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ANALGICA
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ELECTRNICA ANALGICA
SEMICONDUCTORES
El tomo
Bandas de energa
El semiconductor La circulacin de corriente
Unin P-N
El tomo
ncleo Np = n protones
periferia Ne = n electrones
Distribucin de electrones
Los electrones estn distribuidos en rbitas de distinta energa Para pasar de una a otra un electrn ha de absorber o liberar la siguiente energa: E = hv h= constante de Plank v = frecuencia de radiacin
Cada rbita de electrones constituye una banda energtica en la que pueden estar los electrones. Entre las distintas rbitas hay bandas energticas en las que no pueden estar los electrones.
B. conduccin
Intervalo energtico donde estn aquellos electrones que pueden moverse libremente Energa que ha de adquirir un electrn de la banda de valencia para poder moverse libremente por el material
Intervalo energtico donde estn los electrones de la ltima rbita
B. prohibida
B. valencia
El semiconductor I
Ge Histrico
Si Principal
AsGa
El semiconductor II
tomo de Si
Electrn de valencia
Enlace covalente
El semiconductor III
=
Numero de huecos
Energa
El semiconductor IV
Tipo N Tipo P
N de portadores = N de impurezas
V+
La circulacin tiene lugar en la banda de conduccin = Los conductores
V-
V+
La circulacin tiene lugar en la banda de valencia
V-
V+
V+
V+
V-
V-
V-
P
minoritarios
mayoritarios
MUCHOS
P N P
MUCHOS
N
Zona
despoblada
Para que circulen los portadores mayoritarios ha de ser V > la tensin de la Barrera de Potencial
C =
*S
I P N
V V
I = I0*(exp(V/n*VT) -1)
VT = KT/q
I0 = corriente inversa de saturacin q = carga del electrn: 1,6*10-19 culombios K = constante de Boltzman: 1,36*10-23 J/K T = Temperatura en grados Kelvin n = constante emprica ( 1-germanio; 2-silicio)
COMPONENTES
DIODOS
El diodo ideal Diodos reales El diodo de unin P-N El diodo zener El fotodiodo El LED El Optoacoplador
TRANSISTORES
La funcin transistor El transistor bipolar
Transistores de efecto de campo
-JFET -MOSFET
POLARIZACIN INVERSA
V
Smbolo
R = No hay corriente
Diodo de vaco OTROS DIODOS De Gas De Selenio De xido de cobre De Puntas de contacto De Unin P-N
Smbolo
P N
V
I I
VR = Tensin de ruptura
VR
V
VC
VC = 0,7 en el Si
Smbolo
VZ = Tensin de funcionamiento V
VZ
V I
Izmx
El diodo zener est diseado para trabajar en la zona de ruptura, siempre que no se sobrepase su intensidad mxima. Existen en el mercado diodos zener con diversas tensiones de funcionamiento.
Rs VZ
V V
VZ
RL
Izmx
El zener impide que la tensin en la resistencia de carga RL supere el valor de su tensin nominal. El zener no puede impedir que la tensin baje por debajo de su tensin nominal. La regulacin la consigue absorbiendo ms o menos corriente, en funcin de las caractersticas del circuito. La diferencia de tensin entre la alimentacin y la carga se va a RS
Smbolo
RL
I
V V
Luz
Luz
En polarizacin directa se comporta como un diodo normal. En polarizacin inversa slo conduce cuando le incide luz. Al incidir la luz se rompen muchos enlaces y por tanto se incrementa el nmero de minoritarios que son los responsables de la corriente inversa.
Smbolo
V
RL
Display de 7 segmentos
RL I
V
RL
I
V
La ventaja fundamental de un optoacoplador es el aislamiento elctrico entre el circuito de entrada y el de salida. El nico contacto que hay es un haz de luz.
Estructura E N P N
NPN
PNP
E P
Estructura N P C
B
C B E Smbolo B E C
Smbolo
El transistor bipolar sustituy con xito a las vlvulas de vaco. Sus principales ventajas son: ms pequeo, ms barato, ms fiable, menos consumo y mayor tiempo de vida. Ha sido desplazado por los FET en la mayor parte de las aplicaciones de electrnica digital, pero sigue siendo competitivo en amplificacin y en alta velocidad de conmutacin.
