

Ganancia unilateral

Frecuencia máxima
Características de análisis en
microondas
Circuitos Equivalentes

Base común

Emisor común
EL TRANSISTOR BIPOLAR DE
MICROONDAS

Estructura de un transistor de
varillas de plomo
Características de análisis en
microondas
Ganancia y potencia en función de la frecuencia
 Transistor de potencia
Al incrementar la potencia en un transistor de potencia se incrementa
la temperatura Tj de la unión.
El máximo de Tj está limitado por la temperatura para la cual la región
de la Base se hace intrínseca.
Por encima de Tj cesa la operación del transistor, debido a que el
colector se cortocircuita efectivamente con el emisor.
Una técnica usual para distribuir la corriente uniformemente en
Transistores de tecnología interdigitated o overlay, es la de agregar
una resistencia de emisor distribuido RE.
Un incremento indeseado de la corriente a través de un emisor
particular será limitado por el resistor.
Este tipo de resistores series se describen normalmente como
resistores de estabilización o resistores de carga de emisor.
El Transistor de potencia
comportamiento de la temperatura
El Transistor de potencia
Fenómeno de segunda ruptura

Curva característica
corriente-tensión de una
segunda ruptura