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1.

- Introduccin a la electrnica
Definicin : Fsica, cargas elctricas, materiales, semiconductores. Herramientas e instrumentos: Pinzas Multmetro Cautn Fuente de voltaje Caimanes..... Osciloscopio.... Conocimientos bsicos: Carga, campo elctrico y magntico, diferencia de potencial, corriente, voltaje. Leyes Ohm, Kirchhoff (LVK, LCK), Capacitancia, Inductancia, divisor de voltaje y de corriente, circuitos equivalentes de Thevenin y de Norton. Dispositivos: Amplificadores operacionales, Diodos, transistores, dispositivos digitales (compuertas, contadores, flip flops...), convertidores, pics, microcontroladores, microprocesadores, DSP... Aplicaciones: Mdicas, sociales, entretenimiento, investigacin, aeronutica, aeroespacial, navegacin, transporte.....

2.- Semiconductores
SEMICONDUCTORES: Materiales que poseen un nivel de conductividad sobre algn punto entre los extremos de un aislante y un conductor. COBRE: = 10-6-cm MICA: SILICIO -Alto nivel de pureza -Existen grandes cantidades en la naturaleza. -Cambio de caractersticas de conductores a aislante por medio de procesos de dopado o aplicacin de luz calor. = 1012-cm = 50 x 103-cm GERMANIO: = 50 -cm

MATERIALES SEMICONDUCTORES (GERMANIO Y SILICIO):


Estructura atmica: Red cristalina Enlaces entre tomos: Covalentes Electrones de valencia: 4

NIVELES DE ENERGA : Mientras ms distante se encuentre el electrn del ncleo mayor es el estado de energa, y cualquier electrn que haya dejado su tomo, tiene un estado de energa mayor que cualquier electrn

en la estructura atmica.

Banda de conduccin
Banda de conduccin Banda prohibida Eg > 5 eV Banda prohibida Eg = 1.1, 0.67, 1.41 eV Banda de valencia Banda de valencia Banda de conduccin Banda de valencia

Aislante

Semiconductor

Conductor

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Material Intrinseco

Si

Si

Si

Materiales extrinsecos
Si Si Si Si Si Si

Si

Si

Si

Si

Antimonio Arsnico Fsoforo

Si

Si

Si

Boro Galio Indio

Si

Si

Si

TIPO n

TIPO p

2.1 UNION p-n


TIPO p
Iones aceptores P ortadores m ayoritarios

TIPO n
Iones donadores P ortadores m ayoritarios

P ortadores m inoritarios

P ortadores m inoritarios

T p ipo

T n ipo

Regin de agotamiento

Sin polarizacin

Polarizacin inversa

Polarizacin directa

ID

VT

Is

VD

DIODO

Es un elementos de dos terminales formado por una unin p-n

+
nodo

Ctodo

ID=IS(ekVD/Tk-1)
IS Corriente de saturacin inversa K 11600/ Tk TC + 273
Ejemplos

(=1 para Ge, y =2 para Si)

Regin Zener:
Bajo polarizacin negativa existe un punto en el cual bajo un voltaje negativo lo suficientemente alto, da como resultado un agudo cambio en las caractersticas del diodo. A este voltaje se le conoce como voltaje pico inverso (PRV PIV )

2.2 Caractersticas del Diodo


Resistencia en cd esttica:
Ejemplo

RD=VD/ID

Resistencia en ac dinmica:

rD=VD / ID=(dID /dVD)-1=26mA /ID


Resistencia en ac promedio:
Ejemplo

rav= VD / ID|punto a punto


15 10

C (pf)

Capacitancia de transicin y difusin:


CT

CD

-25

-15

-5

0.25

0.5

Tiempo de recuperacin inverso


T s T t

Modelado de diodos
Modelo Ideal:
ID

VD

Modelo Simplificado: VT

ID

VT

VD

Modelo de segmentos lneales: VT rav

ID

rav
VT

VD

Ejemplos

1k
1

1N4001

E = RID+VD

1.-

ID=IS(ekVD/Tk-1)

2.- VD=0 e ID=0, trazar en la curva del diodo, interseccin de recta con curva es el punto Q. 3.-Sustituir el diodo por cualquier modelo de equivalente.