E
aislante aislante
B
aislante
Al estar polarizada directamente la unin B-E, el E inyecta electrones libres en la base. Al llegar los electrones del E a la B son arrastrados, la mayora, al C, debido a la polarizacin inversa de la unin CB y a que la base es estrecha y est poco dopada. Solo unos pocos forman la corriente de B-E, mucho ms pequea que la de E-C. En definitiva la polarizacin B-E, gobierna la corriente entre E-C. La relacin entre las corrientes de B y C determinan la ganancia del transistor. Existen en el transistor otras corrientes menos importantes que no estn reflejadas en este grfico.
IE = IB + IC
C
IC
El transistor tiene un comportamiento no lineal. Existen varios modelos para describir la relacin entre las tensiones y corrientes que circulan por l. El ms usado es el de Everst-Mole:
IB B
IC = IB + (1 + )IC0
Normalmente IC0 es despreciable con lo que la ecuacin anterior se simplifica:
IE E
IC IB
Por otra parte como siempre es mayor de 10 se deduce que IB es despreciable frente a IC, por lo que:
IE
IC
CURVAS DE SALIDA
VCC IC IB1 IB2 IB3 IB4 IB5
IB6
IB7
VCE
El transistor bipolar es un dispositivo no lineal. Pero cuando trabaja en pequea seal su comportamiento es aproximadamente lineal. Existen diversos circuitos que representan bien el comportamiento lineal del transistor, los cuales permiten resolver los circuitos con transistores mediante la Teora de Circuitos. Uno de los ms usados es el modelo simplificado de parmetros H en emisor comn, que se representa a continuacin:
IC
B C
IB
B IE
Canal p
Canal n Canal p
El FET es un dispositivo controlado en V Se denominan transistores unipolares porque tienen un solo portador de carga Tienen una gran impedancia de entrada Producen poco ruido Ocupan poco espacio Tienen problemas a altas frecuencias
D Canal N D
D Canal P D
G N P P
G P S N N
S D
El JFET, al contrario que el bipolar, tiene la unin G-S polarizada en inverso. Esto determina que la corriente de entrada sea mucho ms pequea. Es tanto como decir que es un dispositivo con una gran impedancia de entrada. El surtidor emite los portadores de carga y el drenador los recibe. La polarizacin inversa de puerta permite hacer el canal ms ancho o ms estrecho. S
Acumulacin
conductor S D Canal N G S P D Canal P G S N N G D
aislante
En el Mosfet de acumulacin no existe inicialmente canal. Este se crea mediante la polarizacin de puerta surtidor. En el de canal N esta polarizacin es positiva y en el de canal P es negativa.
Despoblamiento
conductor S D Canal N G S P D Canal P G S N N G D
aislante
En el Mosfet de despoblamiento existe canal inicial. Esto permite dos tipos de polarizacin en puerta (+ y - ). Con polarizacin positiva se incrementa el canal. Con polarizacin negativa se disminuye.
Circuitos analgicos
Por qu?
C.C.
Alimentacin de red
Es preciso convertir C.A./C.C. Cmo?
V 125/220 V t t V t V t
C.A.
Circuitos electrnicos
variacin
V
variacin
t
Red
Transformador
Rectificador
Filtro
Regulador
Circuitos analgicos
Rectificador
v
Media Onda
Onda Completa
Circuitos analgicos
125/220
+ + -
125/220
Circuitos analgicos
~
125/220
Puente de diodos
+
-
El puente de diodos est constituido por cuatro diodos encapsulados juntos. El transformador deber tener la relacin de transformacin adecuada a la tensin continua que se desee.
