Fabricacin de circuitos integrados

Fabricacin de circuitos integrados

Los circuitos electrnicos dependen del flujo de electrones. Los circuitos electrnicos ofrecen diferentes funciones.(transistores, reostatos, capacitores,etc.) Los circuitos electrnicos constan de componentes interconectados.

Circuitos integrados
Son pequeos trozos o chips de Silicio de 2 x 4 mm2 sobre los cuales se fabrican los transistores. La fotolitografa permite crear centenares de miles de transistores en un solo chip. Se colocan numerosas regiones tipo p y n.

Circuitos integrados monolticos

Durante la fabricacin, estas regiones son interconectadas mediante conductores minsculos. Se fabrican a partir de una oblea monocristalina de silicio (tipo n o p) de 10 cm. X 12.5 cm. y su espesor de 0.2mm.

Circuitos integrados

Fabricacin de circuitos integrados

El correcto funcionamiento de los circuitos depende del riguroso control sobre el nmero de impurezas que se introduzcan en el silicio. Es de suma importancia asegurar que el cristal utilizado sea de gran pureza y sin defectos en la formacin cristalina

Fabricacin de circuitos integrados

Posteriormente se corta con una navaja de diamante y se pulen para formar obleas, de diferentes tamaos y espesores (275 micras).

Fabricacin de circuitos integrados

Cuando se cortan las obleas, la superficie tiene una orientacin definida por los ndices de Miller con tipos (100) or (111). La orientacin es importante pues muchas de las propiedades estructurales y electrnicas son altamente anisotrpicas.(variaciones en diferentes direcciones)

La implantacin de iones dopantes puede Depender de la orientacin del cristal. Se puede tener impurezas de Boro, Fosforo, Arsnico o Antimonio en un concentracin de ppm.

Fabricacin de circuitos integrados

Para obtener la adecuada pureza se somete al Silicio a una serie de procesos qumicos y fsicos a elevadas temperaturas, de las cuales, tras sucesivas mezclas, fusiones, destilaciones y descomposiciones, se obtiene un silicio de alta pureza.

FOTOLITOGRAFIA
El diseo de un circuito se traza a gran escala utilizando algn programa para ahorrar el mximo de espacio. Despus de transfiere una fotomscara a la cara de la oblea de silicio.

Fotoligrafa

DIFUSION
Para formar elementos de circuitos activos tales como transistores es necesario introducir selectivamente impurezas (dopantes) para formar regiones tipo p y n. Existen 2 tcnicas: difusin e implantacin inica.

Difusin: Los tomos de impurezas

se difunden en las obleas a altas temperaturas (1,000C).
El Boro y el fsforo se mueven ms lentamente en el SiO2 que en una red de Si. Por lo que plantillas delgadas de SiO2 pueden servir de mscara para prevenir que las impurezas penetren el Si. Las impurezas entrarn en la superficie desprotegida del silicio y se difundirn
lentamente en el interior. SiO2

Implantacin inica
Se ionizan los tomos dopantes (se arrancan electrones para formas iones) y se aceleran los iones a altas energas a travs de una gran diferencia de potencial (50-100 Kv).

Cuando los iones impactan sobre la oblea

penetran a diversas profundidades (dependiendo de la masa,
la energa y el tipo de proteccin superficial).

Este proceso se realiza a temperatura ambiente.

Circuito integrado monoltico

Diversos componentes

Circuitos integrados peliculares

Estos circuitos no se forman dentro de una oblea, sino sobre la superficie de un sustrato aislante como el vidrio o cermica. Slo los elementos pasivos (resistores, capacitores) se forman a travs de tcnicas de pelcula gruesa o delgada sobre la superficie aislante.
Los elementos activos (transistores, diodos) se aaden como elementos discretos en la superficie de la estructura despus de que se han formado los elementos pasivos. Los dispositivos activos se producen empleando el proceso monoltico.

Circuitos integrados peliculares

Proceso de pelcula delgada emplea una tcnica de evaporacin o dispersin catdica. Proceso de pelcula gruesa emplea tcnicas de malla de seda. El costo de los circuitos de pelcula son ms altos que los monolticos.

