TEMA 60

1. INTRODUCCIN. 2. CONMUTACIN. Definicin. Condiciones ideales de todo conmutador.

3.

CIRCUITOS BSICOS TPICOS DE CONMUTACIN. Circuito bsico. Circuito mejorado. Circuito de aplicacin con LDR. Diseo de circuitos de conmutacin bsicos.

4. CIRCUITOS DE CONMUTACIN CON TRANSISTORES MOS. 4.1.Principio de funcionamiento de los transistores MOS. 4.2.Zonas de funcionamiento. 5. CIRCUITOS DE CONMUTACIN. 5.1.Clasificacin. 5.2.Definicin de los estados de un circuito. 5.3.Clasificacin de los circuitos regenerativos a base de transistores y con acoplo exterior: multivibradores. 5.4.Biestables. Circuito bsico. 5.5.Lgica de los biestables. 5.6.Monoestables. 5.7.Aestables. 5.8.Disparador schmitt.

El transistor bipolar. La curva de la figura siguiente presenta tres zonas o regiones, en cada una de las cuales el funcionamiento del transistor es diferente.

zona de saturacin.
Se encuentra comprendida entre 0 y 1 V el diodo de colector est polarizado directamente, y la unin base emisor tambin polarizacin directa; T se comporta como un Cortocircuito

zona de corte
En esta zona el transistor se comporta como un circuito abierto (interruptor abierto).

zona central
VCE comprendida entre 1 y 40 V. zona activa. El transistor funciona como un amplificador Diodo polarizado directo. Colector polarizado inversamente

La recta de carga. Una recta de carga es una

recta trazada sobre las curvas de salida para mostrar todos y cada uno de los puntos de operacin posibles de un transistor. La figura siguiente representa la recta de carga correspondiente a ese circuito.

El punto de saturacin es el punto en el que la recta de carga intersecciona la zona de saturacin de las curvas de salida. Como la tensin colector emisor es muy pequea en saturacin, el punto de saturacin es casi idntico al extremo superior de la recta de carga. El punto de saturacin indica la mxima corriente de colector que es posible alcanzar en el circuito, en el ejemplo nuestro esta corriente sera de 5mA, este valor depende de la tensin de polarizacin y de la resistencia de colector, en nuestro caso. ICsat = Vcc/Rc

El mtodo para calcular la corriente de saturacin para cualquier diseo es el siguiente: 1. Poner en cortocircuito los terminales colector-emisor.

2. Hallar la corriente de colector aplicando la ley de ohm (o midindola directamente).

El punto de corte es el punto en el que la recta de carga intersecciona la zona de corte de las curvas de salida. El punto de corte indica la mxima tensin colectoremisor que es posible alcanzar en el circuito. El mtodo para calcular la tensin colector para cualquier circuito:

1.

Abrir los terminales colector emisor.

2.

Calcular la tensin colector-emisor.

Resumen de las caractersticas elctricas de las dos zonas entre las cuales funciona el transistor en conmutacin. Corte:
1. VBE polarizacin inversa. 2. VCE polarizacin inversa.
Se consigue con intensidad de base nula.

Saturacin:
VBE polarizacin directa. 2. VCE polarizacin directa. Se consigue haciendo que la tensin base emisor del transistor sea igual o superior a 0.7 V. En estas condiciones suele ser la tensin VCE aproximadamente igual a 0.2V.
1.

Circuito bsico. Este circuito es el ms bsico, en el cual la seal de entrada se aplica en la base y la carga, representada por RL se encuentra conectada entre el colector y la seal de polarizacin el tener conectado otra resistencia en serie (R2), es para poder controlar la intensidad que circula por la carga su clculo se realizar segn las especificaciones del problema y teniendo en cuenta las especificaciones elctricas de la zona de corte y la de saturacin.

Circuito mejorado. Es muy parecido al circuito anterior, pero presenta la variacin de habrsele aadido una resistencia en la base con la que es posible fijar de una forma bastante fcil el punto de saturacin (se disear la resistencia para que en saturacin haya una tensin en la base superior o igual a 0.7 V).

Circuito de aplicacin con LDR. Es una posible aplicacin del anterior

CIRCUITOS DE CONMUTACIN CON TRANSISTORES MOS.

ZONAS DE FUNCIONAMIENTO. Regin de bloqueo: El transistor no conduce y es la zona comprendida entre el eje de abcisas y la curva VG = VT (tensin umbral) de las caractersticas VDS ID. Regin de no saturacin: El transistor conduce y es la zona de las caractersticas, comprendida entre el eje de ordenadas y la curva que une los puntos VD = VG - VT, o sea es la zona de VD < VG - VT. Regin de saturacin: El transistor est en conduccin siendo ID prcticamente independiente de VD. Es la zona de las caractersticas comprendida entre las anteriores regiones.

El transistor podr ser utilizado en conmutacin, hacindolo trabajar entre dos puntos bien diferenciados dentro de la recta de carga que responde a la ecuacin VDS = VDD RLID.

