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Mayo de 2010.
El JFET es menos sensible al ruido que el BJT por lo que es apropiado para amplificadores de bajo nivel. Otra caracterstica importante es que el FET tiene una mejor estabilidad trmica respecto al BJT. La desventaja que tiene el FET respecto al BJT es que es ms susceptible a daarse con la electricidad esttica.
Existen dos tipos de FETs: canal n y canal p El transistor de efecto de campo es un dispositivo de tres terminales donde una de ellas se utiliza para controlar el flujo de corriente entre las otras dos. Sus terminales son: Drenador(D), fuente(S) y compuerta (G).
JFET en la regin VGS = 0 V y VDS > 0 V. La compuerta siempre se va a polarizar inversamente, es decir VGS va ir desde 0 V hasta el voltaje de oclusin Vp.
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REGIN HMICA: En esta zona el transistor se comporta como una resistencia variable dependiente del valor de VGS. Un parmetro que aporta el fabricante es la resistencia que presenta el dispositivo para VDS = 0 (rDS on), y distintos valores de VGS. REGIN DE SATURACIN: En esta zona es donde el transistor amplifica y se comporta como una fuente de corriente gobernada por VGS. REGIN DE CORTE: La intensidad de drenado es nula (ID = 0). REGIN DE RUPTURA: En esta zona no se debe operar el transistor, debido a que se corre el riesgo de daarlo. 10
Caracterstica de transferencia:
ID es la corriente del drenador (A). IDSS es la corriente del drenador a fuente en saturacin (A). VGS es el voltaje compuerta-fuente (V). 11 VP es el voltaje de oclusin del canal (V).
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VDS = constante
Siemens
En pocas palabras gm es un factor que indica cuanto control tiene el voltaje de compuerta sobre la corriente del drenador. Cuanto mayor sea gm ms eficaz ser el control de VGS sobre la ID. gm = dID/dVGS = 2 IDSS(1 - VGS/VP)/(-VP) para VGS = 0 V se define gmo = 2IDSS/|VP| Por lo tanto gm = gmo (1 - VGS/VP) Donde gm es una indicacin de la amplificacin de la ca del JFET
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Ejercicio 9.3
Realizar los anlisis de CD y de corriente alterna del siguiente circuito, escribiendo el circuito equivalente para seal. Asimismo, determinar el Vo.
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Clculos parmetros de CD
Se obtiene la curva caracterstica transferencia. Se grafica le recta de autopolarizacin. El punto de interseccin es el punto de operacin del JFET.
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Anlisis en corriente alterna Se cortocircuitan los capacitores y fuentes de CD. Se redibuja el circuito, empleando el c. equivalente.
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