Circuitos analgicos
Filtros
Son circuitos electrnicos que permiten seleccionar, atenuar o eliminar seales de una determinada frecuencia. Ejemplos
Esto se consigue usando componentes cuya respuesta sea funcin de la frecuencia 1 ZC= jwC
ZL=jwL
Circuitos analgicos
R
1 1
R
1 1
Circuitos analgicos
CUESTIN PREVIA
Se
SS = Se * R
Cuando una seal pasa por un circuito, la seal de salida se obtiene multiplicando la seal de entrada por la funcin de transferencia o respuesta del circuito.
Circuitos analgicos
R
1
Paso Bajo
Sa ( f < f C ) Sb ( f > f C )
R
1
Paso Alto
fC
Sa ( f < fC1 )
Sb (fC1 < f < fC2 ) Sc ( f > fC2 )
1
Paso Banda
Sa ( f < fC1 )* 0 = 0
Sb (fC1 < f < fC2 )* 1 = Sb (fC1 < f < fC2 )
fC1
fC2
Sc ( f > fC2 ) )* 0 = 0
Circuitos analgicos
Descomposicin de seales
Fourier
=
Series
V
Transformada
V
Cualquier seal se puede descomponer en la suma de una seal continua y un conjunto de seales senoidales
Circuitos analgicos
+
t
+
t
V t
+
t
Circuitos analgicos
Seal Terica
V t
F. Paso-bajo Rectificador
Seal Real
V t
Circuitos analgicos
Filtro Paso-Alto
Filtro Paso-Bajo
Circuitos analgicos
Esquema Bsico
Seal de Entrada VI
Se
SS
Circuitos analgicos
Los amplificadores son circuitos bsicos en la transmisin de seales electrnicas, pues permiten elevar el nivel de las mismas, bien para transmitirlas o bien para recuperar seales con unos niveles muy bajos de tensin.
Circuitos analgicos
Cadena de Amplificacin
Transductor de entrada
A1
A2
Transductor de salida
Circuitos analgicos
Adaptacin de impedancias
Transductor de entrada
A1 Zs1 Ze2
A2
Transductor de salida
Zs1 = Ze2
Circuitos analgicos
Concepto Consiste en combinar una muestra de la seal de salida de un proceso con la entrada, para modificar las caractersticas del proceso en la forma deseada
Circuitos analgicos
GRUA
Posicin de la carretilla
La seal de salida viene dada por la posicin de la carretilla. La seal de entrada est determinada por el piso al que se desea subir la carretilla. El operario, con su vista, compara ambas seales y si no coinciden, acta sobre el mando a distancia hasta hacerlas coincidir.
Circuitos analgicos
Circuito Bsico
MEZCLADOR DE SEALES
AMPLIFICADOR
+ -
B
RED DE REALIMENTACIN
Circuitos analgicos
Anlisis
Se = Se - B * Ss
Ss = Se A
Ss Ss = (Se - BSs) A
Se
+ -
B * Ss
Ss A = 1 +A B Se
Circuitos analgicos
Ar < A
Circuitos analgicos
Ar > A
Circuitos analgicos
Ar = A
El sistema puede proporcionar una seal de salida sin tener seal de entrada Interesa esta realimentacin para los generadores de seal. Se usa en los osciladores.
Ss = Se Ss = 0 Ss =
Circuitos analgicos
Amplificador Operacional
V1
V2 Ref
+Vcc
+
V0 -Vcc
+Vcc
V1-V2
-Vcc
Circuitos analgicos
R2
R1 Ve
+
i2
Vs
i1
i1=i2
Vs -R2 = Ve R1
R2
Vs
Vs
+Vcc
Ve
Ve
+
-Vcc
Circuitos analgicos
Oscilador
Seal de salida senoidal
Circuitos analgicos
Multivibradores
Aestable
V
El circuito bascula solo del nivel bajo al alto, y viceversa. Pueden regularse los tiempos en ambos estados. No tiene ningn estado estable.
Circuitos analgicos
Multivibradores
Monoestable
V
El circuito slo cambia de un estado al otro. Para salir del segundo estado precisa una seal externa. Tiene un solo estado estable.
Seales de Cambio
Circuitos analgicos
Multivibradores
Biestable
V
Para salir de cualquiera de los dos estados precisa una seal externa. Tiene dos estados estables.
Seales de Cambio