Representndolo en sus curvas caractersticas nos quedara:

Identificamos por tanto: "1" LGICO <---> VALOR MS NEGATIVO DE LA SEAL DE ENTRADA(-VG3). "0" LGICO <---> MASA (-VGO es prcticamente masa)

Para una tensin de entrada suficientemente negativa ("1" lgico), el transistor conmuta a conduccin y a la salida tendremos un nivel de tensin prximo a masa ("0" lgico). Por el contrario si en la entrada se tiene el estado lgico "0", el transistor estar bloqueado y la tensin de salida ser aproximadamente la de la fuente -VDD ("1"lgico).
Este circuito no resulta prctico para su integracin por la gran superficie ocupada por la resistencia frente al transistor en el proceso de integracin. Este inconveniente se soluciona sustituyendo la resistencia por un transistor MOS trabajando como carga, segn el esquema siguiente:

Observando las curvas caractersticas vemos que VDS = VGS a lo largo de los puntos A B C D.. que nos da la caracterstica tensin-corriente, que aunque presenta cierta curvatura puede considerarse como la de una resistencia en serie con una f.e.m.

Esta prdida de linealidad est compensada con la reducida rea de integracin requerida por un transistor MOS. Por tanto se puede realizar el montaje inversor inicial de la forma siguiente:

ab f
0 0 1 1 0 1 0 1

1 0 0 0

Puerta NOR en PMOS. Lgica negativa

El esquema siguiente representa un inversor en tecnologa CMOS.

Si aplicamos 0V a la entrada ("0" lgico) la puerta del transistor de canal P se polariza negativamente con respecto a su fuente por lo que T2 pasa a saturacin y a la salida obtendremos +VDD("1"lgico)ya que el transistor de canal N, T1 se bloquear al ser la tensin de la puerta igual a la de la fuente (presenta una gran impedancia drenador-fuente al ser del tipo de enriquecimiento): Si la tensin en la puerta es +VDD, se invierte el estado de los dos transistores, es decir, T2 queda cortado y T1 se satura luego a la salida obtenemos 0V ("0"lgico). Vemos por tanto que el circuito se comporta como un inversor.

La caracterstica ms sobresaliente de este circuito, es que ambos transistores no conducen simultneamente por lo que la potencia consumida es muy pequea.

5. CIRCUITOS DE CONMUTACIN. 5.1. CLASIFICACIN.

No regenerativos, sin memoria o combinacionales: Se caracterizan porque la salida depende nicamente de las entradas. Regenerativos, con memoria o secuenciales: Se caracterizan porque la salida depende de las entradas aplicadas y de las salidas, obliga a que la salida se combine con la entrada en algn punto del circuito. Adems obliga a que el circuito recuerde el estado anterior, lo que les confiere un carcter de memoria.

5.2. DEFINICIN DE LOS ESTADOS DE UN CIRCUITO. Estado estable: se mantiene en esa situacin mientras no se varen las condiciones de funcionamiento. Estado metaestable o semiestable: se mantiene estable durante un cierto tiempo pero, se produce un mecanismo de carcter interno que da lugar a una transicin.

CLASIFICACIN DE LOS CIRCUITOS REGENERATIVOS A BASE DE TRANSISTORES Y CON ACOPLO EXTERIOR: MULTIVIBRADORES.

Biestable: Circuito con dos estados estables el cambio de uno a otro ser brusco mediante una excitacin exterior.

Monoestable: Slo tiene un estado estable permanente, siendo el otro semiestable. Requiere una funcin de disparo para producir una transicin del estado estable al semiestable, permanecer en l un tiempo muy grande en comparacin con el tiempo de conmutacin, pero volver a su estado estable sin necesitar ninguna otra seal exterior, se le llama de distintas formas: circuito de un slo disparo, de ciclo nico, circuito de retardo.

Aestable: Tiene dos estados semiestables. Sin necesidad de una seal de disparo exterior, la configuracin aestable pasar de un estado semiestable al otro. El circuito aestable es un oscilador y se emplea como generador de ondas cuadradas.

BIESTABLES. CIRCUITO BSICO.

Tambin se denominan flip-flop, son en esencia dos amplificadores interconectados de forma tal que la salida de uno est conectado a la entrada del otro y viceversa.

Si T1 est inicialmente conduciendo (saturado) por haber aplicado una tensin positiva a su base, su tensin de saturacin ser VCEsat cuyo valor tpico es 0.2V que es lo que aplica a la base de T2 que hace que est en corte. Este estado se mantendr mientras no se varen las condiciones que lo produjeron:
Estado estable 1: T1 saturado T2 cortado. Si aplicamos un impulso positivo a la base de T2 (denominado impulso de disparo), el potencial de dicha base crecer, haciendo que empiece a conducir T2 haciendo que su tensin de colector vaya disminuyendo a medida que este transistor va conduciendo ms. Consecuentemente T1 conducir menos que antes lo que contribuye a aumentar su tensin de colector y por tanto de la base de T2 que a su vez conducir ms. La transicin hacia el corte de T1, colabora a la saturacin de T2 y viceversa. La situacin final es un estado estable similar al anterior:

Estado estable 2: T1 cortado T2 saturado

Biestable acoplado por colector.

