TIRISTORES

Tiristores de Potencia
Un tiristor es uno de los tipos ms importantes de los dispositivos semiconductores de potencia. Los tiristores se utilizan en forma extensa en los circuitos electrnicos de potencia. Se operan como conmutadores biestables, pasando de un estado no conductor a un estado conductor. Para muchas aplicaciones se puede suponer que los Tiristores son interruptores o conmutadores ideales, aunque los tiristores prcticos exhiben ciertas caractersticas y limitaciones. Un Tiristor es dispositivo semiconductor de cuatro capas de estructura pnpn con tres uniones pn tiene tres terminales: nodo ctodo y compuerta. El objetivo de los tiristores es controlar la cantidad de energa que le llega a una carga en un tiempo determinado.

Clasificacin de los tiristores

Rectificadores controlados por silicio (SCR)

Triodo de corriente alterna (TRIAC)

Transistor de apagado por compuerta (GTO)

Funcionamiento bsico de los tiristores

Cuando la tensin entre el nodo y el ctodo es cero, la intensidad del nodo tambin lo es. Hasta que no se alcance la tensin de bloqueo (o disparo) (VBO) en la puerta, el tiristor no se dispara. Cuando se alcanza dicha tensin, se percibe un aumento de la intensidad en el nodo (IA), disminuye la tensin entre el nodo y ctodo, comportndose as como un diodo polarizado directamente.

Funcionamiento bsico de los tiristores

Si se reduce la corriente que va desde nodo al ctodo hasta un mnimo llamado corriente de mantenimiento, el tiristor entra en bloqueo, y no conduce. Si se polariza inversamente, se observa una dbil corriente inversa (de fuga) hasta que alcanza el punto de tensin inversa mxima que provoca la destruccin del mismo. Se puede decir que un tiristor es como un diodo controlado por una puerta (G).

Formas de activar un tiristor

Luz: si un haz de luz incide en las uniones de un tiristor, hasta llegar al mismo silicio, el nmero de pares electrn hueco aumentar pudindose activar el tiristor. Corriente de Compuerta: para un tiristor polarizado en directa, la inyeccin de una corriente de compuerta al aplicar un voltaje positivo entre compuerta y ctodo lo activar. Si aumenta esta corriente de compuerta, disminuir el voltaje de bloqueo directo, revirtiendo en la activacin del dispositivo. Trmica: una temperatura muy alta en el tiristor produce el aumento del nmero de pares electrn-hueco, por lo que aumentarn las corrientes de fuga, con lo cual al aumentar la diferencia entre nodo y ctodo, y gracias a la accin regenerativa, esta corriente puede llegar a ser 1, y el tiristor puede activarse. Este tipo de activacin podra comprender una fuga trmica, normalmente cuando en un diseo se establece este mtodo como mtodo de activacin, esta fuga tiende a evitarse.

Formas de activar un tiristor

Alto Voltaje: si el voltaje directo desde el nodo hacia el ctodo es mayor que el voltaje de ruptura directo, se crear una corriente de fuga lo suficientemente grande para que se inicie la activacin con retroalimentacin. Normalmente este tipo de activacin puede daar el dispositivo, hasta el punto de la destruccin del mismo. dv/dt: si la velocidad en la elevacin del voltaje nodo-ctodo es lo suficientemente alta, entonces la corriente de las uniones puede ser suficiente para activar el tiristor. Este mtodo tambin puede daar el dispositivo.

SCR
EL MIEMBRO MS IMPORTANTE DE LA FAMILIA DE LOS TIRISTORES FUE DESARROLLADO POR GENERAL ELECTRIC EN 1958. EL NOMBRE LO ADOPTO POSTERIORMENTE LA COMISIN ELECTROTCNICA INTERNACIONAL (CEI).

 Son los dispositivos de uso ms comn en los

circuitos de control de potencia. Actualmente se encuentran en clasificaciones que van desde unos pocos amperios hasta un mximo de 3000 A.

Un SCR posee tres conexiones:

nodo

Ctodo
Puerta.

La puerta es la encargada de controlar el paso de corriente entre el nodo y el ctodo.

