UNIVERSIDAD NACIONAL EXPERIMENTAL DEL TACHIRA

DEPARTAMENTO DE INGENIERIA ELECTRÒNICA

ELECTRÒNICA EN ESTADO SÓLIDO

CLASE N° 9 y 10

Anthoni E soler P
C.I 18880395
EES_35
 TRANSISTOR BIPOLAR
El transistor es un dispositivo que sirve de
amplificador, consta de dos uniones PN cercanas que permiten
controlar el paso de corriente; pueden ser PNP o NPN ya que
están formados por 2 semiconductores con impurezas de
diferente polaridad además está formado por tres terminales,
el emisor que está fuertemente dopado, la base que es la
intermedia y es estrecha y el colector de mayor extensión:

•Símbolo y nomenclatura del •Símbolo y nomenclatura

transistor pnp. del transistor npn.
 CONFIGURACIONES BÁSICAS
Base común: su nombre deriva del hecho de que la base es
común tanto a la entrada como a la salida; para la descripción
de un base común se requiere dos conjuntos de
características, los parámetros de entrada y los de salida, para
los de entrada se relacionará la corriente del emisor Ie con un
voltaje de entrada Vbe para varios niveles de voltaje de salida;
y en el caso de los parámetros de salida la corriente Ic con un
voltaje Vcb para corrientes de entrada Ie.

Entrada Salida
 CONFIGURACIONES BÁSICAS
Emisor común: su nombre deriva del hecho de que el emisor es
común tanto a la entrada como a la salida; para la descripción
de un emisor común; una vez más se requiere dos conjuntos de
características, los parámetros de entrada y los de salida, para
los de entrada se relacionará la corriente de base con un
voltaje de entrada Vbe para varios niveles de voltaje de salida
Vce; y en el caso de los parámetros de salida la corriente Ic con
un voltaje Vce para corrientes de entrada Ib.

Entrada Salida
 CONFIGURACIONES BÁSICAS
Colector común: se usa sobretodo para propósitos de
acoplamiento de impedancia, debido a tiene alta
impedancia de entrada y baja impedancia de salida,
contrario a las otras configuraciones; en los parámetros de
entrada se relacionará la corriente de base con un voltaje
de entrada Vbc para varios niveles de voltaje de salida Vce;
y en el caso de los parámetros de salida la corriente Ie con
un voltaje Vce para corrientes de entrada Ib.
 TRANSISTOR
Las ecuaciones que definen el comportamiento de
las corrientes y tensiones de los transistores son las
siguientes:
En el caso de ser PNP

La longitud de difusión de los huecos en la base

viene dada por:

Y la potencia es función de:

En las gráficas a continuación se puede observar el perfil
de dopado de un transistor con una distribución abrupta
de impurezas en la base

Relaciones básicas entre las

corrientes del colector y base en
función del voltaje emisor-base,
incrementan proporcionalmente.
La ganancia de corriente emisor común está representada
por βf o por hfe. Esto es aproximadamente la tasa de
corriente continua de colector a la corriente continua de la
base en la región activa directa

Ganancia en función de
la corriente de colector
Ganancia en emisor
común en función del
inverso de la
implantación en la base
El modelo de Ebers Moll analiza en función de las
corrientes, sus modelos básicos son los siguientes:
Este modelo incorpora el efecto Early y relaciona las
tensiones aplicadas con la corriente de colector,
incluida la carga acumulada en la base; este análisis
es más complejo que el de Ebers-Moll y las
ecuaciones son las siguientes:

FRECUENCIA DE CORTE
La frecuencia de corte para transistores
bipolares de microondas viene dada por la
siguiente ecuación
Donde representa el tiempo
de retardo, el cual puede ser
observado en la gráfica a continuación
Tiempo de retraso entre el emisor y colector en
función de la densidad de corriente de colector, la
primera mitad se da a operación normal, el tiempo
de retraso disminuye y aumenta la densidad, en la
otra mitad aumenta la tensión, la densidad y de igual
forma la zona de vaciamiento.
TRANSISTOR DE MICROONDAS
Red de dos
puertos en
donde se
observa la onda
incidente y la
reflejada
 TRANSISTOR DE MICROONDAS
Circuito equivalente de microondas para base común y
emisor común:

Los transistores de microondas pueden ser de 3 tipos:

Intercalado De revestimiento De malla
Ganancia unilateral, Potencia de salida en
ganancia máxima función de la
disponible, ganancia de frecuencia para
corriente en emisor común transistores bipolares
y figura de ruido. de microondas
El funcionamiento y utilización es igual a los transistores
normales, pero tienen como características especiales las
altas tensiones e intensidades que tienen que soportar y
por lo tanto las potencias a disipar. Cuando la potencia se
incrementa aumenta la temperatura de unión Tj; por
encima de Tj cesa la operación del transistor ya que el
colector se cortocircuita; un incremento indeseado a
través del emisor será limitado por el resistor

En la figura de la izquierda se
presenta la distribución de la
densidad de corriente y en la
otra figura la distribución de
la temperatura a lo largo del
centro de la unión base-
emisor.
 Curva característica
corriente tensión de
una segunda ruptura
para dos diferentes
temperaturas
ambiente

Tiempo de disparo de la
Área de seguridad de segunda ruptura en función
operación para de la potencia aplicada para
transistores varias temperaturas
Circuitos equivalentes para un transistor conmutador, la
primera gráfica presenta la región I y II y la gráfica de la
izquierda la región III