Biestable acoplado por emisor.

LGICA DE LOS BIESTABLES.

Cuando aplicamos un impulso positivo a D1, el biestable evoluciona de tal forma que Q se pone a "1" (T2 cortado). Si por el contrario dicho impulso se aplica a D2 ser Q = "0" (T2 saturado)

5.6.

MONOESTABLES.

Un monoestable no es ms que un biestable al que se la ha suspendido mediante una red exterior, un estado estable. A este circuito se le conoce tambin con los nombres de circuito de un slo disparo, univibrador, de paso nico. Consta dicho circuito fundamentalmente, de dos inversores acoplados, siendo una de las redes de acoplo de tipo reactivo. - Circuito monoestable acoplado por colector.

El acoplamiento entre la base de T2 y el colector de T1 est realizado por un condensador C. La condicin de estabilidad es T2 conduciendo y T1 cortado.

Si aplicamos una tensin negativa al punto "B" que ocasiona el corte de T2 pasa a conducir T1 de modo instantneo. Al cortarse T2 la tensin en el punto "b" aumentar, y de igual modo se reducir la tensin en el punto "a" por conduccin de T1. La tensin en el punto "B" se reduce en la misma proporcin que en el punto "a", ya que la tensin a travs del condensador no puede cambiar instantneamente.

La duracin del pulso viene dada por: T= RC Ln 2 = 0.69 RC seg.

El circuito se mantendr en este estado semiestable dependiendo del tiempo T que depende de los parmetros que rigen la descarga del condensador. Durante este estado la tensin en "B" crece exponencialmente hacia +Vcc, con una constante de tiempo RC. En consecuencia el estado semiestable termina en una segunda transicin regenerativa cuando el punto "B" alcanza la tensin umbral de saturacin y T2 conduce de nuevo.

5.7.

AESTABLES.

Dispone de dos estados, ambos semiestables. Sin necesidad de seales externas el circuito aestable pasar sucesivamente de un estado al otro. - Aestable acoplado por colector. La mayora de estos circuitos, emplean dos condensadores que permiten establecer separadamente, las condiciones de polarizacin de los transistores. Supongamos que es TR-1 el que conduce primero. En estas condiciones el voltaje en su colector estar prximo a 0 voltios, por lo que el C-1 comenzar a cargarse a travs de R-2. Cuando el voltaje en C-1 alcance los 0,6 V, TR-2 comenzar a conducir, pasando la salida a nivel bajo (tensin prxima a 0V). C-2, que se haba cargado va R-4 y unin baseemisor de TR-1, se descargar ahora provocando el bloqueo de TR-1. C-2 comienza a cargarse va R-3 y al alcanzar la tensin de 0,6 V provocar nuevamente la conduccin de TR-1, la descarga de C-1, el bloqueo de TR-2 y el pase a nivel alto (tensin prxima a Vcc (+) de la salida Y). A partir de aqu la secuencia se repite indefinidamente, dependiendo los tiempos de conduccin y bloqueo de cada transistor de las relaciones R-2/C-1 y R-3/C-2. Estos tiempos no son necesariamente iguales, por lo que pueden obtenerse distintos ciclos de trabajo actuando sobre los valores de dichos componentes
Para t=T2, la tensin VB alcanza el valor de la tensin umbral o de arranque y se origina la transicin inversa. La duracin de cada uno de los pulsos es la siguiente: T1 = 0.69 R1 C1 T2 = 0.69 R2 C2 El perodo viene dado por T = T1 +T2 T = 0.69(R1 C1 + R2 C2). Para el caso de un circuito simtrico (R1=R2, C1=C2) queda reducida a T = 1.38 R1 C1

DISPARADOR SCHMITT.

Es un amplificador acoplado por los emisores de los transistores, cuya diferencia con los biestables estriba en la no existencia del acoplamiento entre el segundo transistor y la base del primero. El camino de realimentacin se obtiene va la resistencia comn de los emisores.

El funcionamiento depende de la existencia de dos estados discretos de salida estables y de la accin de mando proporcionada por la tensin de entrada. El nivel de la tensin de entrada al cual el circuito cambia de estado, es diferente para tensiones crecientes que para tensiones decrecientes. Esta diferencia entre las tensiones de entrada se denomina histresis del circuito disparador. Dicha histresis est presente siempre en todo circuito en el que haya una regin de funcionamiento en la cul ambos transistores sean activos, y la transmisin del bucle de realimentacin sea mayor que la unidad.

La aplicacin tpica de este circuito es como regenerador de impulsos, ya que permite restablecer los niveles lgicos originales, a partir de impulsos que han sufrido una cierta deformacin, por causas como pueden ser su transmisin por cable.