Ejemplos

2.3 Diodo Zener


Este diodo a diferencia de un diodo semiconductor de propsito general, trabaja en la regin de polarizacin negativa. Es decir que la direccin de la conduccin es opuesta a la de la flecha sobre el smbolo. Claro el voltaje Zener es muchas veces menor que VIP de un diodo semiconductor, este control se logra con la variacin de los niveles de dopado.

Los voltajes zener van desde 1.8 V. hasta 200V, con rangos de potencia de W
hasta 50W.

ANALISIS: 1. Determinar el estado del diodo Zener mediante su eliminacin del circuitos de la red y el clculo del voltaje de circuito abierto resultante

2. Sustituir el circuitos equivalente adecuado y resolverlo para las incgnitas


deseadas.

R1

1
BT1

D1

R2

2.4 Anlisis de circuitos con diodos


330 10V Si

+
Si

Con fuentes de cd.


2

V0 -

-Determine el estado del diodo -Sustituya el equivalente adecuado -Determine los parmetros restantes de la red.
Si E R3 12V Ge 5.6k
2.2K

ID1, ID2, IR, V0.


Ge 2 2 Si 1 1 12V

VR, IR
Si E R3 12V Si 5.6k
20V Si

VR.
3.3K

Si

VD1 , VD2, ID, VR.


Si

5.6K

Determine VD,, VR, ID. Ambos casos E=8V, 0.5 R3=2.2k, 1.2k
10V

IR1, IR2,
2.2K

4.7K

+ V0

5V

VD, ID, V0.

2.5 Aplicaciones
Rectificadores: Su principal uso es en sistemas electrnicos encargados de realizar una conversin de potencia de ac, en potencia de dc. DE MEDIA ONDA:
20V 0V

D2 1 V1 1k 2
-20V V1(V2) 20V

0V

SEL>> -20V 0s V(D1:2)

1ms

2ms

3ms

4ms

5ms Time

6ms

7ms

8ms

9ms

10ms

20V

0V

2 120

1
-20V

1k

V1(V2) 20V

0V

SEL>> -20V 0s V(R1:1)

1ms

2ms

3ms

4ms

5ms Time

6ms

7ms

8ms

9ms

10ms

DE ONDA COMPLETA:
2 1
20V

1k

10V

11

22

0V

-10V

-20V 0s V(V2:+) Time 0.5ms 1.0ms 1.5ms 2.0ms 2.5ms 3.0ms

CON TRANSFORMADORES:
Si 1 T1 5 6 4 8 R

Si

Recortadores: Tienen la capacidad de recortar una porcin de la seal de entrada sin distorisionar la parte restante de la forma de onda alterna. SERIE:
D2 5V 1k
-20V V(V10:+) 20V 20V

0V

0V

SEL>> -20V 0s V(R1:2)

0.5ms

1.0ms

1.5ms Time

2.0ms

2.5ms

3.0ms

20V

10V

1k

0V

4V
-10V

-20V 0s V(D1:2) 0.5ms V(V1:+) 1.0ms 1.5ms Time 2.0ms 2.5ms 3.0ms

Sujetadores o cambiadores de nivel:


C1

C1

V1 5V

Detectores de seal:

+
Vin
-

2 2 C1 1 1

+
Vout
-

Reguladores de voltaje:
El objetivo de este circuito es mantener un voltaje de salida constante sobre un rango de resistencia de carga. El resistor en serie con la fuente se selecciona para que una caida de voltaje apropiada aparezca cuando la resistencia de carga est en su valor mnimo. El diodo debe ser capaz de disipar una gran gantidad de potencia cuando la resistencia de carga est en su valor mximo.
1k Vi + Vz - Pzm

1k

1.- Determinar el estado del diodo zener mediante la eliminacin de la red y calculando el voltaje atravs del circuito abierto resultante.

V = VL=RLVi/R + RL
VL=Vz Iz= IR + IL Pz= Vz IL

2.- Sustituir el circuito equivalente adecuado y resolverlo para las incongnitas deseadas.

Vz

Vz

Vz

Reguladores de voltaje:
R=1k
R Vi + Vz - Pzm

VZ=10V PZM= 30mW

RL

Vi=16V. RL=1.2k =3k

Compuertas lgicas:

In1

D1 Vo.

In1 0 0
1k

In2 0 1 0 1 In2 0 1 0 1

V0

In2

D2

1 1 In1
Vo.

In1

D1

V0

0 0 1

In2

D2

1k 5V

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