Pelcula gruesa

Pelcula Delgada
Las resistencias se forman colocando sobre el sustrato una pasta contiene partculas de paladio y de plata sobre un vehculo disolvente. Los condensadores pueden ser de 2 tipos: unidades independientes que se montan o de tipo pelicular formados sobre el sustrato para valores de capacidad reducidos.

Evaporacin al vaco
Temperaturas de 1,000 2,000C. La presin de vapor de 10-2 torr. Existen 2 mtodos: Mtodo resistivo Bombardeo de electrones

Mtodo resistivo

Bombardeo de electrones

Pulverizacin catdica

Estructura Qumica
Su composicin puede contener los siguientes elementos:

* Silicatos (SiO4) * Oxidos metlicos (TiO2) * Carburos (SiC) * Nitruros (Si3N4) * Aluminatos (Al2O3)
Los cermicos normalmente son aislantes pero si contienen elementos de transicin multivalentes pueden convertirse en semiconductores

Electrocermicas
Se dividen en 5 grandes grupos:
Semiconductores Superconductores

Ferroelctricos (Piezoelctricos)
Magnticos (ferromagnticos) Optica

USOS: Aislantes, resistencias, sustratos para circuitos integrados,filtros, condensadores, fibras pticas, etc.

PIEZOELCTRICOS
Piezoelctrico proviene del griego piezein que quiere decir apretar. Esto quiere decir que es un fenmeno presentado en ciertos cristales que no tienen simetra cuando son sometidos a tensiones mecnicas.
Los centros de cargas + y no son idnticos.

Cermica piezoelctrica
Se caracterizan por convertir la energa mecnica en elctrica o viceversa. Capacidad de algunas materiales de admitir un cambio en el campo elctrico que a su vez modifique las dimensiones del material, en tanto que un cambio en las dimensiones produce un campo elctrico.

Ejemplo:
Cuarzo

Turmalina

Piezoelctrico
Cermicos PZT son PbTiO3 y PbZrO3
El titanato de Bario y otros materiales cermicos poseen un momento dipolar resultante debido a la alineacin de muchos dipolos pequeos. En este material habr exceso de carga positiva en un extremo y de carga negativa en el otro.

Efecto piezoelctrico
Si una muestra se somete a esfuerzos de compresin reducir la distancia entre los dipolos lo que variar la densidad de carga y cambia la diferencia de potencial entre los extremos.

FENOMENO DE LA PIEZOELECTRICIDAD
Al aplicar una tensin mecnica Z cambia la polarizacin elctrica del material generndose un campo elctrico (aparicin de cargas en las superficies del material). La tensin mecnica cambia el centro de gravedad de cargas negativas y positivas produciendo un cambio en el momento dipolar.

 Los materiales piezoelctricos son ampliamente utilizados en la conversin de seales elctricas a ondas mecnicas y viceversa. As se generan ondas ultrasnicas por medio de transductores o bien realizar sensores mecnicos.

ECUACION QUE RIGE LA PIEZOELECTRICIDAD

P = Zd + 0cE ; e = Zs + Ed
P : polarizacin [C/m2] Z : tensin mecnica [N/m2] d : coeficiente de deformacin piezoelctrica [m/V] g: coeficiente de tensin piezoelctrica [m2/C] E : campo elctrico [V/m] c : susceptibilidad elctrica e : deformacin elstica s : coeficiente de elasticidad [m2/N]

Propiedad de los piezoelctricos

Efectividad en convertir energa elctrica en mecnica y viceversa, esto se representa con el coeficiente de acoplo k definido como:

k2 = Energa elctrica convertida en energa mecnica / Energa elctrica de entrada

Todos los ferroelectricos son piezoelctricos pero no todos los piezoelctricos son ferroelectricos, esto es debido a que muchos piezoelctricos presentan una polarizacin espontnea pero no es invertible

Estructura tetragonal del PZT por debajo de la temperatura de Curie

MATERIALES PIEZOELECTRICOS Y SUS PROPIEDADES

Material Cuarzo ADP KDP Niobato de litio PZT Frmula d(C/N) d11= -2,25x10-11 d14= 0,85x10-12 d36= 5x10-11 d36= 5x10-11 d33= 1,6x10-11 d13= 7,4x10-12 d33= 2,23x10-10 d13= -9,4x10-11 d32= 3x10-12 d13= 1,82x10-11

SiO2 NH4H2PO4 KH2PO4 LiNbO3 PbTi0.48Zr0.52O3

PVDF

(CH2-CF2)n

APLICACION
Osciladores electrnicos de precisin Utilizan la frecuencia natural de resonancia mecnica excitada por el voltaje externo para fabricar relojes internos de ordenadores, relojes en radios. El margen de frecuencia depende de su tamao y modo de vibracin y comnmente pueden ser construidos para operar entre unas decenas de KHz y/o MHz y la frecuencia de resonancia puede ser estable.