EL RECTIFICADOR CONTROLADO DE SILICIO (EN INGLS SCR: SILICON CONTROLLED RECTIFIER) ES UN TIPO DE TIRISTOR FORMADO POR CUATRO CAPAS DE MATERIAL SEMICONDUCTOR CON ESTRUCTURA PNPN O BIEN NPNP.

Estructura interna del SCR

Seccin transversal vertical de un SCR

rea de disparo seguro

Curva A y B: lmite superior e inferior de la tensin puerta-ctodo en funcin de la corriente positiva de puerta, para una corriente nula de nodo. Curva C: tensin directa de pico admisible VGF. Curva D: hiprbola de la potencia media mxima PGAV que no debemos sobrepasar.

rea de disparo

ngulo de disparo
Con el circuito anterior se puede variar el

momento en que se aplican los valores de corriente y voltaje de compuerta necesarios para la conduccin del SCR (IGT, VGT). Esto se da mediante la variacin de R2. El tiempo transcurrido desde el cruce por cero de la seal de voltaje de corriente alterna y el momento en que se da la corriente necesaria para la conduccin, se conoce como ngulo de disparo ().

En este caso R2 en a > b

Circuitos de control de compuerta para SCR para obtener ngulos mayores de 90

Funcionamiento del SCR (Modelo a 2 Transistores)

Cmo funciona?

El funcionamiento del scr se puede entender como un circuito implementado por dos transistores bipolares de unin (bjts) (ver fig.), en los que hay que tener en cuenta las siguientes 2 caractersticas:

Funcionamiento del SCR (Modelo a 2 Transistores)

1.

2.

Cuando a un BJT pnp de Si se le aplica un voltaje VBE suficientemente negativo o cuando a un BJT npn de Si se le aplica un voltaje VBE suficientemente positivo el transistor "se dispara", i.e. conmuta de off a on en saturacin, desde el emisor E hacia el colector C en el pnp, o desde C hacia E en el npn. Un BJT amplifica la corriente de base IB en un factor dado aproximadamente por el parmetro denominado " (beta) del transistor" (o "ganancia de corriente"). Es decir que la corriente de colector es IC IB, donde depende de la misma corriente IC.

Funcionamiento del SCR (Modelo a 2 Transistores)

Si se considera al SCR como un transistor Tr1 npn de ganancia 1 conectado con un transistor Tr2 pnp de ganancia 2 como se esquematiza a la derecha de la Figura, se observa que: Entonces, despus del disparo, cuando IG = 0 A, es IB1 = IC2 2IB2. Pero como IB2 IC1 1IB1, se ve que las corrientes del dispositivo se ajustan para que 1 2 1, y por lo tanto la corriente de nodo IA del tiristor visto como 2 transistores, resulta aproximadamente igual a IA IE2 = IC2+IB2 (1+1) IB1.

Caractersticas de Conmutacin
Los SCR no son interruptores perfectos, necesitan un tiempo para pasar de corte a conduccin y viceversa. Tiempo de encendido (Ton): Es el tiempo que tarda el tiristor en pasar de corte a conduccin. Se divide en dos partes. Tiempo de retardo (td) Tiempo de subida (tr)

Ton = td + tr

Caractersticas de Conmutacin
Tiempo de apagado (Toff): Es el tiempo que tarda el tiristor en pasar de conduccin a corte. Se divide en dos partes. Tiempo de recuperacin inversa (trr) Tiempo de recuperacin de puerta (tgr)

Toff = trr + tgr

Diac
Es un dispositivo semiconductor de dos conexiones

Es un diodo bidireccional disparable que conduce la

corriente slo tras haberse superado su tensin de disparo Es un dispositivo semiconductor de dos terminales, llamados nodo y ctodo. Acta como un interruptor bidireccional el cual se activa cuando el voltaje entre sus terminales alcanza el voltaje de ruptura, dicho voltaje puede estar entre 20 y 36 volts segn la referencia.

Qu es el TRIAC?
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Es un componente electrnico, internamente

semejante a dos SCR conectados inversamen-te en paralelo.