USOS
Se aplica en medidores de ultrasonidos, en el sonar, las chispas que pueden inducirse por un alto voltaje producido se usa para la ignicin de calentadores de gas, etc.

Estos sensores estn presentes en:

Micrfonos Generadores de ultrasonidos Medidores de presin Deteccin de gases txicos

FERROELECTRICIDAD
La capacidad de ciertos materiales para retener informacin en su estructura cristalina, sin necesidad de estar conectados a una fuente de energa, como pilas o corriente elctrica, es llamada Ferroelectricidad.

Qu es la Ferroelectricidad?
La informacin es almacenada gracias a la polarizacin elctrica que poseen, que puede ser activada externamente por un voltaje, y an cuando ste sea retirado, la polarizacin persiste.

Estructura de dominios antes del proceso de polarizacin, 1, durante, 2, y despus del mismo, 3, con una polarizacin
uniaxial

2 Estados ferroelctricas
Los materiales ferro-elctricos poseen dos estados bases termodinmicamente equivalentes, los cuales poseen polarizacin inica opuesta que puede ser cambiada de un estado al otro por medio de un campo elctrico externo.
Fase Ferroelctrica. Fase Paraelctrica.

Fase Ferroelctrica
Esta polarizacin inica aparece debido a una distorsin en la red cristalina.
Se refiere a que los iones que conforman una celda unitaria del material estn despla zados levemente unos de otros , tales despla zamientos son menores a 1 (un ngstrom),

es decir, 10 mil veces menores al micrmetro (sta fase cristalogrfica

conforma la llamada fase ferroelctrica).

Fase Paraelctrica
La fase cristalogrfica en que no existen estos desplazamientos entre los iones; ausencia de ferroelectricidad. Por lo tanto, la ferroelectricidad de un material depende de la

estructura cristalina y de la temperatura.

Ferroelctrico
El titanato de Bario (BaTiO3) arriba de 120C tiene estructura cbica (Fase Paraelctrica). Por debajo de 120C los iones de Ti4+ y O2- desplazan ligeramente en direcciones opuestas para crear un pequeo momento dipolar elctrico (Fase Ferroelctrica). A esta temperatura se le llama Temperatura de Curie.

Qu es la Histresis?
La palabra histresis viene del griego y significa retraso, quedar atrs. Cuando un material ferroelctrico es magnetizado en una direccin, su valor no se rebaja a cero cuando el campo que lo indujo deja de actuar.

Cuando se aplica un campo elctrico externo (E) al material de los dipolos se alinearn en direccin al campo elctrico aplicado (P).

Pero cuando se deja de aplicar no todos los dipolos vuelven a su estado de mnima energa, muchos quedan apuntando en el direccin en que el campo se haba aplicado.
Por eso estos materiales pueden retener informacin digital sin fuentes externas.

Introduccin a la Histresis
Se sabe que la ferroelectricidad es un fenmeno cooperativo de dipolos que interactan entre s, la cual se detecta a travs de mediciones elctricas. La medicin elctrica clave a un material ferroelctrico es la obtencin de su curva de histresis.

Qu es la Histresis?
Si otro campo magntico actua sobre el mismo material en diferente direccin, su magnetizacin mostrar un ciclo conocido cmo ciclo de histresis. La propiedad de incapacidad de retorno de la curva de magnetizacin es conocida cmo histresis, y est relacionada con la existencia de dominios magnticos del material.

Ciclo de Histresis
Se puede graficar la relacin en referencia de la polarizacin con respecto al campo magntico aplicado. Al aplicar valores de campo mximo positivo y mximo negativo se obtiene un lmite en el cual no hay mas cambios en el material, a ste efecto se le llama saturacin.

Magnetizacin del Material

Cuando se disminuye el valor del campo magntico a cero, el material ferromagntico contiene una considerable cantidad de magnetizacin. Esto es util como una herramienta de memoria.