Debe su nombre a TRIode for Alternating

Current Es usado para trabajo en corriente alterna.

Qu es el TRIAC?
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Es un componente electrnico, internamente

semejante a dos SCR conectados inversamen-te en paralelo.

Debe su nombre a TRIode for Alternating

Current Es usado para trabajo en corriente alterna.

Qu es el TRIAC?
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Su simbologa, estructura y encapsulados son:

Donde A1 y A2, son los nodos, y G es la puerta

(anloga a la del tiristor)

Qu es el TRIAC?
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Se puede modelar con dos transistores BJT,

como

muestra la figura.

Qu es el TRIAC?
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Funciona como un tiristor de cuatro capas,

pero la estructura real contiene seis.

La conduccin puede ser de dos formas. En sentido

A2-A1 o viceversa. La capa N3 facilita el disparo con intensidad de puerta negativa.

Mtodos de disparo.
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Por corriente continua.

El disparo proviene de una fuente de tensin continua

aplicada al triac a travs de una resistencia limitadora

Mtodos de disparo.
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Por corriente alterna.

Se puede realizar mediante el empleo de un

transformador que suministre la tensin, o bien directamente a partir de la propia tensin de la red con una resistencia limitadora de la corriente de puerta adecuada y algn elemento interruptor que entregue la excitacin a la puerta.

Comparativa y Aplicaciones.
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SCR: 0,8 a 40 A. 1200 V.

TRIAC: 4 a 16 A. 600-800 V Mosfet: 2 a 40 A. 900 V.

Aplicaciones : Control de motores. aplicaciones

domsticas. Cargadores de bateras. Control de iluminacin. Control numrico. Ordenadores

Ventajas sobre otros dispositivos.

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En comparacin con el SCR, ofrece un mayor rango

de operacin, pues opera en ambas en ambas zonas de la seal AC, no as el SCR que solo opera en la parte positiva, lo que significa que el dispositivo conduce en una sola direccin. Como interruptor esttico ofrece muchas ventajas sobre los interruptores mecnicos convencionales, por que estos ltimos necesitan del movimiento de un contacto. En cambio el TRIAC, siempre se dispara cada medio ciclo, cuando la corriente pasa por cero.

Desventajas sobre otros dispositivos

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Comparado con un rel, el TRIAC soporta po-ca

potencia, ya que a travs de el puede pasar como mximo una corriente de 16 A. Es factible su uso para el control de cargas re-sistivas, no as en cargas inductivas, como los motores de induccin, puesto que el cambio en el voltaje promedio afecta el torque.

Aplicaciones

Normalmente son usados en diseos donde hay corrientes o

voltajes muy grandes Los tiristores pueden ser usados tambin como elementos de control en controladores accionados por ngulos de fase. En circuitos digitales tambin se pueden encontrar tiristores como fuente de energa o potencial La primera aplicacin a gran escala de los tiristores fue para controlar la tensin de entrada proveniente de una fuente de tensin. Se suelen usar para controlar la rectificacin en corriente alterna. Otras aplicaciones comerciales son en electrodomsticos

Fabricacin
Tcnica de Difusin-Aleacin: La parte principal del

tiristor est compuesta por un disco de silicio de material tipo N, 2 uniones se obtienen en una operacin de difusin con galio, el cual dopa con impurezas tipo P las 2 caras del disco. En la cara exterior se forma una unin, con un contacto oro-antimonio.
Tcnica Todo Difusin: Las 2 capas P se obtienen por

difusin del galio o el aluminio, mientras que las capas N se obtienen mediante el sistema de mscaras de xido.

Fabricacin

Tcnica de Barrera Aislante: Se parte de un sustrato de silicio

tipo N que se oxida por las dos caras, despus en cada una de las 2 caras se hace la difusin con material tipo P. Una difusin muy duradera y a altas temperaturas produce la unin de las 2 zonas P. Despus de este proceso se elimina todo el xido de una de las caras y se abre una ventana en la otra, se realiza entonces en orden a aislar ms zonas de tipo N, una difusin tipo P.

STEVE JOBS (1955-2011)