Material magnetizado hasta la saturacin por el alineamiento de los dominios.

M
El material sigue una curva no lineal cuando es magnetizado desde un valor de campo igual a cero.

El campo magntico usado debe ser revertido e incrementado a un alto valor para que la magnetizacin regrese a cero .

Campo B0 magntico aplicado

Saturacin de rebote en direccin opuesta a la magentizacin original.

El ciclo de histiresis muestra la naturaleza histrico-dependiente de un material ferroelctrico. Una vez que el material ha sido llevado a la saturacin, el campo magnetizado puede empezar a bajar a cero y el material retendr la mayoria de su magnetizacin (recuerda su historia).

Materiales Ferroelctricos
Son muchos los materiales pero solamente unos pocos poseen una polarizacin remanente grande (Pr). Una buena curva de histrisis debera ser cuadrada y el voltaje de operacin debera ser menor a 5 V para poder ser utilizados en computadoras.

Materiales Ferroelctricos
La ferroelectricidad decrece a medida que las dimensiones del ferroelctrico van disminuyendo o el tamao de grano va disminuyendo.

 Un valor razonable de ferroelectricidad es de 50nm.

Ciclo de histrisis

Morfologa de los ferroelctricos

Si se fabrican tipo alambres o tubos, la ferroeletricidad podra confinarse en la direccin axial o perpendicular al alambre. Una aplicacin importante es en memorias ferroelctricas de alta densidad como disco duro para que al apagarlos no exista prdida de informacin.

Qu materiales Ferroelctricos existen?

Estos materiales comnmente son cermicas policristalinas y entre ellos estn:
Frmula
(Sr,Ba)TiO3
Pb(Zr,Ti)O3 BaTiO3 Pb1-xLaxZr1-yTiyO3 Bi4Ti3O12

Abreviacin
SBT
PZT BTO PLZT BiT

Nombre
Titanato de Bario Estroncio
Titanato Zirconato de plomo Titanato de Bario Titanato Zirconato de Plomo Lantamio Titanato de Bismuto

Qu materiales Ferroelctricos existen?

Todos estos materiales son sintticos y tienen dos propiedades importantes: piezoelectricidad y ferrrolectricidad. Muchos de los ferroelctricos son tambin piezoelctricos.

USOS
La aplicacin mas importante es en memorias mviles.

Procesos de fabricacin de cermicos

Se depositan capas de pasta o pintura con propiedades elctricas sobre un sustrato aislante.

La mayor parte de las pastas contienen: a) Vehculo orgnico b) Ingrediente activo c) Agente de unin al sustrato (xidos)

Fabricacin de cermicos

Proceso de fabricacin de cermicos

El control del tamao de los granos y su distribucin es importante en la reproducibilidad de las propiedades elctricas de las capas depositadas.

Control de calidad de las capas

Fabricacin de cermicos
Existen varios procesos a altas temperaturas y otros a temperaturas ambientes. Se estudian nuevas composiciones (MPT, titanato zirconato de Plomo y lantano (PZT), metaniobato de plomo y sistemas complejos)

Nuevas estructuras

Procesos de fabricacin
Una capa aislante (I) se inserta entre la pelcula ferroelctrica y el sustrato (Si) para prevenir que los tomos se difundan.

Cmara de vaco

Este proceso se lleva a cabo en una cmara de vaco.

Fallas mecnicas de los cristales

Una celda unitaria de SrTiO3.
La fase de transicin involucra una rotacin cuyos ejes (flechas rojas) orientan diferente es los esfuerzos de compresin y tensin.

Defectos en la estructura cristalina

nos muestran

fallas a la fatiga (alta

compresin).

Nuevos materiales empleados en ingeniera

Las fibras pticas con un espesor de un cabello (1.25um de dimetro) fabricadas con SiO2. Estos sistemas consisten en un transmisor para convertir seales elctricas en luminosas.

COMPOSITOS
Los cermicos son difciles de fabricar sin defectos y adems son quebradizos, por lo que se han desarrollado nuevos compuestos. Los compositos son materiales reforzados, compuestos de fibras de gran resistencia. Estan formados por cualquier combinacin de metales, cermicos y polmeros, manteniendo sus propiedades individuales.